H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

G01J5/025—Interfacing a pyrometer to an external device or network; User interface

Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS

상기 써모파일 검출기의 출력을 수신하고, 상기 반도체 공정 시스템에 영향을 미치거나 미치지 않는 하나 또는 그 이상의 공정 조건들을 응답적으로 조절하기 위하여 배열되는 공정 조절 수단. Receiving the output of the thermopile detectors and the process control means arranged to control one or more process conditions that do not affect or in the semiconductor process system to responsively.

또한, 본 발명은 가스공정 또는 가스를 사용하는 공정을 포함하는 반도체 공정을 조절하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 써모파일 검출기를 이용하여 바람직한 가스 성분의 농도를 감지하는 것, 써모파일 검출기로부터 상기의 선택된 가스 성분의 농도를 나타내는 출력을 발생시키는 것, 및 상기 출력에 상응하여 반도체 공정에 영향을 미치거나 미치지 않는 하나 또는 그 이상의 조건을 조절하는 것을 포함한다. The invention also relates to a method for controlling a semiconductor manufacturing process comprising the step of using the gas process or a gas, the method to detect the concentration of a desired gas component using a thermopile detector, wherein from the thermopile detector that of generating an output indicating the concentration of a selected gas component, and includes a corresponding adjustment to one or more conditions, or that does not affect the semiconductor process on the output.

본 발명의 다른 특징 및 구현에는 다음의 상세한 설명 및 첨부된 특허청구범위로부터 더욱 명백해질 것이다. Other features and embodiments of the present invention will become more apparent from the description and the appended claims that follow.

본 발명에서 사용되는 "반도체 공정"이란 용어는 반도체 제조 설비에 사용되거나 생산되는 물질의 처리 또는 공정을 포함하는 모든 작업, 실질적인 제조에 포함되지 않는 반도체 제조 설비와 관련되어 수행되는 작업뿐만 아니라, 반도체 제품의 제조에 관련된 어떠한 그리고 모든 공정과 유닛 작업을 포함하여 포괄적으로 구성되는 것을 의미한다 (예를들어, 공정 장비의 상태, 작업을 위한 준비 단계에서의 화학적 운반 라인의 세척, 공정 툴 챔버(chamber)의 에칭 클리닝, 반도체 제조 설비에 의해 생산되는 폐기물의 유독하고 위험한 가스의 제거 등을 포함한다.). "Semiconductor process" is used in this invention, as well as tasks performed in connection with a semiconductor manufacturing equipment which is not included in all operations, practical manufacture comprising a treatment or process of the material to be produced or used in the semiconductor manufacturing facility, the semiconductor means consisting of a comprehensive, including any and all processing and unit operations involved in the production of products (for example, the state of the process equipment, cleaning of chemical delivery lines in preparation for the operation, process tool chambers (chamber ) etch cleaning, including the removal of toxic and hazardous gases of the waste that is produced by a semiconductor production equipment, etc.) of the.

본 발명의 적외선 검출 시스템의 작동은 대부분의 적외선 에너지를 흡수하는 분자들이 불연속적인 에너지 레벨에서 적외선을 흡수한다는 사실에 기초한 것이며, 기체, 액체 및 고체 조성이 광범위한 파장의 적외선에 노출되었을 경우, 상기 조성들 중 적외선 에너지를 흡수하는 성분은 매우 특정한 파장에서 IR Operation of the infrared detection system of the present invention is based on the fact that the absorption of infrared in most are discrete energy level the molecule that absorbs infrared energy, when the gas, liquid and solid composition is exposed to a wide range of wavelength infrared radiation, the composition component that absorbs the infrared energy of the IR is at a very specific wavelength빛을 흡수할 것이다. It will absorb the light.이러한 현상은 IR-흡수 성분을 가지는 그리고 가지지 않는 에너지 스펙트럼의 비교를 가능하게 하며, 어떠한 조성에서 특정 물질을 확인하는 데 사용될 수 있는 패턴을 가지는 흡수 프로파일(profile)을 획득할 수 있도록 한다. This phenomenon makes it possible to, and a comparison with the IR- absorbing component and no energy spectrum enables obtaining an absorption profile (profile) having a pattern that can be used to determine a specific substance in any composition.이에 더하여, 어떠한 조성에서의 물질의 농도를 상기 물질에 의해 흡수되는 빛의 양에 의해 직접적으로 측정할 수 있다. In addition, by the concentration of the material in any composition in the amount of light that is absorbed by the substance it can be measured directly.

초기 IR 분석기들은 회절격자 기술 또는 IR 방사선을 각각의 파장으로 분산시키는 프리즘을 사용하는 분광기들이었다. Initial IR analyzers were the spectroscope using the diffraction grating, the prism dispersing technique or IR radiation with respective wavelengths.이때, 각각의 에너지들은 이동 슬릿 어퍼쳐에 의해 가스 셀속으로 도입되며, 가스 셀을 통과하여 선택된 파장을 갖는 방사선이 검출된다. At this time, each of the energy will be introduced into the gas selsok by moving the slit aperture, the radiation having a selected wavelength by passing through the gas cell is detected.상기 분산성의 IR 분석기는 IR 에너지 레벨을 가지는 슬릿 어퍼쳐(slit aperture) 포지션과 검출기로부터의 시그널과의 상관관계를 가지는 전기적 공정 수단에 사용될 수 있으며, 에너지와 흡광도의 관계를 산출하는데 이용될 수 있다. The dispersibility IR analyzer may be used for electrically processing means having a correlation of the signal and from the slit aperture (slit aperture) positions, and the detector having the IR energy levels, it can be used to calculate the relationship between the energy and the absorbance .상기 분광 분광기의 주된 단점은 고장나기 쉬운 이동 부품의 사용, 다수의 부품의 사용으로 인한 높은 비용, 및 분산 분광기의 특징적인 작동 중의 하나인 느린 안정화 속도(collection rate) 등이다. The main disadvantage of the spectral spectrometer is easy, such as the use of moving parts, failure smoking, high cost due to the use of a plurality of parts, and the characteristic of slow speed stabilization (collection rate) in the operation of a dispersion spectrometer.상기 분산 분광기와 비슷한 FT-IR(fourier transform IR) 분광기는 광범위한 에너지 IR 광원을 사용한다. FT-IR (fourier transform IR) spectrometer, similar to the dispersion spectrometer is used a wide range of IR energy source.초기에 재생되는 IR 빔(beam)은 두개의 빔(beam)으로 쪼개어지고 이동 반사경(moveable mirror)을 이용하여 안쪽 및 바깥상의 두개의 빔 중 하나의 빔을 방출함에 따라 간섭 패턴이 생성된다. The interference pattern is created as the IR beam (beam) to be reproduced early is emitting a beam of the two beams on the inside and outside is split into two beams (beam) using a moving mirror (moveable mirror).레이져 빔은 실시간으로 이동 반사경의 위치를 모니터링하기 위하여 사용된다. Laser beam is used to monitor the position of the movement mirror in the real time.듀얼 빔(dual beam)이 샘플에 방출된 후, 분광기기의 센서 성분은 레이져-포지션닝 빔(laser-positioning beam)과 더불어 컨볼루션된(convoluted) 적외선 파장 패턴을 전송받는다. Dual beam (dual beam) is then emitted to the sample, the sensor component of the spectroscopic device is a laser - and receives the convolution of (convoluted) with an infrared wavelength pattern positioning beam (laser beam-positioning).이때 상기 정보는 컴퓨터로 보내지고, FT 알고리즘에 의해 에너지에 대한 반사경의 변위 데이터를 에너지에 대한 흡광도의 데이터로 변환시키게 된다. At this time, the information is sent to a computer, thereby by the FT algorithm converts the displacement data of the reflector of the energy in the data of the absorption of the energy.상기 FT-IR 분광기의 단점은 그들의 복잡성 및 상당한 비용에 있다. A disadvantage of the FT-IR spectroscopy are their complexity and significant cost.

바람직하게 본 발명의 써모파일 검출기는 각각의 검출기 유닛에서 구성요소들의 복합적인 배열을 가질 수 있다. Preferably thermopile detectors of the present invention may have a complex array of components on each of the detector unit.예를 들어, 듀얼 엘레먼트 검출기(dual element detector)에서, 써모파일 검출기의 구성요소들 중 하나는 실질적으로 흡광 작용이 일어나지 않는 범위(eg, 4.00±0.02 ㎛의 파장)에서의 IR 빛을 감지하기위한 참고로써 사용될 수 있다. For example, the dual Element detector (dual element detector) from, one of the components of the thermopile detector is substantially in the range of the light absorbing action it does not happen in order to detect IR light in the (eg, wavelengths of 4.00 ± 0.02 ㎛) It can be used as a reference.두번째 써모파일 검출기의 구성요소는 관심있는 스펙트럼 범위(모니터링되는 특정 물질에 의존하는 스펙트럼 범위)에서 IR 에너지를 감지하는 필터로 코팅될 수 있다. The second component of the thermopile detector may be coated with a filter for detecting the IR energy in the spectral range of interest (a spectral range depending on the specific substance to be monitored).상기의 참고 써모파일 검출기 구성요소에 의해 생성된 전압과 써모파일 검출기 활성 구성성분에 의해 생성된 전압과의 차이는 농도 측정에 사용될 수 있다. Difference between the voltage generated by the voltage and the thermopile detector active ingredient is produced by the reference thermopile detector elements it may be used for the concentration measurement.4개의 써모파일 구성요소가 배열된 검출기가 상업적으로 이용가능하다. Four thermopile consisting of an array of detector elements are commercially available.예를들어, 4-구성요소 검출기 유닛(unit)에서, 하나의 검출기 구성요소는 참고로서 적용될 수 있고, 남아있는 3개의 검출기 구성요소는 다른 스펙트럼 영역의 측정에 사용될 수 있다. For example, in a four-component detector unit (unit), a single detector element may be applied as a reference, the remaining three detector elements that may be used for the measurement of different spectral regions.

본 발명의 다른 구현예로써, 써모파일 검출기 유닛은 반도체 제조 공정 또는 다른 산업 공정에서 생산되는 폐기물을 처리하기 위한 제외 시스템(abatement system)의 제외 툴 조절기로 이용될 수 있다. In another embodiment, the thermopile detector unit can be used as a negative control on the tool, except the system (abatement system) for processing the waste are produced in a semiconductor manufacturing process or the other industrial process.상기 목적을 위하여, 써모파일 검출기 유닛은 처리하기 위한 폐기물이 유입되는 제외 기기의 유입구에 설치될 수 있다. For the above object, the thermopile detector unit can be installed in the inlet of the device, except that the waste is introduced for processing.상기 공정에서, 써모파일 검출기 유닛은 온-스트림 작업 상태에서 페기물을 생산하는 업스트림 툴이 활발히 작동하는지의 여부 또는 업스트림 툴이 비-폐기물-생산 상태인지의 여부, 예를 들어, 세정 또는 클리닝 작업을 수행하고 있는지를 감지하는데 사용될 수 있다. In the process, the thermopile detector unit is on-waste-whether or upstream the tool is the ratio of that upstream tool to work actively producing waste in the stream operation state whether or not the production conditions, e.g., washing or cleaning operation It can be used to detect whether performed.

써모파일 검출기 유닛은 습식 스크러버 또는 건식 스크러버와 같은 폐기물 스크러버의 제외 툴 조절기로 유용하게 사용될 수 있으며, 상기 써모파일 검출기 유닛의 적용으로 인하여 스크러버를 "스마트" 스크러버로 변모시킬 수 있고, 공급 원의 유지(낮은 소비성)로 인하여 스크러버의 효율을 향상시킬 수 있다. Thermopile detector unit may be due to the application of the waste can be effectively used as a negative tool regulator of the scrubber, the thermopile detector unit such as a wet scrubber or dry scrubber transform the scrubber as a "smart" scrubber, the holding of the supply source due to the (lower consumable) can improve the efficiency of the scrubber.

또한 다른 구현예로써, 써모파일 검출기 유닛은 반도체 공정 챔버의 다운스트림(downstream)에 설치되는 종말점 검출기로 유용하게 이용될 수 있다. In addition, as another embodiment, a thermopile detector units may be useful to the end point detector provided in the downstream of a semiconductor process chamber (downstream).상기 공정에서, 분석기는 공정 챔버로부터 배출되는 특정성분의 농도를 시간에 따라 감지하는 인-라인 모니터로 사용될 수 있다. In the process, the analyzer is the concentration of a specific component discharged from the processing chamber to sense over time may be used as the monitor line.공정 챔버로부터 배출되는 폐기물의 농도 변화는 툴 오퍼레이터(operator) 및/또는 기기의 작동을 중단하거나 또는 세정, 클리닝과 같은 전처리 공정을 개시하는 자동화 공정 조절 장치로 보내지는 종점 시그널을 발생시키기 위하여 사용될 수 있다. Concentration of the waste discharged from the process chamber, the tool operator (operator), and / or suspended or washed, sent to an automated process control system for starting the pre-processing step such as a cleaning operation of the device can be used to generate an end signal have.

도 3의 시스템에서, 반도체 공정 툴(102)은 폐기물 배출 라인(118)에서 고유한 특성을 가지는 처리된 폐기물을 생성시키기 위한 처리에 사용되는 제외 유닛(104)으로부터 흘려보내지는 폐기물을 생성하게 되며, 상기 폐기물은 제외 유닛124)으로부터 제외 유닛 배출 라인(124)으로 방출된다. In the system of Figure 3, the semiconductor processing tool 102 is sent to flows from the negative unit (104) for use in the process for producing the processed waste having a unique property in the waste discharge line 118 are creating a waste the waste is discharged into the negative unit discharge line 124 from the negative unit 124).

써모파일 검출기 유닛(120)에 의해 감지되는 폐기물 배출 라인(118)의 폐기물 스트림에서의 선택된 성분(들)에 응답하여, CPU(110)는 셋 포인트 조절 유닛(138)을 모듈함에 의해 매스 플로우 조절기(112)의 셋 포인트를 조정하게 된다. In response to the component (s) selected from the waste stream of the waste discharge line 118 is sensed by the thermopile detector unit (120), CPU (110) is a mass flow regulator By modules for setpoint adjustment unit 138 It is to adjust the set point of 112.일반적으로, 써모파일 검출기 유닛(120)에 의해 감지되는 폐기물 배출 스트림에서의 감지된 농도에 응답하는 CPU(110)는 공급 라인(114)의 플로우 조절 밸브(도면에 나 타내지 않음)의 폐쇄 및/또는 반도체 공정 툴(102)이 포함되는 조정 또는 종결 단계에서의 다른 작동들에 영향을 미침에 의해 반응원료의 흐름을 종결시킬 수 있다. Closure of the general, the thermopile detector unit CPU (110) responsive to the sensed concentration of the waste exhaust stream to be detected by the 120 control the flow of the supply line 114 the valve (or not to get in the figure), and / or semiconductor process tools can 102 may terminate the flow of the reaction material by affecting the other operations of the adjustment or termination step is included.

상기 라인(162)에서 세정 물질의 유속은 밸브 조절기(158)에 연결되어 작동하는 플로우 조절 밸브(160)에 의해 조절되며, CPU(110)로부터 시그널 송신 라인(156)을 통하여 전송된 조절 시그널에 의해 조정된다. The flow rate of the cleaning material in the line 162 to the control signal transmission is controlled by a flow control valve 160 to operate is connected to the valve controller (158), through the signal transmission line 156 from the CPU (110) It is adjusted by.

그러므로, 써모파일 검출기 유닛(120)은 제외 유닛(104)에서 배제되는 성분의 농도 감지 및 시그널 송신 라인(154)에서 상기 농도에 상응하는 시그널을 CPU(110)에 전송하기 위해 유용하게 배열될 수 있다. Therefore, the thermopile detector unit 120 can be advantageously arranged to transmit a signal corresponding to the concentration in the concentration detection and the signal transmission line 154 of the component are excluded from the exclusion unit 104, a CPU (110) have.폐기물 스트림에서 배제되는 성분의 농도를 표시하는 상기 시그널에 응답하여, CPU(110)는 조절 시그널 송신 라인(156)에서 밸브 조절기(158)로 조절 시그널을 송신하며, 상기 CPU는 폐기물과 접촉할 수 있도록 바람직한 양의 세정 물질이 제외 유닛(104)으로 흐르도록 플로우 조절 밸브(160)의 조절점을 모듈함으로써, 폐기물 스트림에서의 관심있는 세정 성분을 제어하게 된다. In response to the signal indicating the concentration of the component to be excluded from the waste stream, CPU (110) is transmitting the control signals to the valve controller (158) in the control signal transmission line 156, the CPU will be in contact with the waste so that the desired amount by a control point module of the flow control valve 160 to the cleaning material flows in the negative unit 104, thereby controlling the components of interest in the cleaning of the waste stream.

유사한 방식으로, 제외 유닛(104)으로 부터 폐기물 방출 라인(124)으로 배출되는 처리된 폐기물은 써모파일 검출기 유닛(124)에 의해 모니터링될 수 있으며, 이에 해당하는 농도 시그널이 시그널 송신 라인(164)에서 CPU(110)로 전송된다. In a similar manner, except for unit 104 as from the effluent line 124, the waste may be monitored by the thermopile detector unit 124, the concentration signal is the signal transmission line 164 for this process to be discharged to the in is sent to the CPU (110).그 결과 CPU(110)는, 상술한 바와 같이, 세정 물질의 유속을 증가시키거나 유지하거나 또는 감소시키기 위하여, 필요에 따라서 스크러버 제외 유닛(104)으로부터 방출 라인(124)으로 최종 방출되는 미리 결정된 낮은 세정 성분의 수준에 도달하기 위하여, 밸브 조절기(158)을 통하여 플로우 조절 밸브(160)를 조정함으로써 감지된 농도에 반응하게 된다. As a result, CPU (110) is, as described above, in order to increase the flow rate of the cleaning material, or maintain or reduce, if necessary, the discharge line 124 from the scrubber exception unit 104, a predetermined low that the final release in order to reach the level of the cleansing component is responsive to the sensed concentration by adjusting the flow control valve 160 through the regulator valve 158.예를 들어 이러한 미리 결정된 낮은 세정 성분의 수준은 써모파일 검출기 유닛(126)의 검출 한계보다 낮은 농도일 수 있다. For the level of such a predetermined low cleaning component instance it may be a lower concentration than the detection limit of the thermopile detector unit 126.

바람직한 세정 성분의 제거 범위를 유지하기 위하여 세정 물질의 유속을 모듈하는 것에 더하여, 써모파일 검출기에 의해 감지된 세정 성분의 농도는 시그널 송신 라인(164)에서 CPU(110)로 전송될 수 있고, 이에 상응하여 방출 라인(124)으로부터 라인(128) 내의 제외 유닛(104)의 유입구로 폐기물이 재순환하도록 조정할 수 있다. In addition to the module for the flow rate of the cleaning material in order to maintain the removal range of the preferred cleaning component, the concentration of the cleaning component sensed by the thermopile detector may be transmitted in signal transmission line 164 to the CPU (110), this correspondingly, it is possible to adjust such that the recycled waste into the inlet of the negative unit 104 in the line 128 from the discharge line 124.

상기와 같은 방식으로, 제외 유닛(104)에서의 세정 성분의 제거 효율을 최대화할 수 있도록 세정 물질의 유속 뿐만 아니라, 순환 속도도 조절될 수 있다. In a manner as described above, as well as the flow rate of the cleaning material to maximize the removal efficiency of the cleaning component in the negative unit 104, it may also be adjusted rotation speed.

써모파일 검출기 유닛이 가스 농도를 모니터링하며, 이에 반응하여 유체의 유속을 제어하는 반도체 공정 시설 및/또는 다른 공정 조건 및/또는 반도체 공정 조작상의 여러 양상에 다양하게 적용될 수 있다는 것은 전술한 도 3의 구현예에서의 결론에서 명백히 알 수 있으며, 이에 의하여 공정효율을 최대화할 수 있고, 공정 반응의 요구조건을 최소화할 수 있으며, 그리고 써모파일 검출기를 이용한 모니터링 및 제어 수단의 결핍으로 인한 반도체 제조 설비와 관련된 제품의 일관성을 좀더 효과적으로 달성할 수 있다. Thermopile detector unit is monitored, and this reaction is that the semiconductor processing facility that controls the flow rate of the fluid and / or other process conditions, and / or variously applied to the various aspects on a semiconductor processing operation of FIG. 3 the gas concentration be readily apparent at the conclusion of the embodiments, it is possible to maximize the process efficiency by this, it is possible to minimize the requirements of the process reaction, and as a semiconductor production equipment due to the lack of monitoring and control device using a thermopile detector concerning the consistency of the product can be achieved more effectively.

또한, 도 3의 구현예는 일반적으로 관심있는 단일 기체 성분(모니터링된 기체 종과 같은)에 관하여 기술하고 있을지라도, 다중성분 공정 스트림에서 다양한 기체 성분들의 농도를 감지하는 기능을 가지는 본 발명의 다중-성분 써모파일 검출기가 유용하게 적용될 수 있다는 것은 상기 본 명세서에서 서술한 바로부터 주지될 수 있을 것이다. In addition, the view of the third embodiment are generally although techniques and be with respect to a single gas component (monitoring the gas, such as species) of interest, the multi of the present invention having the ability to detect concentrations of various gas components in a multi-component process stream - the fact that component thermopile detector is some useful applications will be noted from the right one described in the present specification.

또한, 본 발명은 참고로써 단일 반도체 공정 툴에 관하여 서술하고 있을 지라도, 통상적인 반도체 공정 시설이 다중 툴 및 공정 시스템 성분을 포함한다는 것은 인정될 것이므로, 써모파일 검출기 유닛은 반도체 공정의 다양한 작업, 예를 들어 공정 시스템 플로우 회로의 특정 챔버 또는 영역에 다중적으로 동시에 이용될 수 있을 것이며, IR 써모파일 검출기 유닛은 하나 또는 그 이상의 컴퓨터, 공정, 싸이클-타임 프로그램 컨트롤러 등을 포함하는 조절 회로와 함께 구성될 수 있을 것이다. In addition, the present invention, even if you are described with respect to a single semiconductor process tool as a reference, conventional that the semiconductor processing facility includes multiple tools and processing system components is because it will be recognized, thermopile detector unit is a variety of operation of semiconductor processing, for example, configured with a control circuit which includes a time program controller - as the process will be able to be used at the same time a particular chamber or area of ​​the system flow circuit with a multi-ever, IR thermopile detector unit comprises one or more of a computer, process, cycles It could be.또한, 전력 출력 시그널을 가지는 써모파일 검출기는 특정 작업에서 필요로 하는 공정 모니터링 및 제어 기능을 유효하게 실시하기 위하여 다른 시그널 발생기 그리고 송신/제어 기기 및 인터페이스에 유용하게 이용될 수 있을 것이다. Moreover, thermopile detectors have a power output signals will have a different signal generator and can be useful for transmission / control unit and an interface to carry out effectively the process monitoring and control functions required by the particular operation.

예를 들어, 써모파일 검출기 출력 시그널은 통합된 무선 네트워크 상에서 모니텅링 및 제어의 목적으로 라디오 주파수 수신기로 전송될 수 있도록 라디오 주파수 트랜스폰더에 의해 송신되는 라디오 주파수 시그널로 전환될 수 있을 것이다. For example, a thermopile detector output signal will be able to be converted into a radio frequency signal transmitted by the radio frequency transponder to be transmitted to the radio frequency receiver for the purpose of teongring monitor and control on the integrated wireless network.

써모파일 검출기의 전력에 기초한 출력은 다른 시그널 형태로 전환될 수 있거나, 또는 중앙 공정 유닛 또는 다른 컴퓨터의 조작 또는 제어 수단과의 무선 통신을 위해 심지어는 적외선 조절 시그널로 재전환될 수도 있다. Output based on the power of the thermopile detector is for wireless communication with or can be converted to another signal type, or a central processing unit or an operation or control means of the other computer, and even may be re-converted into an infrared control signal.

본 발명은 하기의 실시예에 의해 좀더 상세히 기술되나, 이에 의해 제한되지는 않으며, 다만 하기의 실시예는 참고로써 인용된다. The invention is to more fully described by the following examples, but are not limited by, the following examples but is incorporated by reference.

도 5는 트리메틸 실란의 보정 곡선을 나타낸 것으로서, 도 4의 내용에 기초한 것이다. 5 is shown as a calibration curve of trimethylsilane, it is based on the information of FIG.도 4와 비슷하게, 하나의 보정 곡성은 활성 및 표준 시그널과의 비율을 나타낸 것이고, 반면 다른 곡선은 활성 검출기 원소에 의해 생성된 시그널을 나타낸 것이다. Similar to FIG. 4, a correction will Gokseong showing the ratio between the activity and the standard signal, while the other curve shows the signal generated by the activity detector element.상기 두 곡선들은 0.999 보다 큰 상관 계수를 갖는 2차 다항식에 따라 그려진 것들이다. The two curves are drawn in accordance with those in the second-order polynomial having a greater correlation than 0.999.상기 보정 곡선에 근거하여, 100만 분의 500(ppm)이라는 검출 한계가 추정된다. On the basis of the calibration curve, it is estimated that the detection limit of 100 man 500 (ppm) of the time.

본 발명이 참고로써 서술된 구현예 및 특징들에 의해 다양하게 개시되어 있을지라도, 본 발명에 기재된 구현예 및 특징들은 본 발명을 제한하고자 함이 아니며, 다른 변형, 변경 및 그 외의 구현예들이 본 발명의 기술분야에서의 당업자에 의해 제시될 수 있다. Although the invention has been variously disclosed by the embodiments and features described by reference, implemented according to the invention and features it is not intended to limit the invention, and other variations, modifications and other implementations are present It may be proposed by those skilled in the art of the invention.그러므로 본 발명은 다음의 특허청구범위에 따라 광범위하게 구성된다. Therefore, the present invention is adapted to a wide range in accordance with the following claims.

Claims (45)

Translated from Korean

다음을 포함하고, 공정 유체의 흐름을 위한 플로우 회로를 포함하는 반도체 공정 시스템: Semiconductor processing system comprising the following and comprises a flow circuit for the flow of the process fluid:

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 선택적으로 증착 챔버에 연결되고, 상기 증착 챔버는 화학 반응물 소스로부터 화학 반응물을 회수하며, 상기 써모파일 검출기는 증착 챔버로 도입되는 화학 반응물의 농도를 감지하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 시스템. Any one of claims 1 to A method according to any one of claims 7 or 8, is selectively connected to the deposition chamber, the deposition chamber, and recovering the chemical reagent from the chemical reagent source, the concentration of the chemical reagents to be introduced into the thermopile detectors to the deposition chamber the system being arranged to detect.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 써모파일 검출기의 출력은 시스템의 유체 처리 단계 또는 시스템 공정 작업의 순환 속도를 모듈하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 시스템. Any one of claims 1 to A method according to any one of claim 3, wherein the output of the thermopile detector system, characterized in that the module to be used to the circulation rate of the fluid handling system or process steps of the operation system.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 써모파일 검출기의 출력을 수신하고, 상기 반도체 공정 시스템에 영향을 미치거나 미치지 않는 하나 또는 그 이상의 공정 조건을 응답적으로 조절하기 위하여 배치되는 공정 조절 요소를 추가로 포함하는 시스템. The method according to any one of the preceding claims, arranged to receive the output of the thermopile detector, control one or more process conditions that do not, or affect the semiconductor process system to responsively the system further comprises a process control element.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 특정 적외선 파장이 통과하도록 배치된 적어도 하나의 적외선 필터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템. Any one of claims 1 to 7, according to any one of items, the system characterized in that it comprises additionally at least one infrared filter arrangement is a particular infrared wavelength to pass through.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 써모파일 검출기에 의해 검출을 강화하도록 적외선을 조준 및/또는 송신하도록 배열되는 (ⅰ) 적어도 하나의 반사경 및 (ⅱ) 적어도 하나의 렌즈 중 어느 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템. Any one of claims 1 to 7, which method according to any one of the preceding, of the aiming and / or (ⅰ) arranged to transmit the at least one reflecting mirror and (ⅱ) at least one lens of infrared to enhance detected by the thermopile detectors of the anti the system characterized in that it comprises additionally one.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적외선 소스는 적외선 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템. Claim 1 to claim 7 as claimed in any one of claims, wherein the infrared source is a system characterized in that it comprises an infrared lamp.

다음을 포함하고, 물질 공정 또는 물질과 관련된 공정을 포함하는 반도체 공정을 실시하는 방법: It includes the following, and the method of carrying out a semiconductor process, which comprises the steps associated with the process substance or substances:

다음을 포함하고, 물질 공정 또는 물질과 관련된 공정을 포함하는 반도체 공정을 실시하는 방법: It includes the following, and the method of carrying out a semiconductor process, which comprises the steps associated with the process substance or substances:

상기 물질 중 원하는 성분에 의한 적외선 흡수를 위하여 적외선을 물질로 방사하는 단계; The step of emitting an infrared ray of a material for the infrared absorption by the desired component of said material;

써모파일 검출기로 물질을 통과한 적외선을 검출하는 단계; Detecting infrared light that has passed through the material with a thermopile detector;및 And

다음을 포함하고, 물질 공정 또는 물질과 관련된 공정을 포함하는 반도체 공정을 실시하는 방법: It includes the following, and the method of carrying out a semiconductor process, which comprises the steps associated with the process substance or substances:

다음을 포함하고, 물질의 흐름 또는 물질과 관련된 흐름에 대한 플로우 회로를 가지는 물질 공정 또는 물질과 관련된 공정을 포함하는 반도체 공정을 실시하는 방법: It includes the following, and the method of carrying out a semiconductor process, which comprises the steps relating to the process material or a material having a flow circuit for the flow associated with the flow of the substance or substances:

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 고체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. A method according to any one of claim 30 through claim 33, wherein the material is characterized in that it comprises a solid.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 유체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. The method according to any one of claim 30 through claim 33, wherein the method is characterized in that the material comprises a fluid.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. A method according to any one of claim 30 through claim 33, wherein the material is characterized in that it comprises a liquid.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. A method according to any one of claim 30 through claim 33, wherein the material is characterized in that it comprises a gas.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 공정에서 공정 유닛으로부터 배출되거나 흘러들어가는 상기 물질의 유속을 모니터링하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. Of claim 30 to claim 33 according to any one of claims, characterized in that further including the step of monitoring the flow rate of the material into or discharged flow from the processing apparatus in a semiconductor process.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 반도체 공정 툴의 업스트림에서 모니터되는 것을 특징으로 하는 방법. A method according to any one of claim 30 through claim 33, wherein the material is characterized in that the monitoring in the upstream of the semiconductor processing tool.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 제외 유닛의 업스트림에서 모니터되는 것을 특징으로 하는 방법. 31. The method of claim 30 according to any one of claim 33, wherein the material is characterized in that the monitoring unit at the upstream of the negative.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 물질은 제외 유닛의 다운스트림에서 모니터되는 것을 특징으로 하는 방법. A method according to any one of claim 30 through claim 33, wherein the material is characterized in that the monitoring in the downstream of the negative unit.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 써모파일 검출기의 출력은, 밸브; Article according to claim 33 to 30 wherein any one of items, and the output of the thermopile detectors, valves;질량 흐름 컨트롤러의 지정점; Spot of the mass flow controller;제외 유닛에서 세정 물질의 흐름; Flow of the cleaning material in the negative unit;및 공정에서 물질 스트림의 순환 중 어느 하나를 모듈하도록 적용되는 것을 특징으로 하는 방법. And it characterized in that the application module to either the circulation of matter in the process stream.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 써모파일 검출기의 출력은 첫번째 공정단계를 종결하고, 두번째 공정단계를 개시하기 위하여 적용되는 것을 특징으로 하는 방법. Of claim 30 to claim 33 wherein any one of an output of the thermopile detector is characterized in that the termination of the first process step, applying to initiate a second process step.

제30항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 출력에 상응하여, 상기 반도체 공정에 영향을 미치거나 미치지 않는 하나 이상의 조건을 조절하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. Claim 30 A method according to any one of claims 33, wherein the method comprises in response to the output, the further step of adjusting one or more conditions, or that does not affect the semiconductor process.

제44항에 있어서, 상기 공정에 영향을 미치거나 미치지 않는 하나 이상의 조건은 상기 반도체 공정에서 공정 유닛으로부터 배출되거나 흘러들어가는 물질 스트림의 유속을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. 45. The method of claim 44, wherein the one or more conditions, or that does not affect the process is characterized in that it comprises a flow rate of the material stream entering exhaust or flow from the processing apparatus in the semiconductor manufacturing process.

Fourier transform infrared (FTIR) spectrometric toxic gas monitoring system, and method of detecting toxic gas species in a fluid environment containing or susceptible to the presence of such toxic gas species