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H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere

H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment

H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

Translated from Korean

기판의 처리방법은, 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급함으로써 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 둘레로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 상기 기판의 표면을 건조시키는 스텝에 있어서, 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정된다. Treatment of the substrate is, by rotating the step of, after which a substrate for cleaning a substrate by supplying a step, then the cleaning liquid to the surface of the substrate for developing the substrate film is formed of photosensitive resin on the surface in the vertical axis in a horizontal plane the surface of the substrate and a step of drying and, at the step of drying the surface of the substrate, the substrate is placed atmosphere is adjusted to a value lower than the normal atmospheric pressure.이것에 대신하여 상기 기판의 세정단계에서 소정의 가스가 용해된 세정액이 사용되어도 좋다. This is a given gas dissolved in a cleaning liquid in the cleaning step of the substrate may be used in place of.이 경우, 바람직하기로는 기판표면을 건조시키는 단계에서, 기판표면에 공급되는 세정액 중의 가스는 과포화상태로 된다. In this case, preferably, in the step of drying the substrate surface, of the cleaning liquid supplied to the substrate surface, the gas is brought into the supersaturation state.이와 같은 방법은 실현하는 제어장치를 구비한 기판의 처리장치도 개시되어 있다. Such a method is disclosed also in a substrate processing apparatus and a control apparatus for realizing.

Description

Translated from Korean

미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 Dry treatment of the substrate a method and apparatus having a fine patterned resist film

제2도는 분위기 압력 여하에 의해 고체면상에 위치된 린스액(순수)의 형태가 변화하는 것을 설명하기 위한 모식도. The schematic diagram for explaining that the change in the form of a rinsing liquid (pure water) on the side of the solid by the second turning atmosphere any pressure.

제3도는 본 발명에 관한 기판의 회전식 건조처리방법을 실시하기 위해 사용되는 장치의 구성의 일예를 나타내는 개략종단면도. The third turning a schematic longitudinal sectional view of an example of the configuration of the apparatus used for carrying out the rotary drying treatment method of the substrate according to the present invention.

제4도는 본 발명에 관한 건조처리방법에 있어서 일련의 처리조작의 일예를 나타내는 플로워챠트. The fourth turning follower chart showing an example of a series of processing operations in the drying method of the present invention.

제10도는 본 발명에 관한 기판처리방법에서 일련의 처리조작의 일예를 나타내는 플로워챠트. Claim 10 turns the follower chart showing an example of a series of processing operations in the substrate processing method according to the present invention.

제11도는 제9도에 나타낸 일련의 기판처리조작에서 처리실내의 압력변화를 나타냄과 동시에 기판의 세정처리공정에 있어서 가스용존순수를 사용하는 시기를 설명하기 위한 타임챠트이다. The same time and represents a change of pressure in the treatment chamber 11 to turn the ninth a series of substrate processing operation shown in step in the cleaning process of the substrate a time chart for explaining the timing of using the gas dissolved pure.

본 발명은 포토리소그래피를 이용하여 반도체 장치와 포토마스크, 액정표시장치(LCD)등을 제조하는 경우에 있어서 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 그라스 기판, 광디스크용 그라스기판, LCD용 그라스기판 등의 각종기판(이하, 간단히 기판이라 한다)의 표면에 피착형성된 감광성수지(포토레지스트)막을 현상처리하고 세정처리한 후 기판표면을 건조처리하는 방법에 관한 것으로, 특히 미세패턴화된 레지스트막을 가지는 기판을 수평자세로 유지하고 연직축 주위로 회전시켜 기판표면을 건조시키는 회전식 건조처리방법 및 그 방법을 실시하기 위해 사용되는 회전식 건조처리장치에 관한 것이다. The invention photolithography using a semiconductor device and a photomask, a liquid crystal display (LCD) variety of substrates such as semiconductor wafers, photo-mask glass substrate, the optical disc glass substrate, a glass substrate for an LCD for in the case of manufacturing and the like ( a substrate having the following, referred to as simply a substrate), a photosensitive resin (photoresist) film and developing is formed adhering to the surface and to a method for cleaning a drying treatment and, after the substrate surface treatment, in particular the finely patterned resist film in a horizontal orientation maintenance and relates to a rotary drying treatment method of drying a substrate surface by rotation about the vertical axis and the rotary drying apparatus used for carrying out the method.

근년, 반도체 장치는 점점 고집적화에 대응하는 경향이 있다. In recent years, a semiconductor device tends to correspond to the more and more highly integrated.이 반도체 장치는 포토리소그래피를 이용하여 제조되는 것이다. This semiconductor device is produced by using a photolithography.포토레지스트액과 노광기 등의 분야에 있어서, 기술의 진보에 의해 상기 고집적화에 대응한 레지스트패턴의 미세화가 가능하게 되었다. In the field, such as a photoresist liquid and the exposure device, by the progress of technology to achieve a finer resist pattern corresponding to the degree of integration it has become possible.레지스트패턴이 미세화되어도 도포에 의해 형성된 포토레지스트막의 두께는 어느정도(1.0㎛)이상으로는 얇게 할 수가 없다. The photoresist film thickness even when the resist pattern formed by the coating is finely divided to some extent (1.0㎛) over a can not be reduced.따라서, 이 경우 레지스트 패턴의 애스펙트비(레지스트막두께/레지스트패턴의 선폭)가 높게 되는 경향이 있다. In this case, therefore, there is a tendency that aspect ratio of the resist pattern (resist film having a thickness of a line width / resist pattern) to be high.

애스펙트비는 보통의 레지스트패턴에는 1.5∼3정도이다. The aspect ratio is usually 1.5 to 3 of the resist pattern, the degree.상기 고집적화에 의해 애스펙트비가 5∼10처럼 높게 되면 기판을 현상처리하고 순수 등으로 세정(린스)처리한 후에 기판을 건조처리하는 과정에서 레지스트 패턴의 도괴현상이 일어나는 것이 알려져 있다. If highly integrated by the aspect ratio is 5 to 10, as a high and developing the substrate, it is known that the collapse phenomenon of the resist pattern that occurs in the process of drying treatment of the substrate after washing (rinsing) treatment with pure water or the like.이 모양을 제1도에 모식적으로 나타낸다. Indicates that the shape in the schematic in Figure 1.제1도를 참조하여 기판(1)상에 형성된 레지스트패턴(2)이 순수 등의 린스액(3)으로 세정되는 것이다. The resist pattern 2 formed on the substrate 1 with reference to Figure 1 is that the cleaned with rinsing liquid 3 such as pure water.기판표면의 건조가 진행해 가면 인접하는 레지스트패턴(2)이 서로 바짝 달라붙도록 되어 도괴한다. A resist pattern (2) for drying the mask adjacent the surface of the substrate proceed and this collapse is to adhere closely to each other.

이 레지스트 패턴의 도괴의 발생원인에 대해서는 1993년 3월 29일 발행(발행소 : (주)응용물리학회)의 「1993년 (평성 5년) 춘계 제40회 응용물리학 관계연합강연회 강연 예고집 제2분책」의 제509페이지에 「현상공정에서 발생하는 레지스트패턴 도괴의 검토」 및 「고애스펙트비 레지스트 패턴의 도괴기구」의 각 연제에서의 보고가 있다. Issued March 29, 1993 for the cause of the collapse of the resist pattern: "1993 (Heisei 5 years) Proceedings 40th Applied Physics relations Union lecture lecture notice house (publishing office Ltd. and Applied Physics Society), second it is reported in each of the flame retardants of the "phenomenon review of the resist pattern collapse that occurs in step" or the "collapse mechanism of high aspect ratio resist pattern" on the page 509 of the fascicle. "그것들은 레지스트패턴 도괴의 원인은 린스액의 표면장력이라고 하고 있다. They are said to be the cause of the resist pattern collapse is the surface tension of the rinsing liquid.그 기재에 의하면 현상·린스 처리 직후의 기판표면이 충분히 젖은 상태에서는 레지스트패턴의 도괴는 일어나지 않는다. According to the base material and the substrate surface immediately after the developing, rinsing treatment sufficiently wet-collapse of the resist pattern it does not occur.그러나, 린스액의 액면이 레지스트패턴의 상단면에 도달하고 나서 린스액이 완전히 증발하기 까지의 사이에 레지스트 패턴사이에 잔류한 린스액의 표면장력에 의해 인접하는 레지스트패턴끼리 서로 끌어 당겨 합쳐지도록 변형하여 레지스트 패턴의 도괴현상이 발생한다. However, deformation of the rinsing liquid the liquid level so as to reach the top surface of the resist pattern, and then rinsed by pulling fluid drag to each other, the resist pattern adjacent by the surface tension of the rinse liquid remaining between the resist pattern to the interval up to complete evaporation of combined this phenomenon occurs to collapse of the resist pattern.

상술한 바와 같은 기판의 건조처리시에 있어서, 레지스트패턴의 도괴현상을 방지하는 것에는 여러가지 방법이 생각된다. At the time of the drying treatment of the substrate as described above, to preventing the collapse phenomenon of the resist pattern it is considered a variety of ways.예를들면 표면장력이 낮은 린스액을 선정하거나 또는 새롭게 개발하면 좋다. For example, the surface tension of the rinsing liquid should be selected for low or newly developed.혹은 린스액과 포토레지스트의 조합을 선정하고, 레지스트 표면에 대한 린스액의 접촉각을 가능한 180°에 근접하여 린스액의 표면장력에 의해 인접 레지스트 패턴간에 작용하는 끌어당기는 힘을 작게하는 것이 생각된다. Or selection of a combination of a rinsing solution and the photoresist, and, close to the contact angle of the rinsing liquid on the resist surface on the available 180 ° and is thought to reduce the pulling force acting between rinsing the resist pattern adjacent by the surface tension of the liquid.

그런데 그와 같은 방법은 고애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴현상을 완전히 방지하는 것은 어렵다. However, the same way that it is difficult to completely prevent the collapse phenomenon of the resist pattern with a high aspect ratio.그위에 사용하는 포토레지스트와 린스액의 종류에 제약이 생기고, 감광성과 세정성 등의 특성에 대해서 소망의 품종을 사용할 수 없는 경우가 생긴다. That occurs a restriction on the types of the photoresist and rinsing liquid used above, there is a case with respect to properties such as photosensitivity and cleaning property are not available varieties desired.한편, 장치적인 개량에 의해 상기 레지스트 패턴 도괴현상을 방지하는 것은 종래에는 전혀 생각되지 않았다. On the other hand, to prevent the resist pattern collapse phenomenon by an apparatus of improving not been thought at all conventionally.

그러므로, 본 발명의 목적은 사용하는 약품 등에 제약을 받지 않고 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴의 발생을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다. It is therefore an object of the present invention is to provide a processing method and apparatus of the substrate which can prevent the occurrence of collapse of the resist pattern and without the independent and the like using drugs aspect ratio.

본 발명의 다른 목적은 사용하는 약품 등에 제약을 받지 않고 장치적인 개량에 의해 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴의 발생을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a processing method of a substrate that can be high by the device of improved without being constrained to use such drugs to prevent the occurrence of collapse of the resist pattern of the aspect ratio and device.

본 발명의 또 다른 목적은 세정액의 표면장력에 의한 악영향을 방지하는 것으로, 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴의 발생을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 장치를 제공하는 것이다. A further object of the present invention is to prevent the adverse influence of the surface tension of the cleaning liquid, and to provide a processing method of a substrate which can prevent the occurrence of collapse of the resist pattern of the aspect ratio and device.

본 발명에 관련된 기판의 처리방법은 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후에 세정액을 기판의 표면에 공급하는 것에 의해 기판을 세정하는 스텝과, 그후에 기판을 수평면내에서 수직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판의 표면을 건조시키는 스텝에 있어서 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정된다. Treatment of the substrate according to the present invention rotates the step, thereafter the substrate to clean the substrate by supplying a step and, subsequently washing liquid for developing the substrate film is a photosensitive resin formed on the surface to the surface of the substrate around the vertical axis in a horizontal plane and by a step of drying the surface of the substrate, the atmosphere is adjusted to a pressure of less than atmospheric pressure, the substrate is placed at the step of drying the surface of the substrate.

본 발명의 다른 국면에 의하면 기판의 처리장치는 밀폐가능한 처리실과, 처리실내에 배치되고 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지장치와, 이 기판유지장치에 의해 유지된 현상처리후의 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급장치를 포함한다. According to another aspect of the present invention of a substrate processing apparatus to the substrate holding device holding the substrate disposed is formed in the surface film is a photosensitive resin in a sealable processing chamber and the treatment chamber in the horizontal position for rotation about the vertical axis, the holding of the substrate unit a developing cleaning liquid to the substrate after the treatment by maintaining comprises a cleaning liquid supply device that supplies.장치는 더우기 처리실내를 감압하기 위한 감압장치와, 기판 유지장치에 의해 기판을 수평면 내서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 감압장치를 제어하기 위한 제어장치를 포함한다. Apparatus Moreover the reduced pressure device for evacuating the treatment chamber, take the horizontal surface of the substrate by the substrate holding device is rotated around the vertical axis for controlling the pressure reducing device in the process of drying the surface of the substrate on which the treatment chamber to a value lower than the normal atmospheric pressure and a control device.

본원에 있어서 「대기압」은 본 발명은 실시하는 장치가 설치된 실내의 기압을 말한다. In the present application, "ambient pressure" is the present invention refers to a pressure of the indoor unit is installed to perform.

본원발명에 의하면 적어도 기판표면을 건조(스핀드라이)시키는 과정에서 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정된다. According to the present invention the atmosphere of the substrate placed in the process of drying at least the surface of the substrate (dry spin) is adjusted to a value lower than the normal atmospheric pressure.여기서 분위기의 압력여하에 따라 제2도에 나타낸 바와 같이, 고체면(5)상에 놓여진 린스액, 예를들면 순수의 형태가 변화한다. As it described herein according to any of the atmospheric pressure as shown in FIG. 2, the rinse liquid, placed on a solid surface (5) for example, a pure form of change.즉, 분위기가 감압상태에 있을 때는 제2도(a)에 나타낸 바와 같이, 순수의 액체물방울(4a)은 거의 구형으로 된다. That is, when the atmosphere is in a reduced pressure condition of claim 2, as shown in Fig. (A), the liquid droplets (4a) of the pure water is a nearly spherical.분위기가 대기압하에 있을 때는 제2도(b)에 나타낸 바와 같이, 순수의 액체물방울(4b)은 반구상으로 된다. When the atmosphere is under atmospheric pressure of claim 2, the liquid droplets (4b) of the pure water as shown in (b) is a semi-spherical.분위기가 양압상태에 있을 때는 제2도(c)에 나타낸 바와 같이, 현상액의 액체물방울(4c)은 접시 형상으로 된다. When the atmosphere is in the positive pressure condition of claim 2, the liquid droplets (4c) of the developer, as shown in (c) is a plate shape.이와 같이 분위기의 압력이 변화는 것에 의해 순수와 고체면과의 접촉면적이 변화하고, 고체면에 대한 순수의 접촉각이 변화한다. Thus, the atmospheric pressure is changed is a net and the contact area between the solid surface by change, and the contact angle of pure water changes to a solid surface.따라서, 건조과정에 있어서 표면이 순수로 적셔진 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정되면 기판표면에 피착형성된 감광성수지(포토레지스트)막에 순수의 접촉각이 크게 된다. Therefore, when the surface of the substrate is placed atmosphere wetted with pure water to adjust the pressure lower than the atmospheric pressure is the contact angle of pure water becomes large in the photosensitive resin (photoresist) deposited film formed on the surface of the substrate in the drying process.이 때문에 순수의 표면장력에 의해 생기는 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어 당겨합치는 힘이 작게되기 때문에 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상이 방지된다. Therefore, the collapse phenomenon of the high aspect ratio of the resist pattern because the attracted to each other between the adjacent resist patterns caused by the surface tension of pure water is consistent force is small can be prevented.

본 발명의 또 다른 국면에 의하면 기판의 처리방법은 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급하는 것에 의해 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판을 세정하는 스텝에 있어서, 소정의 가스가 용해된 세정액이 이용된다. According to a further aspect of the invention the treatment of the substrate is a step of developing the substrate film is formed of photosensitive resin on the surface, after which the step of, after which a substrate for cleaning a substrate by supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate in a horizontal plane in step including the step of rotating around the vertical drying the surface of the substrate, cleaning the substrate, the predetermined dissolved gas washing liquid is used.

이 경우 바람직하게는 기판표면을 건조시키는 스텝에서 기판표면에 공급된 세정액 중의 가스는 과포화상태로 된다. In this case, preferably the gas in the cleaning liquid supplied to the substrate surface in the step of drying the substrate surface is in a supersaturated state.

본 발명의 추가의 국면에 의하면 기판의 처리장치는 밀폐가능한 처리실과, 처리실 내에 배치되고 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지장치와, 이 기판유지장치에 의해 유지된 현상 처리후의 기판에 세정액을 공급하기 위한 세정액공급장치와, 세정액 공급장치에 의해 공급된 세정액에 가스를 용해시키기 위한 장치와, 기판을 세정하는 과정의 최종단계 혹은 최후에 가까운 단계에 있어서, 세정액 공급장치에 의해 공급된 세정액에 가스가 용해되도록 가스용해장치를 제어하기 위한 제어장치를 포함한다. Processing apparatus for a substrate according to a further aspect of the present invention to a substrate holding device holding the substrate disposed is formed in the surface film is a photosensitive resin in a sealable processing chamber and the treatment chamber in the horizontal position for rotation about the vertical axis, the holding of the substrate unit in and the developer liquid supply device for supplying a cleaning liquid to the substrate after the processing carried by, the device, and a step closer to the final stage or the end of the process of cleaning a substrate for dissolving the gas in the cleaning liquid supplied by the cleaning liquid deliver device , so that gas is dissolved in the cleaning liquid supplied by the cleaning liquid deliver device and a control device for controlling the gas dissolution apparatus.

바람직한 기판의 처리장치는 처리실내를 감압하기 위한 감압장치를 더 포함하고, 제어장치가 기판을 건조시키는 과정에 있어서, 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 감압장치를 제어한다. Processing apparatus of the preferred substrate according to the process of further comprising: a decompression device for decompressing the processing chamber, and the control device is a dry substrate, and controls a pressure reducing device such that the treatment chamber to a lower pressure than the atmospheric pressure.

상술한 구성의 기판처리 방법에 의하면 기판의 세정처리후 기판의 건조처리(스핀드라이)를 개시하려고 하는 시점에 있어서, 기판의 표면은 질소, 탄소가스 등의 가스가 용해된 순수 등의 세정액으로 적셔진 상태에 있다. According to the substrate processing method of the above-described configuration according to the time when about to start the drying process of the substrates (spin dry) after the cleaning process of the substrate, the surface of the substrate is wetted with the cleaning liquid in the pure water the gas is dissolved, such as nitrogen, carbon gas in the binary state.이 상태에서 기판의 회전동작에 수반하여 기판표면에서 세정액이 비산·증발하여 가는 과정에서 세정액 중에 용해된 가스가 기포로 되어 액면방향으로 부상하고 액면에서 기체를 빼낸다. In the process of the cleaning liquid is scattered, evaporation from the substrate surface along with the rotation of the substrate in this state, the gas dissolved in the cleaning liquid is emerged as air bubbles in the liquid level direction and withdraw the gas from the liquid surface.이 때에 인접하는 레지스트패턴(제1도 참조)간의 간격에 있어서도 기포의 부상이 생기고, 그 기포의 부력에 의해 레지스트 패턴의 기울어짐이 방지된다. At this time, also in the intervals between the adjacent resist patterns (see FIG. 1) occurs a portion of the bubbles, the inclination of a resist pattern is prevented by the buoyancy of the bubbles.또한 세정액 중에 용해되어 있던 가스가 레지스트패턴의 근방에서 기포로 되어 발생하는 것에 의해 기판 표면에 피착형성된 감광성수지(포토레지스트)막에 대한 세정액의 접촉각이 크게된다. In addition, the contact angle of the cleaning liquid for a photosensitive resin (photoresist) deposited film formed on the substrate surface by a gas which has been dissolved in the cleaning liquid is a bubble generated in the vicinity of the resist pattern becomes larger.이 때문에 세정액의 표면장력에 의해 생기는 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어당겨 합치는 힘이 작게된다. Therefore, consistent with each other by pulling the adjacent resist pattern caused by the surface tension of the cleaning liquid drag each other is smaller force.이 작용에 의해 고 애스펙트비의 레지스트패턴의 도괴현상이 방지된다. The collapse phenomenon of the resist pattern with a high aspect ratio can be prevented by this operation.

또한 세정액 중의 가스를 포화상태로 한 때에는 기포의 발생이 촉진되고 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상이 보다 확실하게 방지된다. In addition, when the gas in the cleaning liquid in a saturated state where the generation of the bubbles is accelerated, and the developing and prevent the collapse of the resist pattern of the aspect ratio to more reliably.

그리고, 상술한 구성의 기판처리장치에서는 세정액 공급수단에 의해 기판에 공급되는 세정액 중에 가스용해수단에 의해 가스를 용해시킬 수 있기 때문에 이 장치를 사용하면 상기 기판처리방법을 실시하여 상기 작용이 효과가 있다. Then, in the apparatus of the above configuration, when using the device the working to carry out the substrate processing method of this effect it is possible to by means of a gas dissolution device in the cleaning liquid supplied to the substrate by a cleaning liquid supply means to dissolve the gas have.

또한 처리실내를 감압하는 감압장치를 설치하고, 이 감압장치를 제어장치로 제어하여 기판표면을 건조시키는 과정에서 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 하면 상술한 대로 레지스트패턴의 도괴현상의 방지효과가 보다 크게 된다. In addition, if the effect of preventing the collapse phenomenon of the resist pattern as described above via pressure reducing device for reducing the pressure treatment chamber and, in the process of drying the surface of the substrate by controlling the pressure reducing device to the control device the treatment chamber to a value lower than the normal atmospheric pressure more greatly.

[실시예] EXAMPLES

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. It will be described below with reference to the drawings a preferred embodiment of the present invention.

제3도는 본 발명의 제1실시예에 관한 기판의 회전식 건조처리방법을 실시하기 위해 사용되는 장치의 구성의 일예를 나타내는 개략 종단면도이다. 3 is turning a schematic longitudinal sectional view showing an example of the configuration of the apparatus used for carrying out the rotary drying treatment method of the substrate according to the first embodiment of the present invention.본 장치는 현상, 세정 및 건조의 각 처리를 연속하여 행하는 것이고, 밀폐가능한 상자형의 처리실(12)을 구비한다. The device will perform in succession a developer, cleaning and drying of each of the processing, includes a processing chamber 12 of the box-sealable.이 처리실(12)의 내부의 중앙부에 기판, 예를들면 반도체 웨이퍼(10)를 흡착하고 수평자세로 유지하는 스핀척(14)이 배열설치되어 있다. Within the central part of the treatment chamber 12, for the substrate, for example, has a spin chuck (14) to adsorb the semiconductor wafer 10 is held in the horizontal posture is disposed array.

스핀척(14)의 저면중앙부에는 회전축(16)이 연이어 접속되어 있다. A bottom central portion of the spin chuck 14 is connected one after another the rotational axis (16).회전축(16)은 처리실(12)의 저벽부에 고정 설치된 축받침(18)에 회전자유롭게 지지되어 있다. The rotary shaft 16 is rotatably supported on the shaft bushing (18) fixed to the bottom wall of the treatment chamber (12).그리고 회전축(16)의 하단부는 처리실(12)의 저벽부를 관통하여 처리실(12)외부에 설치된 모타(20)에 연결되어 있다. And the lower end of the rotary shaft 16 is connected to the motor 20 through the bottom wall portion of the processing chamber 12 is provided outside the processing chamber (12).모터(20)를 회전구동시키는 것에 의해 스핀척(14)에 흡착 유지된 웨이퍼(10)가 수평면 내에서 연직축 주위로 회전한다. The wafer 10 is sucked and held by the spin chuck 14 by rotating the driving motor 20 rotates in a horizontal plane around a vertical axis.회전축(16)의 축심부에는 통기로(22)가 형성 설치되고, 통기로(22)는 배관을 통하여 진공펌프(24)에 연통 접속되어 있다. The axial depth of the rotary shaft 16 is provided to form the air passage 22, the vent path 22 is communicatively connected to a vacuum pump 24 through a pipe.통기로(22) 및 진공펌프(24)가 감압장치로서 동작한다. The vent path 22 and the vacuum pump 24 operates as a pressure-reducing device.

처리실(12)의 내부상방에는 스핀척(14)에 대향하도록 현상액 공급노즐(26) 및 순수공급 노즐(28)이 배열설치되어 있다. The processing chamber 12 inside the upper nozzle has a developing solution supply nozzle 26 and the pure water supply so as to be opposed to the spin chuck 14 of the 28 are provided arranged.처리실(12)내에 크린에어를 공급하는 에어공급노즐(30)도 거기에 배열설치되어 있다. Chamber air supply nozzle 30 for supplying clean air in 12 has also been installed in the arrangement there.

처리실(12)의 내부에는 스핀척(14) 및 회전축(16)의 주위를 둘러쌈과 동시에 처리실(12)의 저벽부의 회전축(16) 관통장소를 덮도록 통상을 이루고 하단부가 삿갓모양으로 펼쳐진 차단통(32)이 배열설치되어 있다. Chamber blocking the lower end portion forms a normal to the interior of the (12) to cover the bottom wall parts of the rotary shaft 16 through a place at the same time chamber 12 and surrounding the periphery of the spin chuck 14 and the rotary shaft 16 extending in an umbrella shape barrel is 32 is arranged for installation.

처리실(12)의 저벽부의 차단통으로 덮어진 영역에 배출구(34)가 형성되어 있다. Chamber there is a discharge port 34 are formed in the binary area covering the bottom wall portion of the trough block (12).배출구(34)는 현상액공급노즐(26)과 순수공급노즐(28)에서 웨이퍼(10)상에서 공급되는 웨이퍼(10) 상으로 흘러떨어진 현상액과 세정액(순수)을 회수하기 위한 것이다. Outlet 34 is for recovering the developing solution supply nozzle 26 and the pure water supply nozzle 28, the wafer 10 onto the developing solution and washing liquid to flow away from the (pure) supplied on the wafer 10 at.이 배출구(34)는 드레인 파이프(36)를 통하여 트랩(38)에 연통되어 있다. The outlet 34 is in communication with trap 38 via a drain pipe 36.트랩(38)은 전후 2단의 분실(38a,38b)로 구분되어 있다. Trap 38 is separated by a loss (38a, 38b) before and after the second stage.후단의 분실(38b)에 진공펌프(40)가 연통접속되어 있다. It has a vacuum pump 40 to the lost (38b) of the rear end is communicatively connected.진공펌프(40)의 흡인동작에 의해 트랩(38) 및 드레인 파이프(36)를 통하여 처리실(12)내를 감압할 수 있다. It may be a reduced pressure within the treatment chamber 12 through the trap 38 and the drain pipe 36 by the suction operation of the vacuum pump 40.

스핀척(14)을 좁혀 서로 대향하는 처리실(12)의 양측벽부에는 밀폐구조의 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)가 각각 형성되어 있다. Both side wall portions of the narrow spin chuck 14, the processing chamber (12) facing each other has a wafer transfer of the closed structure 42 and wafer out 44 is formed.이 웨이퍼 반입로(42)와 처리실(12)내를 연통시키는 개구(46) 및 웨이퍼 반입로(42)가 외계로 통하는 개구(48)는 각각 밀폐문(50,52)에 의해 개폐자유롭게 폐지되어 있다. With the wafer transfer 42 and the processing chamber 12, the opening 46 and the wafer transfer to 42 with an opening 48 leading to the outside world to communicate with the inside is now obsolete and freely opened and closed by a respective hermetically sealed door (50 and 52) have.

오히려 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)는 밸브(64)가 끼워 설치된 파이프(62)를 통하여 도시되지 않은 질소가스의 공급원에 접속되어 있다. Rather, a wafer transfer 42 and wafer out furnace 44 is connected to a supply source of a not-shown nitrogen gas through the pipe 62. The valve 64 is installed into.컴퓨터 등으로 이루어진 제어장치(66)에 의해 밸브(64)를 제어하여 개폐하는 것에 의해 필요에 응하여 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)로 질소가스를 공급할 수 있다. In response to need by switching to the control valve 64 by the control device 66 consisting of a computer such as can supply the nitrogen gas to a wafer transfer 42 and wafer out to 44.

제어장치(66)는 스핀척(14)을 회전시키는 모타(20)의 구동 및 정지제어, 진공펌프(24)의 구동제어, 현상액 공급노즐(26)에 현상액을 공급하는 펌프(68)의 구동제어, 순수공급노즐(28)에 순수를 공급하는 펌프(70)의 구동제어, 에어공급노즐(30)에 에어공급파이프(72)를 통하여 크린에어를 공급하는 풍량 가변형 팬(74)의 구동제어 및 에어공급파이프(72)에 끼워 설치된 밸브(76)의 개폐제어, 진공펌프(40)의 구동제어 및 드레인 파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)의 개폐제어 그리고 각 밀폐문(50,52,58,60)의 개폐제어 등도 행하도록 구성되어 있다. Drive of the control device 66 is a spin chuck 14, the motor 20, pump 68, for driving and stopping control, supplying a developing solution to the drive control, the developing solution supply nozzle 26 of the vacuum pump 24 for rotating the control, drive control of the pump 70, the drive control, the air supply nozzle air supply pipe air flow modulation fan 74 for supplying clean air through a 72 to 30 for supplying a pure water to the pure water supply nozzle 28 and an air supply pipe 72 into opening and closing control of the installed valve 76 opening and closing control valve 78 is installed into the drive control and the drain pipe 36 of the vacuum pump 40 and each of the closed door to the (50 and 52 and it is configured to also control opening and closing of 58,60).

다음에 상술한 장치를 사용하여 현상, 세정 및 건조의 각처리를 연속하여 행하는 방법의 일예에 대해서 제4도에 표시한 플로워챠트 및 제5도에 처리실(12)내의 압력변화를 나타낸 타임챠트에 기초하여 설명한다. A time chart showing a pressure change in the fourth diagram follower chart and 5 also show in respect to the following example of a method performed by using the above-described apparatus continuously developing, cleaning, and each of the processes of drying in the treating chamber (12) It will be described with reference.

우선, 웨이퍼반입로(42)의 각 밀폐문(50,52)을 개방한다. First, open the respective sealing door 50 and 52 to the wafer transfer 42.표면에 포토레지스트막이 피착형성되고, 노광작업을 마친 웨이퍼를 도시하지 않은 웨이퍼 반입장치에 의해 웨이퍼반입로(42)를 통하여 처리실(12)내로 반입한다. And a photoresist film is formed on the deposition surface will be conveyed into the treatment chamber 12 through the 42 to carry a wafer by a wafer (not shown) for finishing the exposed wafer fetch operation device.그 웨이퍼(1)를 스핀척(14)상에 주요면을 상향하여 수평자세로 흡착유지시킨다. Up to the main surface of the wafer 1 on the spin chuck 14 is thereby sucked and held in a horizontal posture.그후에 웨이퍼반입로(42)의 각 밀폐문(50,52)을 닫고 처리실(12)내를 밀폐 상태로 한다(제5도 to참조) After which the door closed within each treatment chamber (12) to close the 50 and 52 to the wafer transfer 42 in a closed state (refer to FIG. 5)

모타(20)를 구동시켜 스핀척(14)을, 예를들면 50∼100rpm 정도의 속도로 저속회전시키고 스핀척(14)에 흡착유지된 웨이퍼(10)를 수평면내에서 연직축 주위로 회전시킨다. The motor 20, the spin chuck 14 to drive the, for example, the wafer 10 is low-speed rotation and suction by the spin chuck 14 at a rate of 50~100rpm approximately in a horizontal plane and rotates around a vertical axis.오히려, 이 웨이퍼(10)의 회전개시는 다음에 설명하는 현상액 공급후에 행하도록 해도 좋다. Rather, it may be the start of the rotation of the wafer 10 is to be performed after the developing solution supplied as described below.또, 필요가 없으면 웨이퍼(10)를 정지시킨 상태로 있어도 좋다. In addition, if there is no need to stop it may be in a state in which the wafer 10.

제5도 t 1 시점에 있어서 펌프(68)를 구동시켜 현상액공급노즐(26)에서 현상액을 웨이퍼(10)표면의 포토레지스트 막상에 공급한다. FIG. 5 drives the pump 68 according to the time t 1 and supplies the developer from the developer supply nozzle 26 to the wafer 10, the surface of the photoresist film.소요량의 현상액이 포토레지스트막상에 공급되면 현상액의 공급을 정지한다. When the developer solution is applied to the film of photoresist requirement to stop the supply of the developing solution.그리고 경우에 따라 웨이퍼(10)의 회전을 정지시키고 계속 t 2 시점 까지의 소요시간 포토레지스트막의 현상처리를 행한다. And in some cases to stop the rotation of the wafer 10 is carried out the amount of time and developing the photoresist film until the point in time t 2.현상처리가 완료하면 t 2 시점(제5도)에 있어서 펌프(70)를 구동시켜 순수공급노즐(28)에서 순수를 웨이퍼(10)상에 공급하면서 모타(20)를 구동시켜 웨이퍼(10)를 예를들면 약 1,000rpm으로 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(10)를 세정(린스처리)한다. While the developing process is completed when drives the pump 70 according to t 2 time (FIG. 5) supplies the pure water from the pure water supply nozzle 28 onto the wafer 10 by driving the motor 20, the wafer 10 for for example, the wafer 10 is washed (rinsing process) by rotating about 1,000rpm.그리고 t 3 시점에 있어서, 드레인 파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)을 열고 트랩(28)의 후단의 분실(38b)에 연통 접속된 진공펌프(40)를 작동시키며 처리실(12)내를 감압상태로 한다. And according to t 3 time, open the valve 78 is installed into the drain pipe (36) activates the vacuum pump 40 is connected in communication with the lost (38b) of the rear end of the trap 28, the treatment chamber 12 and a reduced pressure state.

t 5 시점에서 모타(20)를 정지시키고 건조처리를 완료한다. at t 5 the time to stop the motor 20 and to complete the drying process.그것과 동시에 진공펌프(40)를 정지시킨다. At the same time it stops the vacuum pump 40.밸브(76)를 열어 팬(74)을 구동시키고, 에어공급파이프(72)를 통하여 에어공급노즐(30)에 크린에어를 공급한다. And opening the valve 76 driving the fan 74 and the air supply pipe 72 to the clean air supplied to the air supply nozzle 30 through.에어공급노즐(30)에서 처리실(12)내로 크린에어(혹은 질소가스 등의 불활성가스)를 유입시키고 처리실(12)내를 대기압으로 되돌린다. Introducing the clean air (or inert gas such as nitrogen gas) into the processing chamber 12 from the air supply nozzle 30 and returns the treatment chamber 12 to atmospheric pressure.

그리고 웨이퍼반출로(44)의 각 밀폐문(58,60)을 개방한다. And to open the respective sealing door (58,60) of a wafer taken out (44).표면에 현상을 끝낸 포토레지스트막이 피착형성된 웨이퍼(10)를 도시하지 않은 웨이퍼 반출장치에 의해 웨이퍼 반출로(44)를 통하여 처리실(12) 외부로 반출한다(t 6 시점). And finishing the developed photoresist film is formed on the surface out to the outside processing chamber 12 through the 44, the wafer taken out by the deposit formed wafer 10 is a wafer (not shown) cutting-out device (6 t time).그후에 웨이퍼반출로(44)의 각 밀폐문(58,60)을 닫는다. After that close the respective hermetically sealed door (58,60) of a wafer taken out (44).이와 같이 하여 현상, 세정 및 건조의 각 처리가 완료한 웨이퍼가 처리실(12)에서 반출된다. In this way, a developer, and cleaning each wafer process is completed is taken out from the drying chamber (12).

다음에 현상처리할 웨이퍼를 상술한 것처럼 처리실(12)내로 반입하고 상술한 동작을 다시 반복한다. Is as described above for developing the wafer to be processed next conveyed into the chamber 12 and repeat the above operation.이상의 일련의 동작은 프로그램 시퀀스에 따라 자동적으로 행해진다. A series of operations above are carried out automatically according to the program sequence.

이상과 같이 웨이퍼(10)를 건조처리하는 과정에서 처리실(12)내가 감압상태로 되는 것에 의해 웨이퍼(10) 표면에 피착형성된 포토레지스트막에 대한 순수의 접촉각이 크게된다. The contact angle of pure water becomes large for the photoresist film formed on the deposition surface of wafer 10, by which the wafer 10 as described above to a drying treatment chamber (12) I reduced pressure in the process.이 때문에 포토레지스트막상의 순수의 표면장력에 의해 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어당겨 합치는 힘이 작게된다. Because of this conformity pull the resist pattern between adjacent due to the surface tension of pure water film photoresist to each other is smaller force.그 결과 고 아스팩스비의 레지스트패턴의 도괴현상이 방지된다. As a result, and the collapse phenomenon of the resist pattern of the AAS fax ratio it is prevented.

오히려, 처리실(12)내를 감압하는 과정에 있어서 밸브(64)를 열고 파이프(62)를 통하여 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)에 질소가스(혹은 그외의 불활성가스)를 공급하고, 웨이퍼반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)에 불활성가스를 충만시키도록 해도 좋다. Rather, the processing chamber 12 to open the valve 64 in the process of reducing the pressure within the nitrogen with a wafer transfer via the pipe 62, 42 and wafer out (44) the gas (or other inert gas) supply and it may be to fill the inert gas to a wafer transfer 42 and wafer out to 44.이와 같이 하는 것에 의해 웨이퍼 반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)를 통하여 처리실(12)내에 외기가 유입하는 것을 완전히 방지할 수 있다. By this way it is possible to completely prevent the outside air is introduced into the processing chamber 12 through the 42 and 44 on the wafer to carry out the wafer.오히려, 불활성가스를 충진하는 대신에 웨이퍼반입로(42) 및 웨이퍼반출로(44)도 동시에 감압시키도록 해도 좋다. Rather, it may be a wafer transfer rather than filling an inert gas (42) and wafer out to 44 to even a reduced pressure at the same time.

제6도 및 제7도에 각각 나타낸 바와 같이, 현상처리의 과정에서 처리실(12)내를 대기압보다 높은 압력으로 조정하고, 건조처리의 과정에서 상술한 것처럼 처리실(12)내를 감압상태로 하도록 해도 좋다. Sixth As shown and indicated respectively in the seventh degree, in the course of the developing chamber 12 within the adjustment at a pressure greater than atmospheric pressure, and to the treatment chamber (12) as described above in the course of the drying process in a reduced pressure state It may be.즉, 이 변형예에는 처리실(12)내에 웨이퍼(1)가 반입되고 스핀척(14) 상에 흡착유지되며, 웨이퍼 반입로(42)의 각 밀폐문(50,52)이 닫혀지고, 처리실(12)내가 밀폐 상태로 된다(제6도 및 제7도 t 0 시점). That is, in this modified example, the wafer 1 in the processing chamber 12 is being fetched is sucked and held on the spin chuck 14, are each hermetically sealed door 50 and 52 to the wafer transfer 42 is closed, the treating chamber ( 12) I is in a closed state (Figure 6 and 7 the time t 0).밸브(76)를 연 상태에서 팬(74)을 구동시키는 것에 의해 에어공급밸브(72)를 통하여 에어공급노즐(30)에 크린에어를 보내고, 에어공급노즐(30)에서 처리실(12)내에 크린에어를 보낸다. Clean the processing chamber 12 at the air supply nozzle 30 through the air supply valve 72 by driving the fan 74, the valve 76 is open, having a clean air, the air supply nozzle 30 It sends the air.이때에 드레인 파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)를 닫아놓도록 한다. At this time, to the closed position the valve 78 is installed into the drain pipe 36.

이와 같이하여 완전히 밀폐된 상태의 처리실(12)내에 크린에어가 공급되는 것에 의해 처리실(12)내는 대기압보다 높은 압력, 예를들면 0.5kg/㎠ 정도의 높은 압력(양압)으로 된다. In this way, a completely closed state of the treatment chamber 12 is higher than the atmospheric pressure that the clean air chamber 12 by the pressure supplied in, for example, at a pressure (positive pressure) of about 0.5kg / ㎠.이 상태에서 t 1 시점에 있어서 상기와 같은 조작을 행하여 t 2 시점까지 포토레지스트막의 현상처리를 행한다. In this state, by performing the same operation as the time t 2 according to the time t 1 is carried out and developing the photoresist film.

현상처리가 완료하면 t 2 시점에 있어서 팬(74)은 정지시키고 처리실(12) 내에의 크린에어공급을 중지한다. When a development process is complete, the fan 74 according to time point t 2 is stopped and stopping the supply of clean air into the treatment chamber (12).이것과 함께 드레인파이프(36)에 끼워 설치된 밸브(78)를 열고 처리실(12)내를 대기압상태로 복귀시킨다. Opening the valve 78 is installed into the drain pipe 36 along with it and returns the treatment chamber 12 to the atmospheric pressure.이후는 상기와 같은 조작을 행하여 웨이퍼(1)를 세정 및 건조처리한다. After cleaning and drying process is a wafer (1) by performing the operation as described above.

이와 같이 현상처리시에 처리실(12)내를 양압상태로 하는 것에 의해 현상액에 대한 포토레지스트막면의 적셔지는 성질이 양호하게 된다. By the in this way the processing chamber 12 at the time of development processing into a positive pressure state is good wet properties of the photoresist film surface which is on the developing solution.포토레지스트막상에 공급된 현상액이 포토레지스막면과 잘 융합하기 쉽게 되고 포토레지스트막의 액탄성이 없게 된다. The photo resist film is supplied to the developing solution is easy to well fused with the photoresist film surface is not a liquid photoresist film elastic.이 결과 포토레지스막면의 전체에 걸쳐서 현상액이 펼쳐지기 쉽게 된다. The results of the photoresist over the entire membrane surface is easy to become a developer is expanded.포토레지스트막상에 공급된 현상액의 양이 비교적 적어도 포토레지스트막의 전체면을 덮도록 현상액이 넘치게 된다. The amount of the developer supplied to the developing solution film photoresist is flooded so as to cover the entire surface of the photoresist film, at least relatively.

이상과 같이 본 실시예에 의하면 약액의 선정과 개발 등의 방법은 아니고 장치적인 개량에 의해 고애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상을 방지할 수 있다. According to the present embodiment as described above methods, such as selection and development of chemical liquid is not possible to prevent the collapse phenomenon of the resist pattern with a high aspect ratio by the unit of improvement.또한 본 실시예의 회전식 건조처리장치를 사용하면 상기 방법을 바람직하게 실시하여 상기효과를 달성할 수 있다. Also using the example rotary drying processing apparatus of this embodiment to preferably carry out the method to achieve the above effect.

제8도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 기판처리방법을 실시하기 위해 사용되는 장치의 구성의 일예를 나타내는 개략종단면도이다. 8 is a schematic longitudinal sectional view showing the turning an example of the configuration of the apparatus used for carrying out the substrate processing method according to another embodiment of the present invention.제8도에 나타낸 장치는 제3도에 나타낸 장치와 거의 같지만 급수공급노즐(28)에 순수를 공급하는 순수공급파이프(80)에 순수중에, 질소, 탄소가스 등의 가스를 용해시키기 위한 가스용해부(82)가 끼워 설치되어 있는 점에서 상이하다. The apparatus shown in Fig. 8 is for a gas for dissolving a gas, such as claim in pure water for 3 Fig device with almost the same pure water supply pipe 80 for supplying a pure water to the water supply nozzle 28 shown in, nitrogen, carbon gas it is different in that the anatomy 82 is installed into.제8도와 제3도에 있어서, 같은 참조부호는 같은 요소를 나타낸다. According to claim 8 help FIG. 3, the same reference numerals represent the same elements.이것들의 기능도 명칭도 동일하다. It is these same features is also the name.따라서 이것에 대해서 상세는 여기서 반복하지 않는다. Therefore, for this detail is not repeated here.

가스용해부(82)로서 예를들면 물분자를 투과시키지 않고 기체분자만을 투과시키는 격막을 구비하고, 그 격막에서 떨어진 한쪽에 순수를 흘리고, 다른 한쪽에 가압된 가스, 예를들면 탄소가스를 공급하여 상기 격막을 통해서 탄소가스를 순수 중에 용해된 구성의 장치 혹은 밀폐용기내에 초음파 노즐을 통하여 순수를 분무함과 동시에 그 밀폐용기 내에 가스, 예를들면 탄소가스를 공급하여 순수 중에 탄소가스를 용해시키는 구성의 장치 등이 사용된다. For example having a diaphragm that does not transmit water molecules transmit only the gas molecules, and spilling the pure away one from the diaphragm, the pressurized gas in the other side, for example, supplying the carbon gas as a gas dissected 82 for and through the diaphragm and through the ultrasonic nozzle carbon gas into the structure of an apparatus or closed container dissolved in the purity spraying pure water at the same time, for a gas, for example, in that the closed container supplying the carbon gas to dissolve the carbon gas in pure water like configuration of the device is used.

또한, 이 실시예의 제어장치(66)(제8도 참조)는 제1실시예에 기술한 여러가지의 요소의 제어에 더해서 밸브(94)의 개폐의 제어도 행하는 것에 주의된다. In addition, this (see Fig. 8) embodiment the control device 66 is noted that in addition to the control of the elements of the various described in the first embodiment performs a control of opening and closing of the valve 94.

이 제2실시예의 장치도 제1실시예의 장치와 거의 같게 동작하기 때문에 그 상세는 여기서는 반복하지 않는다. The second embodiment of the device also are substantially the same operation as in the apparatus of the first embodiment and their details will not be repeated here.단 이 제2실시예의 장치에는 가스용해부(82)를 설치하는 것으로 제1실시예의 동작에 더해서 다음과 같은 동작을 행한다. However the second embodiment device, in addition to the first embodiment operates by providing a dissecting (82) for gas is carried out the following operations:

또한, 이하의 설명에 있어서 장치의 동작의 플로워챠트를 제10도에 나타낸다. In the following description shows the floor chart of operation of the apparatus of claim 10 degrees.제10도는 제4도의 플로워챠트와 거의 동일하지만 세정처리에 있어서 제4도에서와 같은 간단한 세정은 아니고 가스용해부(82)에 의해 가스가 용존하고 있는 순수를 사용하는 점이 다르다. Claim 10 degrees almost the same as in the fourth-degree follower chart but simple cleaning such as in FIG. 4 in the cleaning process is not different in that to use the pure gas, which is dissolved by the gas dissected 82 for.또한 제11도는 제5도에 상당한다. Also it corresponds to FIG. 5 degrees of claim 11.세정처리공정에 있어서 적어도 그 최종단계 혹은 최종에 가까운 단계에서 순수공급밸브(80)에 끼워 설치된 가스용해부(82)에 탄소가스봄베(84)에서 탄소가스를 공급하여 탄소가스가 포화상태 혹은 그것에 가까운 상태까지 용해시키므로 그 용해된 순수를 순수공급노즐(28)에서 웨이퍼(10)상에 공급하도록 한다. In the cleaning treatment step to at least a supply of carbon gas in the final step or purified water supply at a step closer to the final valve 80 carbon gas cylinder 84 to the installed dissected 82 for the gas into the carbon gas is saturated, or it dissolved to a state close to it because the supply on that the molten pure purified water supply nozzle 28, the wafer 10 at.예를들면 제11도를 참조하여 세정처리를 개시한 t 2 시점에서 세정처리를 완료시키는 t 7 시점까지의 전기간(T 1 ) 혹은 진공펌프(40)의 동작을 개시한 후의 t 4 시점에서 세정처리를 완료시키기 전의 t 8 시점까지의 기간(T 2 )(혹은 세정처리를 완료시키는 t 7 시점까지의 기간) 처리실(12)내가 대기압보다 낮은 압력으로 되어 시작한 t 5 시점에서 세정처리를 완료시키기전의 t 8 시점까지의 기간(T 3 )(혹은 세정처리를 완료시키는 t 7 시점까지의 기간), 또는 세정처리를 완료시키기 조금전의 t 6 시점에서 t 7 시점까지의 기간(T 4 )에 있어서 탄소가스가 용해된 순수를 웨이퍼(10)상에 공급하도록 한다. For example, washing with t 4 time after the start of the operation of the entire period (T 1) or a vacuum pump 40 of the first to t 7 point to 11 degrees with reference to completion of the cleaning process at t 2 the time starting the cleaning process period up to t 8 point prior to completion of the treatment (t 2) (or a period of t to 7 the time to complete the cleaning process), the treatment chamber 12, I to complete the cleaning process at t 5 the time start is a value lower than the normal atmospheric pressure in the period (t 3) (or t period of 7 up to the time of completion of the cleaning process), or to complete the cleaning process duration of from t 6 time of a few hours ago to t 7, the time (t 4) of the previous t to 8 point and the carbon gas to supply the dissolved pure water on the wafer (10).

그리고 현상, 세정 및 건조의 각 처리가 완료한 웨이퍼가 처리실(12)에서 반출되면 다음에 현상처리해야 할 웨이퍼를 상술한 것처럼 처리실(12)내에 반입하고, 상술한 동작을 다시 반복한다. Then, when the developing, cleaning, and the wafer process is completed, each of the drying out in the processing chamber (12) as described above for the wafer to be processed in the following developer brought into the treatment chamber 12, and repeat the above operation.이상의 일련의 동작은 프로그램 시퀀스에 의해 자동적으로 행해지는 것은 제1실시예와 같다. The above series of operations is performed automatically by the program sequence shown in the first embodiment.

이상과 같이 세정처리공정의 최종단계 혹은 최후에 가까운 단계에서 탄소가스가 용해된 순수가 웨이퍼(10)상에 공급되는 것에 의해 웨이퍼(10)의 표면은 탄소가스가 용해된 순수로 젖은 상태로 된다. The surface of the above and the carbon gas dissolved in the final step or a step closer to the end of the washing process pure as the wafer 10 by being supplied to the wafer 10 is in a wet state in which the carbon gas dissolver pure .이 상태에서 웨이퍼(10)를 고속회전시켜 웨이퍼(10)를 건조처리하는 과정에서 순수 중에 용해된 탄산가스가 기포로 되어 액면방향으로 부상하고 액면에서 기체를 빼낸다. Is in the process of high-speed rotation to the wafer 10 in this state, drying process the wafer 10 with the carbon dioxide dissolved in the pure air bubbles become the surface direction, and pull out the gas from the liquid surface.그래서 처리실(12)내가 감압상태로 되어 있는 것에 의해 그것에 수반되어 순수 중에 용해된 탄산가스는 과포화상태로 되고, 순수중에 있어서 기포의 발생이 촉진된다. So it is by the treatment chamber 12 is I, which is in a depressurized state it involves a carbon dioxide gas dissolved in the pure water is in a supersaturated state, in the net generation of air bubbles is promoted.이때의 기포의 부력에 의해 레지스트패턴의 기울어짐이 방지된다. The inclination of a resist pattern is prevented by the buoyancy of the bubbles at this time.또한 순수중에 용해된 탄소가스가 기포로 되어 발생해 가는 것에 의해 웨이퍼(10) 표면에 피착형성된 포토레지스트막에 대한 순수의 접촉각이 크게된다. In addition, the contact angle of pure water on the photoresist film formed on a deposition surface of the wafer 10 by going to the carbon dissolved in the pure gas is caused to bubble it becomes large.이 때문에 포토레지스트막 상의 순수의 표면장력에 의해 인접한 레지스트패턴끼리를 서로 끌어 당겨 합치는 힘이 작게 된다. Because of this conformity attracted to each other, the resist patterns adjacent to each other by the surface tension of pure water on the photoresist film is smaller force.더우기 웨이퍼(10)를 건조처리하는 과정에서 처리실(12)내가 감압상태로 됨으로써, 웨이퍼(10) 표면에 피착형성된 포토레지스트막에 대한 순수의 접촉각이 보다 크게되기 때문에 인접한 레지스트 패턴끼리를 서로 끌어 당겨 합치는 힘이 작게된다. Further pulling chamber 12, I pull the resist pattern between adjacent, since being in a reduced pressure state, the wafer 10, the contact angle of pure water for adhering the formed photoresist film to the surface than a larger one another in the course of the drying process the wafer 10 conformity is smaller force.이 결과 같은 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상이 방지된다. As a result the collapse phenomenon of the resist pattern in such a high aspect ratio is prevented.

그리고, 상기 실시예에서는 세정처리공정의 후반에서 건조처리공정까지의 기간, 처리실(12)내를 감압상태로 하였다. Further, the above embodiment was the time, the treatment chamber (12) in the second half of the cleaning process to a drying process in a reduced pressure state.그러나 본 발명은 이와 같은 실시예에 한정되는 것은 아니다. However, the invention is not limited to such embodiments.예를들면 처리실(12)내를 대기압 상태로 한 그대로 웨이퍼(10)의 세정처리 및 건조처리를 행하도록 하여도 된다. For example, it is also possible to perform the processing chamber 12, a washing treatment and a drying treatment of the same wafer (10) within a atmospheric pressure.어느 것이나 순수에 용해되어 있는 가스는 충분한 량인 것이 바람직하다. Any of the gas that is dissolved in pure water is preferably sufficient ryangin.처리실(12)내를 감압으로 하지 않는 경우에는 용해된 가스를 미리 과포화의 상태로하여 웨이퍼(10)상에 공급하는 것이 바람직하다. If the treatment chamber 12 does not include a pressure to the dissolved gas in advance in the state of supersaturation it is preferably supplied onto the wafer 10.

또한 이 실시예의 또다른 변형예도 생각될 수 있다. In addition, it may be thought of examples of this embodiment further variation.예를들면, 제6도 및 제7도에 도시한 바와 같은 제1실시예의 변형예와 같은 변형을 행할 수가 있다. For example, the 6 can be performed a second modification of the first embodiment variant as shown in Figure 7 and the FIG.이와 같은 변형은 이미 제1실시예의 끝에서 설명하였기 때문에 여기서는 반복하지 않는다. Such variations are not already not repeated here because it is described in the example the end of the first embodiment.

이상과 같이 본 실시예에 의해도 약액의 선정이나 개발 등에 의한 방법 뿐만 아니라 장치적인 개량에 의해 고 애스펙트비의 레지스트 패턴의 도괴현상을 방지할 수가 있다. Method due to FIG selection or development of a liquid according to the present embodiment as described above, as well as it is possible that by the device of improved to prevent the collapse phenomenon of the resist pattern of the aspect ratio.따라서 본 발명은 레지스트패턴의 미세화 기술의 진보에 크게 기여를 할 수 있다. Therefore, the present invention can greatly contribute to the miniaturization techniques of resist pattern progress.

Claims (25)

Translated from Korean

표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급함으로써 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정되도록 한 기판의 처리방법. It includes the step of, after which step by rotating the substrate around a vertical axis in a horizontal plane for drying the surface of the substrate to clean the substrate by supplying a step, then the cleaning liquid to the surface of the substrate for developing the substrate film is formed of photosensitive resin on the surface , in the step of drying the surface of the substrate, a processing method of a substrate on which the substrate is placed such that the atmosphere adjusted to a pressure of less than atmospheric pressure.

제1항에 있어서, 기판을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그의 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입, 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실로 연통하는 반송실에 불활성가스를 충만하도록 한 기판의 처리방법. The method of claim 1, wherein in the step of drying the substrate, the substrate is to be filled with an inert gas to the transfer chamber is used to out the substrate from the carry the substrate into the processing chamber are processed in the center of his or treatment chamber, which communicates with the treatment chamber treatment of the substrate.

제2항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서, 기판이 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하도록 한 기판의 처리방법. The method of claim 2, wherein the processing method of a substrate so as to further comprising the step of: before the substrate is higher than the atmospheric pressure to adjust the atmosphere is placed at the step of drying the surface of the substrate.

제1항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그의 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입하거나 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실내의 압력을 동시에 감압시키도록 한 기판의 처리방법. The method of claim 1, wherein in the step of drying the surface of the substrate, the substrate is used to export the chamber substrate from the carry or the processing chamber the substrate to be processed in the middle of him, at the same time the carrying internal pressure communicating with the treatment chamber treatment of the substrate to reduced pressure.

제4항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서 기판이 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하도록 한 기판의 처리방법. The method of claim 4, wherein the processing method of a substrate so as to further comprising the step of: before the substrate is higher than the atmospheric pressure to adjust the atmosphere is placed at the step of drying the surface of the substrate.

제1항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서, 기판의 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하도록 한 기판의 처리방법. The method of claim 1, wherein the processing method of a substrate so as to further comprising the step of: before, highly adjust the atmosphere is placed in the substrate than the atmospheric pressure at the step of drying the surface of the substrate.

표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 현상하는 스텝과, 그후 세정액을 기판의 표면에 공급함으로써 기판을 세정하는 스텝과, 그후 기판을 수평면 내에서 수직축 둘레로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 스텝을 포함하고, 기판을 세정하는 상기 스텝에 있어서, 소정의 가스가 용해된 세정액이 사용되는 기판의 처리방법. Includes the step of, after which step by rotating the substrate to a vertical axis in a horizontal plane for drying the surface of the substrate to clean the step of, after which the substrate by supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate for developing the substrate film is formed of photosensitive resin on the surface , in the step of cleaning the substrate, the predetermined dissolved gas cleaning liquid processing method of a substrate used.

제7항에 있어서, 기판을 세정하는 상기 스텝에 있어서, 상기 세정액에 상기 가스를 용해시키면서 상기 세정액을 기판에 공급하도록 하는 기판의 처리방법. The method of claim 7, wherein in the step of cleaning the substrate, the processing method of a substrate while the dissolved gas in the cleaning liquid so as to supply the cleaning liquid to the substrate.

제8항에 있어서, 상기 세정액 중의 상기 가스는, 적어도 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서 과포화상태로 되게 한 기판의 처리방법. The method of claim 8, wherein the gas contained in the cleaning liquid, a method of processing a substrate to be in a supersaturated state in said step of drying the surface of at least the substrate.

제7항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판의 놓여진 분위기가 대기압보다 낮은 압력으로 조정되게한 기판의 처리방법. The method of claim 7, wherein in the step of drying the surface of the substrate, a method of processing a substrate in the atmosphere to be placed is adjusted to a pressure of less than atmospheric pressure, the substrate.

제10항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실에 불활성가스를 충만시키도록 하는 기판의 처리방법. 11. The method of claim 10, wherein in the step of drying the surface of the substrate, the substrate is used and the substrate to the processing chamber to be processed from among those to out the substrate from the carry or the processing chamber, filled with an inert gas to the transfer chamber communicating with the treatment chamber method of treating a substrate so as to.

제10항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 있어서, 기판이 그의 가운데에서 처리되는 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실내의 압력을 동시에 감압시키도록 하는 기판의 처리방법. 11. The method of claim 10, wherein in the step of drying the surface of the substrate, the substrate is used to out the substrate from the carry or the processing chamber the substrate to the processing chamber to be processed from among his, to relieve pressure in the carrying internal pressure communicated to the chamber at the same time method of treating a substrate so as to.

제7항에 있어서, 기판의 표면을 건조시키는 상기 스텝에 앞서, 기판이 놓여진 분위기를 대기압보다 높게 조정하는 스텝을 더 포함하는 기판의 처리방법. The method of claim 7, wherein prior to the step of drying the surface of the substrate, the substrate processing method further includes the step of adjusting the substrate is higher than the atmospheric atmosphere is placed.

개폐가능한 처리실과, 상기 처리실 내에 배치되고, 표면에 감광성수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지수단과, 상기 기판유지수단에 의해 유지되고, 현상처리후의 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급수단을 포함하는 기판의 처리장치에 있어서, 상기 처리실내를 감압하기 위한 감압수단과, 상기 기판유지수단에 의해 기판을 수평면 내에서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서 상기 처리실내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 상기 감압수단을 제어하기 위한 제어수단을 더 포함하는 기판의 처리장치. Is disposed in the openable and closable treatment chamber and the treatment chamber, and holding the substrate formed film is a photosensitive resin on the surface in the horizontal position and held by the substrate holding means and said substrate holding means for rotating around a vertical axis, the washing liquid to the substrate after the developing treatment in the processing apparatus of a substrate including a cleaning liquid supply means for supplying, by rotation about the vertical axis of the substrate in a horizontal plane by a pressure reducing means and said substrate holding means for decompressing the processing chamber in the process of drying the surface of the substrate the substrate processing apparatus further includes control means for controlling the pressure reducing means such that the processing chamber has a value lower than the normal atmospheric pressure.

제14항에 있어서, 상기 처리실은, 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실을 가지며, 상기 기판처리장치는, 기판의 표면을 건조시키는 상기 과정에 있어서, 상기 반송실에 상기 불활성가스를 충만시키도록 상기 불활성가스공급수단을 제어하도록 하는 기판의 처리장치. 15. The method of claim 14 wherein the processing chamber is used for the substrate to the processing chamber in order to out the substrate from the carry or process chamber, having a transport chamber which communicates with the process chamber, the substrate processing apparatus, in the course of drying the surface of the substrate , of the substrate processing apparatus in the transport chamber to control the inert gas supply means to fill the inert gas.

제15항에 있어서, 상기 처리실내에 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은 기판의 표면을 건조시키는 상기 과정에 앞서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 높게 조정하도록 상기 크린에어 공급수단을 제어하도록 한 기판의 처리장치. The method of claim 15, further comprising means for supplying a clean air to said treatment chamber, said control means prior to the process for drying the surface of the substrate, and the clean air to the pressure of the treatment chamber higher adjustment than the atmospheric pressure processing apparatus for a substrate to control the supply means.

제14항에 있어서, 상기 기판의 처리장치는, 상기 감압수단을 상기 반송실로 연통하기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 기판의 표면 건조시키는 상기 과정에 있어서, 상기 반송실내의 압력을 동시에 감압시키도록 상기 감압수단을 제어하는 기판의 처리장치. The method of claim 14, wherein the processing unit of the substrate, the control means for the pressure reducing means further comprises means for communicating the conveying chamber, is characterized in that in the process of surface drying of the substrate, the pressure of the transport room to reduced pressure at the same time of the substrate processing apparatus for controlling the pressure reducing means.

제17항에 있어서, 상기 처리실내로 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 기판의 표면을 건조시키는 과정에 앞서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 높게 조정하도록 상기 크린에어 공급수단을 제어하는 기판의 처리장치. The method of claim 17, further comprising means for supplying clean air into the treatment chamber, wherein, prior to the process for drying the surface of the substrate, and the clean air to the pressure of the treatment chamber higher adjustment than the atmospheric pressure the substrate processing apparatus for controlling the supply means.

제14항에 있어서, 상기 처리실내로 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 기판의 표면을 건조시키는 과정에 앞서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 높게 조정하도록 상기 크린에어공급수단을 제어하는 기판의 처리장치. The method of claim 14, further comprising means for supplying clean air into the treatment chamber, wherein, prior to the process for drying the surface of the substrate, and the clean air to the pressure of the treatment chamber higher adjustment than the atmospheric pressure the substrate processing apparatus for controlling the supply means.

밀폐가능한 처리실과, 상기 처리실내에 배치되고, 표면에 감광성 수지막이 형성된 기판을 수평자세로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 기판유지수단과, 상기 기판유지수단에 의해 유지된 현상 처리후의 기판으로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급수단과, 상기 세정액공급수단에 의해 공급된 상기 세정액에 가스를 용해시키기 위한 수단과, 기판을 세정하는 과정의 최종단계 또는 최종에 가까운 단계에서, 상기 세정액 공급수단에 의해 공급되는 상기 세정액에 가스가 용해되도록 가스용해 장치를 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 기판의 처리장치. Sealable processing chamber and, disposed in the processing chamber, and holding the substrate formed in the surface film is a photosensitive resin in a horizontal position a cleaning liquid to the substrate after the development process is held by the substrate holding means and said substrate holding means for rotating around a vertical axis in the cleaning liquid supply means, and the final step, or a step closer to the end of the process and the means for dissolving the gas in the said cleaning liquid supplied by the cleaning liquid supply means, and cleaning the substrate to supply, supplied by the cleaning liquid supply means processing apparatus of a substrate with the cleaning liquid comprising a control means for controlling the gas dissolution apparatus so that gas is dissolved.

제20항에 있어서, 상기 세정액 중의 상기 가스는, 상기 유지수단에 의해 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 과포화상태로 되는 기판의 처리장치. 21. The method of claim 20, in the course of the gas contained in the cleaning liquid is rotated around the vertical axis of the substrate in a horizontal plane by said holding means to dry the surface of the substrate, the substrate processing apparatus is in a supersaturated state.

제20항에 있어서, 상기 처리실내를 감압시키기 위한 감압수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 상기 기판유지수단에 의하며 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 상기 처리실 내가 대기압보다 낮은 압력으로 되도록 상기 감압수단을 제어하는 기판의 처리장치. 21. The method of claim 20, in the process of further comprising a pressure reducing means for reducing the pressure above the treatment chamber and by the control means, to rotate the uihamyeo substrate to the substrate holding means around a vertical axis in a horizontal plane dry the surface of the substrate, the substrate processing apparatus for controlling the pressure reducing means the processing chamber I to a value lower than the normal atmospheric pressure.

제22항에 있어서, 상기 처리실은, 처리실로 기판을 반입 또는 처리실로 부터 기판을 반출하기 위해 사용되고, 처리실에 연통하는 반송실을 가지며, 상기 기판의 처리장치는, 상기 반송실에 연통하고, 상기 반송실에 불활성가스를 공급하기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은 상기 기판유지수단에 의해 기판을 수평면내에 연직축 주위로 회전시켜서 기판의 표면을 건조시키는 과정에서 상기 반송실에 상기 불활성가스를 충만시키도록 상기 불활성가스공급수단을 제어하는 기판의 처리장치. 23. The method of claim 22, wherein the processing chamber is, from the substrate to the processing chamber to carry or process chamber being used in order to out the substrate and has a feeding chamber that communicates with the processing chamber, the processing apparatus of the substrate, and communicating with the transport chamber, wherein further comprising means for supplying an inert gas to the transfer chamber, and the control means is in the process of by rotation about the vertical axis in the horizontal plane of the substrate by means of holding the substrate drying the surface of the substrate to the inert gas to the transfer chamber to the fullness of the substrate processing apparatus for controlling the inert gas supply means.

제20항에 있어서, 상기 처리실내에 크린에어를 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 상기 기판유지수단에 의해 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 상기 처리실내의 압력을 대기압보다 낮게 조정하도록 상기 크린에어공급수단을 제어하는 기판의 처리장치. 21. The method of claim 20, further comprising a means for supplying a clean air to said process chamber, wherein, by rotation about the vertical axis of the substrate in a horizontal plane by the substrate holding means in the course of drying the surface of the substrate , of the substrate processing apparatus for controlling the clean air supply means such that the pressure of the treatment chamber lower than the atmospheric pressure adjustment.

제22항에 있어서, 상기 기판의 처리장치는, 상기 감압수단을 상기 반송실에 연통하기 위한 수단을 더 포함하고, 상기 제어수단은, 상기 기판유지수단에 의하여 기판을 수평면내에서 연직축 주위로 회전시켜 기판의 표면을 건조시키는 과정에서, 상기 반송실 내의 압력을 동시에 감압시키도록 상기 감압수단을 제어하는 기판의 처리장치. The method of claim 22, wherein the processing unit of the substrate, said control means further comprising means for communicating the vacuum means to the transfer chamber is, rotating the substrate by the substrate holding section in a horizontal plane around the vertical axis was in the process of drying the surface of the substrate, the substrate processing apparatus for controlling the pressure reducing means to reduce the pressure in the pressure in the transfer chamber at the same time.