H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto

H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process

H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas

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H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices

H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions

H01L23/495—Lead-frames or other flat leads

H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames

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H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process

H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector

H01L2224/321—Disposition

H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip

H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked

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H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00

H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process

H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector

H01L2224/45001—Core members of the connector

H01L2224/4501—Shape

H01L2224/45012—Cross-sectional shape

H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular

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H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process

H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector

H01L2224/45001—Core members of the connector

H01L2224/45099—Material

H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof

H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C

H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent

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H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process

H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector

H01L2224/4805—Shape

H01L2224/4809—Loop shape

H01L2224/48091—Arched

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H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process

H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector

H01L2224/481—Disposition

H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive

H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked

H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process

H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector

H01L2224/485—Material

H01L2224/48505—Material at the bonding interface

H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)

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H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process

H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors

H01L2224/491—Disposition

H01L2224/4912—Layout

H01L2224/49171—Fan-out arrangements

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H01L2224/491—Disposition

H01L2224/4912—Layout

H01L2224/49175—Parallel arrangements

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H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71

H01L2224/732—Location after the connecting process

H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces

H01L2224/73265—Layer and wire connectors

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H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00

H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected

H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector

H01L2224/852—Applying energy for connecting

H01L2224/85201—Compression bonding

H01L2224/85205—Ultrasonic bonding

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H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto

H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process

H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector

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H01L2924/01—Chemical elements

H01L2924/01013—Aluminum [Al]

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H01L2924/01—Chemical elements

H01L2924/01023—Vanadium [V]

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H01L2924/01—Chemical elements

H01L2924/01028—Nickel [Ni]

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H01L2924/01—Chemical elements

H01L2924/01057—Lanthanum [La]

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H01L2924/01—Chemical elements

H01L2924/01079—Gold [Au]

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H01L2924/06—Polymers

H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical

H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

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H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected

H01L2924/1015—Shape

H01L2924/1016—Shape being a cuboid

H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface

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H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected

H01L2924/11—Device type

H01L2924/14—Integrated circuits

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H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected

H01L2924/181—Encapsulation

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H01L2924/20—Parameters

H01L2924/207—Diameter ranges

H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin, small-sized, highly reliable and inexpensive lead frame of a large integration capacity for which at least a center pad type semiconductor chip is provided and plural semiconductor chips are integrally sealed with resin and a resin sealed type semiconductor device using it. SOLUTION: The back surface of the semiconductor chip 11 where the integrated circuit of 64MDRAM is formed is die-bonded to the first surface 1a of a die pad 1 disposed at the almost center of the thickness of sealing resin 17, and the electrode 11a and the upper surface of an inner lead tip part 3a are wire-bonded by a metal thin wire 13. The back surface of the semiconductor chip 14 where the integrated circuit of a flash memory is formed is die-bonded to the second surface 1b of the die pad 1, and the electrode 14a disposed at the long side end and the back surface of an inner lead root 3c are wire-bonded by the metal thin wire 16. Then, they are integrally sealed with sealing resin 17.

Description

Translated from Japanese

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、少なくともセンターパッド型半導体チップを含み複数の半導体チップを一体に樹脂封止して、集積容量の増大、高機能化を図った、薄型、小型で安価なリードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention, a plurality of semiconductor chips includes at least center pad type semiconductor chip sealed with resin together, increasing the accumulation volume, aimed at high performance, thin, small and inexpensive lead frame and a resin sealed semiconductor device using the same.

【０００２】 [0002]

【従来の技術】近年、各種電子機器の高機能化、小型、 In recent years, high functionality of various types of electronic equipment, small size,軽量化の傾向は著しく、勢い、これらに組み込まれる半導体装置にも、益々、記憶容量の増大、高機能、高集積と共に、パッケージ寸法が薄型、小型で安価なものを求める斯界の声は強い。 Trend of weight reduction is remarkable, momentum, to a semiconductor device incorporated into these increasingly increased storage capacity, high performance, along with high integration, package size is thin, the voice of the art to determine what size and inexpensive strong.この要求に応える半導体装置の一つとして、２個の半導体チップを一体に樹脂封止する、 As one of semiconductor device to meet this demand, resin sealing together two semiconductor chips,いわゆるマルチチップパッケージ技術が提案されている。 The so-called multi-chip package technology has been proposed.その事例として、例えば、実開平６−２７１３号公報には、平面が長方形の少なくとも２個の半導体チップを互いに直角に、かつ電極の向きを同じにしてダイパッド上に絶縁物を介して積み重ねて固着し、それぞれの半導体チップの電極と４方向に設けたリードとを金属細線で接続し、樹脂モールドで封止した樹脂封止型半導体装置が開示されている。 As a case, for example, the real-Open 6-2713, JP-plane at least two semiconductor chips of each other at right angles rectangular, and by the orientation of the electrode in the same stacking through an insulator on a die pad affixed and, a lead provided on the electrode and the four directions of the respective semiconductor chips are connected by thin metal wires, resin-encapsulated semiconductor device encapsulated with the resin mold is disclosed.また、特開平５−１２１４６２号公報には、半導体チップ搭載部の第１の面側に第１の半導体チップを搭載し、ワイヤボンディング及び樹脂封止した後、半導体チップ搭載部の第２の面側に第２の半導体チップを搭載し、ワイヤボンディング及び樹脂封止を行う樹脂封止型半導体装置が開示されている。 JP-A-5-121462, a first semiconductor chip mounted on the first surface side of the semiconductor chip mounting portion, after the sealed wire bonding and resin molding, the second surface of the semiconductor chip mounting portion a second semiconductor chip is mounted on the side, a resin-encapsulated semiconductor device is disclosed for performing a wire bonding and resin sealing.また、特開平１１−１６３２５５号公報には、表面中央部に電極が設けられたセンターパッド型半導体チップ２個の裏面同士を向かい合わせた状態で積層し、インナリードは二つに分岐して、一方は半導体チップの一方の表面に絶縁性フィルムを介して固定し、分岐したインナリードの他方は半導体チップの他方の表面に絶縁性フィルムを介して固定して、各インナリードの先端部分は各半導体チップの電極とＡｕワイヤで接続した状態で一体に樹脂封止した、半導体チップ２個内蔵型のＬＯＣ型樹脂封止型半導体装置が開示されている。 JP-A-11-163255, stacked with the electrode on the surface central portion thereof facing the center pad type semiconductor chip 2 of the back between provided, the inner lead is branched into two, one is fixed via one of the insulating film on the surface of the semiconductor chip, the other branched inner leads are fixed via an insulating film on the other surface of the semiconductor chip, the tip portion of each of the inner leads each resin-sealed together while connected with the electrode and the Au wire semiconductor chip, two semiconductor chips embedded in LOC type resin-sealed semiconductor device is disclosed.

【０００３】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、実開平６− The object of the invention is to be Solved However, the real No. 6２７１３号公報記載の考案及び特開平５−１２１４６２ Devised and JP-A of 2713 JP 5-121462号公報記載の発明において使用されている２個の半導体チップは、いずれも、電極が半導体チップの周辺近傍に配設されたものである。 Two semiconductor chips used in the invention of JP are both one in which electrodes are disposed about the periphery of the semiconductor chip.ところで、半導体装置の容量を大きくしようとすると、パッケージサイズを小さく規制されても半導体チップサイズはある程度大きくせざるを得ないのが通常である。 Meanwhile, an attempt to increase the capacity of the semiconductor device, the semiconductor chip size be smaller restricted package size which is normally somewhat larger inevitably.ところが、電極が半導体チップの周辺に配設されたものにおいては、インナリード長さの所要寸法確保の必要から半導体チップのサイズアップが制限される。 However, in those electrodes are disposed on the periphery of the semiconductor chip, the semiconductor chip size up is limited by the need for inner lead length of the required dimensions ensured.更に、インナリードの先端をできるだけ半導体チップに近接配置してインナリード長さを稼ごうとすると、ワイヤボンディングの際に金属細線が半導体チップのエッジに接触するという問題があり、これを避けるためにはボンディングワイヤ高さを増さざるを得ず、そうするとパッケージ厚さの増加を招く。 Furthermore, when Earn inner lead lengths disposed close the tip of the inner lead as possible to the semiconductor chip, metal fine wires during the wire bonding has a problem that contact with the edge of the semiconductor chip, in order to avoid this inevitably masa bonding wire height, Then leads to an increase of the package thickness.つまり、 That is,上記公報記載の構成における樹脂封止型半導体装置では、パッケージ平面寸法を小さく、かつ厚さを薄く規制されると、半導体装置の容量を大きくする上での制限が多く、大幅な容量増大が難しいという問題がある。 In the resin sealed semiconductor device in the configuration disclosed in the above publication, small package planar dimensions, and when it is thinned regulating the thickness, number, difficult significant capacity increase, limitation on increasing the capacity of a semiconductor device there is a problem in that.

【０００４】また、特開平１１−１６３２５５号公報記載の発明においては、パッケージ内における半導体チップの占有面積を大きくし易く容量増大が容易なセンターパッド型半導体チップを使用するので、容量を増大する点では有利であるが、インナリードを半導体チップ表面に絶縁性フィルムを介して固定する複雑な構造であるため、資材費も組み立てコストも割高になる。 Further, in the invention of JP-A-11-163255 JP, since easily increased capacity by increasing the area occupied by the semiconductor chip to use easy center pad type semiconductor chip in the package, the point of increasing the capacity in it is advantageous, since a complex structure for fixing via an insulating film inner lead on the semiconductor chip surface, material costs also assembly cost becomes more expensive.特に設備面では、新規な製造設備の導入を要し、設備償却費のアップを招く問題がある。 Especially in terms of facilities, requires the introduction of new manufacturing equipment, there is a problem that leads to up of equipment and amortization.また、吸湿ヒートサイクル試験で剥離発生が懸念される等の問題もある。 There is also a problem that peeling occurs at moisture absorption heat cycle test is concerned.

【０００５】この発明は以上のような問題点を解消するためになされたものであり、少なくとも１個のセンターパッド型半導体チップを含む複数の半導体チップを一体に樹脂封止するようにして、集積容量の増大化及び高機能化が図れて、パッケージが薄型で小型、かつ安価で信頼性の高いものが得られる、リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置を提供するものである。 [0005] The invention has been made to solve the problems described above, a plurality of semiconductor chips including at least one center pad type semiconductor chip so as to resin sealing together, integrated and Hakare is increased and high functionality of capacity, package size, and high reliability at low cost is obtained a thin, there is provided a lead frame and resin-sealed semiconductor device.

【０００６】 [0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフレームは、少なくとも上部表面中央部に電極が配設された第１の半導体チップを含み複数の半導体チップがダイボンドされるダイパッドと、このダイパッドを支持する吊りリードと、ダイパッド端部に近接配置され、ダイパッドの面に平行で、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面及び上部表面の端部に電極が配設された第２の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられたインナリードとを備えたものである。 Means for Solving the Problems] lead frame according to the present invention includes a die pad on which a plurality of semiconductor chips including a first semiconductor chip having electrodes disposed on at least the upper surface central portion is die-bonded, the die pad hanging lead support, is disposed close to the die pad end, parallel to the plane of the die pad, electrode disposed at an end of the plane and the upper surface of the thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip It has been by the electrode and the wire bonding of the second semiconductor chip in which a plane thin metal wires are connected and a inner leads provided.また、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面を、ダイボンドされた第１の半導体チップの上部表面から所要寸法突出して配置したものである。 Moreover, in which a plane thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip, and arranged to predetermined dimensions protruding from the upper surface of the first semiconductor chip is die-bonded.

【０００７】また、インナリードを、第１の半導体チップの電極の配列に沿うダイパッドの対向する二辺端部に近接配置され、表面又は裏面の少なくとも一方の面側に第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面を設けたものである。 Further, the inner leads, are disposed close to two sides end portions facing the die pad along the sequence of the first semiconductor chip electrodes, the surface or the back surface of the first semiconductor chip electrode on at least one side and in which thin metal wires provided with a plane which is connected by wire bonding.また、 Also,インナリードを、第１の半導体チップの電極の配列に沿うダイパッドの対向する二辺端部に近接配置され表面又は裏面の一方の面側に第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられた第１のインナリードと、ダイパッドの他の対向する二辺端部に近接配置され表面又は裏面の一方の面側に第２の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられた第２のインナリードとを備えたものである。 The inner leads, metal thin wires by the first semiconductor chip electrode and the wire bonding on one side of the array along opposite disposed close to the two sides end in front or back surface of the die pad of the first semiconductor chip electrodes the first and the inner leads, metal by the second semiconductor chip electrode and the wire bonding on one side of the closely spaced front or rear surface to the two sides end in other opposed die pad plane connected is provided is obtained by a second inner leads plane thin line is connected is provided.また、インナリードを金属細線が接続される平面を有する相互に分岐したインナリード部で構成し、この分岐したインナリード部の内、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面を、第１の半導体チップの電極側に面して設けたものである。 Further, the inner leads constituted by the inner lead portions which branches to each other with a plane thin metal wire is connected, among the inner lead portions that branch, the thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip the that plane, but provided facing the electrode side of the first semiconductor chip.また、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続されるインナリードの平面を、ダイボンドされた第１の半導体チップの上部表面から最大５０μｍ突出して配置したものである。 Further, the first semiconductor chip electrode and the plane of inner leads which thin metal wires are connected by wire bonding, in which was placed in maximum 50μm protrude from the upper surface of the first semiconductor chip is die-bonded.

【０００８】この発明に係る樹脂封止型半導体装置は、 [0008] resin-encapsulated semiconductor device according to the invention,少なくとも上部表面中央部に電極が配設された第１の半導体チップを含む複数の半導体チップと、この複数の半導体チップがダイボンドされたダイパッドと、複数の半導体チップの各電極にワイヤボンディングされた金属細線と、ダイパッド端部に近接配置され、ダイパッドの面に平行で、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面及び上部表面の端部に電極が配設された第２の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられたインナリードと、複数の半導体チップ、ダイパッド、金属細線及びインナリードを封止した封止樹脂とを備えて構成したものである。 A plurality of semiconductor chips and a die pad the plurality of semiconductor chips are die-bonded, metal is wire-bonded to the electrodes of the plurality of semiconductor chips including a first semiconductor chip electrodes on at least the upper surface central portion is arranged and fine lines, are disposed close to the die pad end, parallel to the plane of the die pad, the electrode is disposed at an end of the plane and the upper surface of the thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip and the inner lead is a plane thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the two semiconductor chips provided, constructed with a plurality of semiconductor chips, a die pad, and a sealing resin sealing the thin metal wires and the inner leads it is intended.また、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面を、ダイボンドされた第１の半導体チップの上部表面から所要寸法突出して配置したものである。 Moreover, in which a plane thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip, and arranged to predetermined dimensions protruding from the upper surface of the first semiconductor chip is die-bonded.

【０００９】また、複数の半導体チップを、第１の半導体チップと第２の半導体チップとして、第１の半導体チップの裏面をダイパッドの一方の面にダイボンドし、第２の半導体チップの裏面をダイパッドの一方の面と反対側の面に第１の半導体チップの電極と電極配列の方向が同一となるようにダイボンドしたものである。 Further, a plurality of semiconductor chips, as the first semiconductor chip and second semiconductor chip, a back surface of the first semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad, the die pad to the rear surface of the second semiconductor chip direction on one surface of the opposite side of the surface the first semiconductor chip electrode and the electrode array is obtained by die bonding to be the same.また、複数の半導体チップを、第１の半導体チップと第２の半導体チップとして、第１の半導体チップの裏面をダイパッドの一方の面にダイボンドし、第２の半導体チップの裏面をダイパッドの一方の面と反対側の面に第１の半導体チップの電極と電極配列の方向が直交するようにダイボンドしたものである。 Further, a plurality of semiconductor chips, as the first semiconductor chip and second semiconductor chip, a back surface of the first semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad, one of the die pad to the rear surface of the second semiconductor chip the surface of the surface opposite to one in which the direction of the first semiconductor chip electrode and the electrode array is die-bonded so as to be orthogonal.

【００１０】また、複数の半導体チップを、第１の半導体チップと第２の半導体チップとして、第２の半導体チップの裏面をダイパッドの一方の面にダイボンドし、第１の半導体チップの裏面を第２の半導体チップの上に第２の半導体チップの電極と電極配列の方向が同一となるようにダイボンドしたものである。 Further, a plurality of semiconductor chips, as the first semiconductor chip and second semiconductor chip, die-bonded back surface of the second semiconductor chip on one face of the die pad, the back surface of the first semiconductor chip first on the second semiconductor chip direction of the second semiconductor chip electrode and the electrode array is obtained by die bonding to be the same.また、複数の半導体チップを、第１の半導体チップと第２の半導体チップとして、第２の半導体チップの裏面をダイパッドの一方の面にダイボンドし、第１の半導体チップの裏面を第２の半導体チップの上に第２の半導体チップの電極と電極配列の方向が直交するようにダイボンドしたものである。 Further, a plurality of semiconductor chips, as the first semiconductor chip and second semiconductor chip, a back surface of the second semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad, the back surface of the first semiconductor chip second semiconductor direction of the second semiconductor chip electrode and the electrode array on the chip is obtained by die bonding to be orthogonal.また、インナリードを金属細線が接続される平面を有する相互に分岐したインナリード部で構成し、少なくともその一方のインナリード部に第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面を設たものである。 Further, the inner leads constituted by the inner lead portions which branches to each other with a plane thin metal wires are connected, the thin metal wires are connected by the first semiconductor chip electrode and the wire bonding to at least one of its inner lead portion plane is intended was set to.また、第１の半導体チップの電極にワイヤボンディングされた金属細線が接続されるインナリードの平面を、ダイボンドされた第１の半導体チップの上部表面から最大５０μｍ突出して配置したものである。 Also, the plane of inner leads electrode wire bonded thin metal wire of the first semiconductor chip is connected, in which was placed in maximum 50μm protrude from the upper surface of the first semiconductor chip is die-bonded.また、複数の半導体チップを第１の半導体チップで構成し、ダイパッドの両面にこの第１の半導体チップをダイボンドしたものである。 Also, to configure a plurality of semiconductor chips in the first semiconductor chip is obtained by die-bonding the first semiconductor chip on both sides of the die pad.

【００１１】この発明に係る樹脂封止型半導体装置は、 [0011] resin-encapsulated semiconductor device according to the invention,上部表面中央部に電極が配設された１５０μｍ 以下の厚さを有する２個の半導体チップと、この半導体チップが両面にダイボンドされたダイパッドと、各半導体チップの電極にワイヤボンディングされた金属細線と、ダイパッドと同じ平面に設けられ半導体チップの電極配列に沿うダイパッドの二辺の各端部に近接配置されて、その先端部近傍の表面又は裏面に上記各金属細線が接続されたインナリードと、半導体チップ、ダイパッド、金属細線及びインナリードを封止した封止樹脂とを備えて構成したものである。 And two semiconductor chips are electrodes on the upper surface central portion having been 150μm or less in thickness disposed, and die pad the semiconductor chip is die-bonded on both sides, the thin metal wires that are wire-bonded to the electrodes of each semiconductor chip , they are arranged close to each end of the two sides of the die pad along the electrode arrangement of the semiconductor chips provided in the same plane as the die pad, and the inner leads on the front or back surface in the vicinity of its distal end is above the thin metal wire is connected, semiconductor chip, the die pad, is constructed by a sealing resin that seals the thin metal wires and the inner leads.また、複数の半導体チップを、それぞれ異なる機能を有する集積回路が形成されたものとしたものである。 Further, a plurality of semiconductor chips, in which it is assumed that the integrated circuit having a different function is formed.また、複数の半導体チップを、それぞれ同一機能を有する集積回路が形成されたものとしたものである。 Further, a plurality of semiconductor chips, in which it is assumed that the integrated circuit, each having the same function are formed.

【００１２】 [0012]

【発明の実施の形態】実施の形態１． DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Embodiment 1.以下、この発明の一実施の形態につき、図面に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.図１ Figure 1は、この発明の実施の形態１である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図、図２は、図１ Is a fragmentary sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2, FIG. 1の面と反対側の面側における要部断面平面図、図３は、 Main part sectional plan view of the surface of the opposite side of FIG. 3,図１のIII −III 方向に見た断面図である。 It is a sectional view taken on III -III direction in FIG.図において、１は、封止樹脂１７のほぼ中央部に配置されたダイパッドであり、その上面である第１の面１ａには、例えば６４ＭＤＲＡＭ（Ｍｅｇａｂｉｔ Ｄｙｎａｍｉｃ In the figure, 1 is a die pad disposed in a substantially central portion of the sealing resin 17, the first surface 1a which is the upper surface, for example, 64M DRAM (Megabit DynamicＲａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）の集積回路が表面に形成された、平面が矩形状の半導体チップ１ Random Access Memory) of the integrated circuit is formed on the surface, the semiconductor plane rectangular chip 1１の裏面がダイボンドされている。 1 the back are die-bonded.２は、リードフレームの枠（いずれも図示せず）に連結されてダイパッド１ 2, the die pad 1 is connected to the frame of the lead frame (both not shown)を支持する吊りリード、３は外部リードのインナリードであり、そのインナリード先端部３ａは、ダイパッド１ Supporting the suspension leads, 3 is the inner leads of the external lead, the inner lead tip portion 3a, the die pad 1と同じ平面に設けられ封止樹脂１７のほぼ中央部から外部へ突出するアウタリード４に連設されたインナリード付け根部３ｃから曲折部３ｂで上方へ折り曲げられた先に、上面がダイパッド１の第１の面１ａと平行で、半導体チップ１１の表面から最大５０μｍ出た高さの位置になるように配置されている。 Previously bent upwardly bent portion 3b from the inner lead root portion 3c provided continuously to the outer leads 4 projecting from the substantially central portion to the outside of the sealing resin 17 provided in the same plane as, the upper surface of the die pad 1 parallel to the first surface 1a, are arranged so as to be at a height leaving maximum 50μm from the surface of the semiconductor chip 11.１１ａは半導体チップ１１ 11a is a semiconductor chip 11の表面中央部に半導体チップ１１の長辺に沿って配設されたアルミニウム膜からなる集積回路の電極、１３は電極１１ａとリードフレームの先端部３ａとを電気的に接続する金属細線であり、Ａｕ製で通常φ２０〜３０μｍ Integrated circuit electrodes on the center part of the surface of formed of an aluminum film which is disposed along the long sides of the semiconductor chip 11, 13 is a thin metal wire for electrically connecting the distal end portion 3a of the electrode 11a and the lead frame, normal φ20~30μm made of Auサイズの細線を用いてワイヤボンディング接続される。 It is wire bonding using a thin wire size.ワイヤボンディングは通常の超音波圧着法によっている。 Wire bonding are by conventional ultrasonic bonding method.

【００１３】この場合、ループ長さは４〜５ｍｍ程度の長いものとなるが、金属細線１３は半導体チップ１１の表面から最大５０μｍ出た位置に配置されたインナリード先端部３ａの上面にステッチボンディングされるので、金属細線１３が途中で半導体チップ１１のエッジに接触することはない。 [0013] In this case, loop length is becomes long as about 4 to 5 mm, the metal thin wire 13 is stitch-bonded to the upper surface of the inner lead tip portion 3a arranged in the maximum 50μm exit position from the surface of the semiconductor chip 11 since the, it does not contact the edge of the semiconductor chip 11 in the middle metal thin wire 13.なお、インナリード先端部３ａの上面の高さは高いほど金属細線１３のエッジ接触防止上は有利であるが、封止樹脂１７の厚さが規制される中で金属細線露出を防ぐ必要があり、最大５０μｍ出た高さに抑えている。 The height of the upper surface of the inner lead tip portion 3a edge contact prevention on the higher fine metal wires 13 is advantageous, it is necessary to prevent the metal thin wires exposed in the thickness of the sealing resin 17 is restricted , it is kept to a height leaving up to 50μm.また、センターパッド型半導体チップを用いたＬＯＣ型の樹脂封止型半導体装置の封止樹脂内における半導体チップの占有面積は約７０％程度とすることができるので、電極周辺配置型の通常構造の半導体チップでは約３５％であるのに比べると、小型化、大容量化には極めて有利である。 Further, since the area occupied by the semiconductor chip can be on the order of about 70% in the center pad type semiconductor chip sealing resin LOC type resin-encapsulated semiconductor device using a normal structure of the electrode around array type compared to the semiconductor chip is about 35%, reduction in size, the capacity is very advantageous.

【００１４】１４は、例えばフラッシュメモリの集積回路が表面に形成された半導体チップであり、その裏面はダイパッド１の第２の面１ｂにダイボンドされている。 [0014] 14 is a semiconductor chip integrated circuits of the flash memory is formed on the surface for example, the back surface is die-bonded to the second face 1b of the die pad 1.１４ａは半導体チップ１４の長辺側両端部近傍に配設されたアルミニウム膜からなる集積回路の電極、１６は電極１４ａとインナリード付け根部３ｃの下面側とを電気的に接続する金属細線であり、金属細線１３と同様の径サイズの細線を用いて通常の超音波圧着法によりワイヤボンディングされる。 14a is the electrode of the integrated circuit consisting of an aluminum film disposed long sides near both ends of the semiconductor chip 14, 16 is a lower surface side of the electrode 14a and the inner lead root portion 3c in electrically connected to the thin metal wires is wire bonded by conventional ultrasonic bonding method using a thin wire having the same diameter size as fine metal wires 13.以上のように組み立てた後、トランスファモールド法によりエポキシ樹脂を用いて封止樹脂１７を形成し、ダイパッド１、インナリード３、半導体チップ１１、金属細線１３、半導体チップ１４、金属細線１６及び吊りリード２を一体に封止し、アウタリード４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置１８ After assembly as described above, using an epoxy resin to form a sealing resin 17 by transfer molding, the die pad 1, the inner lead 3, the semiconductor chip 11, metal fine wires 13, the semiconductor chip 14, metal fine wires 16 and suspension leads 2 sealed together, processed outer leads 4 into a predetermined shape resin-sealed semiconductor device 18が完成する。 There is completed.なお、この場合、ダイパッド１及びインナリード付け根部３ｃは封止樹脂１７の厚さのほぼ中央部に配置することにより、樹脂封止時における上下の樹脂の圧力バランスを図っている。 In this case, the die pad 1 and the inner lead root portion 3c by placing in a substantially central portion of the thickness of the sealing resin 17, thereby achieving a pressure balance between the upper and lower resin during resin sealing.そうして、金属細線１３ Then, the fine metal wires 13と封止樹脂１７の上面との距離並びに金属細線１６と封止樹脂１７の下面との距離は、共に少なくとも５０μｍ The distance between the lower surface of the distance as well as the thin metal wires 16 and the sealing resin 17 and the upper surface of the sealing resin 17 and are both at least 50μmを有するように形成して、金属細線１３，１６が封止樹脂１７の外面に露出するのを防止し、高品質で薄型のパッケージを形成している。 Formed to have a thin metal wire 13, 16 is prevented from being exposed to the outer surface of the sealing resin 17, forming a thin package with high quality.

【００１５】本実施の形態１においては、以上のように、一つのパッケージ内に薄型、小型で集積度の高いセンターパッド型の半導体チップ１１と、電極周辺配置型の通常構造の半導体チップ１４とをダイパッド１の表裏面にそれぞれダイボンドし、インナリード先端部３ａの上面を半導体チップ１１の表面から最大５０μｍ出た位置に配置した状態で、通常の安定した安価なワイヤボンディング法を用いて金属細線１３，１６で接続した後、 [0015] In the first embodiment, as described above, thin in one package, the semiconductor chip 11 compact in highly integrated center pad type, a semiconductor chip 14 of the normal structure of the electrode around array type the die-bonded respectively to the front and back surfaces of the die pad 1, in the state in which the upper surface of the inner lead tip portion 3a at a position leaving maximum 50μm from the surface of the semiconductor chip 11, metal fine wires using inexpensive wire bonding method normal stable after connecting with 13, 16,これらを一体に樹脂封止する構成としたので、集積容量が大きく高機能であるにも拘わらず、パッケージ厚さを薄く、かつ小型化でき、それぞれのワイヤボンディング中に金属細線１３，１６と半導体チップ１１，１４の各エッジとの接触を生じることもない、安価で信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる。 These so has a structure that resin sealing together, despite the high functionality greater integration capacity, reduce the package thickness, and can be miniaturized, the thin metal wires 13 and 16 in the respective wire bonding and semiconductor does not cause contact between each edge of the chip 11 and 14, low cost and reliable resin-sealed semiconductor device is obtained.

【００１６】次に、上記樹脂封止型半導体装置１８において使用するリードフレームの構成を説明する。 [0016] Next, the configuration of the lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device 18.図４ Figure 4は、この発明の実施の形態１である樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおける半導体装置樹脂封止部を示す平面図、図５は、図４のV −V 方向に見た断面図、図６は、この発明の実施の形態１である樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程を終えた状態のリードフレームを示す平面図である。 Is a plan view showing a semiconductor device resin-molded portion of the lead frame of the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, FIG 5 is a sectional view taken on V -V direction in FIG. 4, FIG. 6 is a plan view showing a lead frame in a state of completion of resin sealing step of the resin-encapsulated semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.図４において、２はリードフレーム２ 4, 2 leadframe 2０の縦外枠７又は横方向仕切り板８（いずれも図示せず）に連結されてダイパッド１を支持する吊りリード、 0 vertical enclosure 7 or lateral partition plate 8 suspension leads supporting the die pad 1 is connected to (both not shown) of,５は封止樹脂１７の外側面近傍においてアウタリード４ 5 is an outer lead 4 on the outer surface near the sealing resin 17相互間を連結し端部が上記縦外枠７又は横方向仕切り板８に連結されたタイバーである。 End to connect them each other is a tie bar which is connected to the vertical enclosure 7 or lateral partition plate 8.そうして、インナリード先端部３ａの上面は、図５に示すように、ダイパッド１と同一平面に形成されたインナリード付け根部３ｃから曲折部３ｂで上方へ折り曲げられてダイパッド１の第１の面１ａと平行に、かつ上記第１の面１ａにダイボンドされる半導体チップ１１の上面からの高さ寸法ｇが最大５０μｍ 出た高さとなるように配置されている。 Then, the inner lead tip portion 3a the upper surface, as shown in FIG. 5, the die pad 1 and the inner lead root portion 3c formed on the same plane bent upwardly bent portion 3b of the die pad 1 first parallel to the plane 1a, and a height dimension g between the upper surface of the semiconductor chip 11 is die-bonded to the first surface 1a is disposed so that the height exiting maximum 50 [mu] m.

【００１７】リードフレーム２０は、例えば４２％Ｎｉ [0017] The lead frame 20 is, for example, 42% Ni−Ｆｅ合金材を用いて、図６に示すように、平行する上下端の横外枠６間に樹脂封止工程を終えた封止樹脂１７ Using -Fe alloy material, as shown in FIG. 6, the sealing resin finished resin sealing step between the lateral outer frame 6 on the lower end of the parallel 17が縦方向仕切り板９で相互に隔てて３個並設したものを、平行する両端の縦外枠７（向かって右端のみ図示） There longitudinal partition plate 9 ends of the vertical enclosure 7 to those 3 Konami設 apart from each other, parallel with (only right end)間に横方向仕切り板８で相互に隔てて横方向に、例えば、１０組配列（図示せず）されている。 In lateral partition plate 8 spaced from each other in the lateral direction, for example, are 10 pairs arranged (not shown) between.１０は横外枠６に開口された送り穴である。 10 is a feed hole opened in Yokogaiwaku 6.この後の工程で、送り穴１０を介してリードフレーム２０を順次横方向送りしながら、公知の方法により、タイバー５、アウタリード４ In a subsequent step, while sequentially laterally feeding the lead frame 20 through the feed holes 10, by a known method, tie bars 5, the outer leads 4及び吊りリード２が切断される。 And suspension leads 2 are cut.そうして、アウタリード４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置１８ Then, by processing the outer leads 4 into a predetermined shape resin-sealed semiconductor device 18が完成する。 There is completed.

【００１８】実施の形態２． [0018] Embodiment 2.図７は、この発明の実施の形態２である樹脂封止型半導体装置の要部断面平面図、 Figure 7 is a fragmentary cross-sectional plan view of a resin encapsulated semiconductor device embodiment is a second embodiment of the present invention,図８は、図７のVIII−VIII方向に見た断面図である。 Figure 8 is a sectional view taken on VIII-VIII direction of FIG.図示のように、本実施の形態２の樹脂封止型半導体装置２ As shown, the resin-sealed-type semiconductor device of the second embodiment 2８は、ダイパッド１の第１の面１ａ上に上記半導体チップ１４の裏面がダイボンドされ、この半導体チップ１４ 8, the back surface of the semiconductor chip 14 is die-bonded on the first surface 1a of the die pad 1, the semiconductor chip 14上に絶縁性接着剤又は絶縁性接着テープ（図示せず）を用いて上記半導体チップ１１の裏面がダイボンドされている。 The back surface of the semiconductor chip 11 using an insulating adhesive or an insulating adhesive tape on (not shown) is die-bonded.この場合、それぞれの電極１１ａ，１４ａの配列方向は、半導体チップ１１，１４の各長辺に沿う同一方向に配列されている。 In this case, the arrangement direction of each of the electrodes 11a, 14a are arranged in the same direction along each long side of the semiconductor chip 11 and 14.２３はインナリードであり、ダイパッド１と同じ平面に形成されたアウタリード４に連設して直線状にダイパッド１へ向けて延在する第１のインナリード部２１及びこの第１のインナリード部２１から隣接する側部へ分岐された第２のインナリード部２２からなり、第２のインナリード部２２は、第１のインナリード部２１から同じ平面で隣接する側部へ分岐した分岐インナリード付け根部２２ｃ、この分岐インナリード付け根部２２ｃから上方へ曲折部２２ｂで折り曲げられて分岐インナリード先端部２２ａに連結されている。 23 is an inner lead, the first inner lead portion 21 and the first inner lead portion 21 extending toward the die pad 1 in a straight line and continuously to the outer leads 4 formed in the same plane as the die pad 1 made from the second inner lead portion 22 which is branched to an adjacent side of the second inner lead portion 22, a first inner lead portion 21 from the adjacent branch inner lead root branching to the side in the same plane part 22c, are connected to the branch inner lead tip portions 22a from the branch inner lead root portion 22c bent at the bent portion 22b upward.なお、分岐インナリード先端部２２ａは、実施の形態１におけるインナリード先端部３ａと同様に、その上面はダイパッド１の第１の面１ａに平行で半導体チップ１１の表面から最大５０μｍ 出た位置に配置されている。 Incidentally, the branch inner lead tip portion 22a, similarly to the inner lead tip portions 3a of the first embodiment, on its upper surface comes up 50μm from the surface of the semiconductor chip 11 parallel to the first face 1a of the die pad 1 position It is located.

【００１９】そうして、通常の超音波圧着法によるワイヤボンディングにより、電極１４ａと第１のインナリード部２１の先端部上面とが金属細線１５により接続され、電極１１ａと分岐インナリード先端部２２ａとが金属細線１３により接続された後、実施の形態１におけると同様に、封止樹脂１７によりダイパッド１、半導体チップ１１、金属細線１３、半導体チップ１４、金属細線１５、インナリード２３及び吊りリード２を一体に封止し、アウタリード４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置２８が完成する。 [0019] Then, by wire bonding by conventional ultrasonic bonding method, the upper surface of the front end portion of the electrode 14a and the first inner lead portion 21 is connected by thin metal wires 15, electrodes 11a and the branch inner lead tip portions 22a after bets are connected by thin metal wires 13, as in the first embodiment, the die pad 1 by the sealing resin 17, the semiconductor chip 11, metal fine wires 13, the semiconductor chip 14, metal wires 15, the inner leads 23 and suspension leads 2 sealed together, the resin-encapsulated semiconductor device 28 is completed by processing the outer leads 4 into a predetermined shape.なお、樹脂封止型半導体装置２８の形成に使用されるリードフレーム（図示せず） Incidentally, a lead frame used to form the resin-encapsulated semiconductor device 28 (not shown)の構成は、インナリード２３が上記構成となる他は、実施の形態１におけるもの（図４、図６記載）と同一である。 Structure of the other of the inner leads 23 is configured as described above are the same as those in the first embodiment (FIG. 4, FIG. 6 described).なお、この場合、金属細線１３と封止樹脂１７の上面との距離並びにダイパッド１の第２の面１ｂと封止樹脂１７の下面との距離は、共に少なくとも５０μｍ以上となるように形成して、金属細線１３及びダイパッド１ In this case, the distance between the lower surface of the second face 1b and the sealing resin 17 of the distance and the die pad 1 and the upper surface of the metal thin wire 13 and the sealing resin 17 is formed so as to both be at least 50μm or more , thin metal wires 13 and the die pad 1が封止樹脂１７の外面に露出するのを防止し、高品質で薄型のパッケージを形成している。 There prevented from being exposed to the outer surface of the sealing resin 17, forming a thin package with high quality.本実施の形態２の樹脂封止型半導体装置２８は以上のように構成したので、 Since resin-sealed semiconductor device 28 of the present embodiment 2 is configured as described above,実施の形態１におけると同等の効果を奏する。 It achieves the same effect as in the first embodiment.

【００２０】実施の形態３． [0020] Embodiment 3.図９は、この発明の実施の形態３である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図、図１０は、図９の面と反対側の面側における要部断面平面図、図１１は、図９のXI−XI方向に見た断面図である。 Figure 9 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 10 is a fragmentary sectional plane in opposite side of the plane of FIG. 9 Figure 11 is a cross-sectional view taken on the XI-XI direction of FIG.図示のように、本実施の形態３の樹脂封止型半導体装置３８は、例えば、封止樹脂１７の厚さのほぼ中央部に配置されたダイパッド１の第１の面１ａに上記半導体チップ１１をダイボンドし、次いで、 As shown, the resin-sealed-type semiconductor device 38 of the third embodiment, for example, the semiconductor chip 11 on a first surface 1a of the die pad 1, which is located approximately in the middle portion of the thickness of the sealing resin 17 the die bonding, then,リードフレーム（図示せず）を裏返し、ダイパッド１の第２の面１ｂに他の半導体チップ１１をダイボンドする。 Turn the lead frame (not shown), it is die-bonded to another semiconductor chip 11 to the second face 1b of the die pad 1.そうして、このダイパッド１の第２の面１ｂにダイボンドした半導体チップ１１の電極１１ａと下面がこの半導体チップ１１の下面よりも最大５０μｍ出た低い位置に配置されたインナリード付け根部３３ｃの下面とを金属細線１２でワイヤボンディング接続する。 Then, the lower surface of the second electrode 11a and the lower surface of the semiconductor chip 11 die-bonded to the surface 1b is inner lead root portion 33c disposed at a lower position exiting maximum 50μm lower surface of the semiconductor chip 11 of the die pad 1 preparative wire bonding connection by a metal thin wire 12.次いで、 Then,リードフレーム（図示せず）を裏返し、ダイパッド１の第１の面１ａにダイボンドした半導体チップ１１の電極１１ａと上面がこの半導体チップ１１の上面よりも最大５０μｍ出た位置に配置されたインナリード先端部３３ Turn the lead frame (not shown), inner lead tip disposed at a position where the electrode 11a and the upper surface of the semiconductor chip 11 die-bonded to the first face 1a of the die pad 1 comes up to 50μm from the upper surface of the semiconductor chip 11 part 33ａの上面とを金属細線１３でワイヤボンディング接続する。 An upper surface of a wire bonding connection by a metal thin wire 13.この場合、ワイヤボンディング時に下の半導体チップ１１及び金属細線１３にダメージを与えないように、 In this case, so as not to damage the semiconductor chip 11 and the metal thin wire 13 of the lower to the time of wire bonding,ダイパッド１の下面で支える等の工夫が必要である。 Devising such support at the lower surface of the die pad 1 is required.３ 3２はダイパッド１を支持する吊りリードである。 2 is a suspended lead for supporting the die pad 1.以上のようにして組み立てた後、ダイパッド１、上下の半導体チップ１１、金属細線１２，１３、インナリード３３及び吊りリード３２を封止樹脂１７により一体に封止したものである。 After assembled as described above, the die pad 1, the upper and lower semiconductor chips 11, the thin metal wires 12 and 13, in which sealed together by the inner leads 33 and the suspension leads 32 sealing resin 17.

【００２１】各種電子機器の高機能化、小型、軽量化に伴う高機能で大容量の樹脂封止型半導体装置に対する需要も加速傾向にあり、例えば、６４ＭＤＲＡＭが市場に定着しつつある段階で、更に容量ＵＰした１２８ＭＤＲ The high performance of various electronic devices, a small demand for resin-encapsulated semiconductor device having a large capacity high function with weight reduction is in the accelerating trend, for example, at a stage where 64MDRAM is being established in the market, In addition 128MDR that capacity UPＡＭを要求する顧客の声がある。 There is a voice of the customer to request the AM.この需要に早急に応えるためには、１２８ＭＤＲＡＭの半導体装置を早急に開発し供給すればよい訳であるが、品質を安定させてコマーシャルベースに乗せるまでには期間を要する。 To meet urgently in this demand, but mean that may be quickly developed by supplying the semiconductor device 128MDRAM, it takes period until put into commercial base to stabilize the quality.このような場合には、既に品質も安定し使用実績もある６４Ｍ In such a case, 64M already there is also a quality stable and actual useＤＲＡＭを２個組み合わせて大容量化する本実施の形態３の構成による樹脂封止型半導体装置は、品質が安定した薄型で小型の製品を迅速に供給して顧客の需要に応えられる点でメリットがある。 Resin-sealed semiconductor device according to the configuration of the present embodiment 3 of large capacity by combining two DRAM is advantageous quality is quickly supplied to small products in a stable thin in that meet customer demand there is.

【００２２】次に、上記樹脂封止型半導体装置３８において使用するリードフレームの構成を説明する。 Next, the configuration of the lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device 38.図１２ Figure 12は、この発明の実施の形態３である樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおける半導体装置樹脂封止部を示す平面図、図１３は、図１２のXIII−XIII方向に見た断面図、図１４は、図１２のXIV −XIV 方向に見た断面図である。 Is a plan view showing a semiconductor device resin-molded portion of the lead frame of the resin-encapsulated semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 13 is a sectional view taken on XIII-XIII direction in FIG. 12, FIG. 14 is a sectional view taken on XIV XIV direction in Fig. 12.図１２において、３２は、リードフレームの縦外枠７又は横方向仕切り板８（いずれも図示せず）に連結されダイパッド１を所定の位置に高めて配置し支持する吊りリード、３３はインナリードである。 12, 32, the vertical outer frame 7 or lateral partition plate 8 suspension leads to (both not shown) to place the die pad 1 is connected to enhance the predetermined position the support of the lead frame, 33 inner leads it is.インナリード３３は、図１３に示すように、リードフレームの横外枠６又は縦方向仕切り板９（いずれも図示せず）に連結されたアウタリード４に連設したインナリード付け根部３３ｃ、このインナリード付け根部３３ｃから上方へ折り曲げられた曲折部３３ｂ、及びこの曲折部３３ｂからダイパッド１の第１の面１ａと平行に、かつダイパッド１の第１の面１ａにダイボンドされる半導体チップ１１ Inner leads 33, as shown in FIG. 13, the inner lead root portion 33c which is provided continuously to the outer leads 4 connected to the lateral outer frame of the lead frame 6 or longitudinal partition plate 9 (both not shown), the inner bent portion 33b bent from the lead root portion 33c upward, and the semiconductor chip 11 is die-bonded to the first parallel to the surface 1a, and the first face 1a of the die pad 1 of the die pad 1 from the bent portion 33bの上面よりも、最大５０μｍ出た位置に上面が配置されたインナリード先端部３３ａから構成されている。 Than the upper surface, and a inner lead front end 33a having an upper surface disposed at a position out up to 50 [mu] m.なお、この場合、インナリード付け根部３３ｃの下面は、 It should be noted that, in this case, the lower surface of the inner lead root portion 33c is,ダイパッド１の第２の面に接合される半導体チップ１１ The semiconductor chip 11 is bonded to the second surface of the die pad 1の下面よりも最大５０μｍ出た低い位置に配置されるようにダイパッド１が形成されている。 The die pad 1 is formed so as to be located lower exiting maximum 50μm than the lower surface of the.

【００２３】吊りリード３２は、図１４に示すように、 [0023] The suspension leads 32, as shown in FIG. 14,リードフレームの縦外枠７又は横方向仕切り板８（いずれも図示せず）に連結された吊りリード付け根部３２ Leadframe vertical enclosure 7 or lateral partition plate 8 lead root portion 32 hanging coupled to (both not shown)ｃ、この吊りリード付け根部３２ｃから上方へ折り曲げられた曲折部３２ｂ、及びこの曲折部３２ｂから水平に形成されダイパッド１に連結された吊りリード先端部３ c, the hanging lead root portion bent portion 32b bent upward from 32c, and hanging lead tip 3 which is connected to the die pad 1 is horizontally formed from the bent portion 32b２ａから構成される。 Consisting of 2a.このようにして、ダイパッド１は封止樹脂１７の厚さのほぼ中央部に配置され、ダイパッド１の第１及び第２の各面１ａ，１ｂに接合される半導体チップ１１の上面又は下面からインナリード先端部３ In this manner, the die pad 1 is positioned substantially at the center of the thickness of the sealing resin 17, the inner from the upper surface or lower surface of the semiconductor chip 11 to be joined first and second surfaces 1a of the die pad 1 and 1b lead tip portion 3３ａの上面又はインナリード付け根部３３ｃの下面が、 Upper or lower surface of the inner lead root portion 33c of 3a is,図示のように、寸法ｇが最大５０μｍ となるように形成されている。 As shown, it is formed so as to dimension g is maximum 50 [mu] m.なお、図１２〜図１４に記載された他は、図６におけるリードフレームのものと同一である。 Incidentally, been another is described in FIGS. 12 to 14, is identical to that of the lead frame in FIG.以上の構成により、ワイヤボンディング時において金属細線１２，１３が各半導体チップ１１のエッジに接触することは防止される。 With the above configuration, the thin metal wires 12 and 13 during the wire bonding comes into contact with the edge of the semiconductor chip 11 is prevented.

【００２４】実施の形態４． [0024] Embodiment 4.図１５は、この発明の実施の形態４である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図、図１６は、図１５の面と反対側の面側における要部断面平面図、図１７は、図１５のXVII Figure 15 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention, FIG 16 is a fragmentary sectional plane in the side surface opposite to the FIG. 15 FIG, 17, XVII of FIG. 15−XVII方向に見た断面図、図１８は、図１７におけるインナリードの拡大図である。 Section viewed in the -XVII direction, and FIG. 18 is an enlarged view of the inner lead in FIG. 17.図示のように、本実施の形態４の樹脂封止型半導体装置４８は、先ず、封止樹脂１ As shown, the resin-sealed-type semiconductor device 48 of the fourth embodiment, first, the sealing resin 1７の厚さのほぼ中央部に配置されたダイパッド１の第１ 7 of the first thickness die pad 1 arranged on a substantially central portion of theの面１ａに上記半導体チップ１１をダイボンドし、この半導体チップ１１の電極１１ａと、上面がこの半導体チップ１１の上面よりも最大５０μｍ 出た位置に配置された第２のインナリード部４２の分岐インナリード先端部４２ａの上面とを金属細線１３でワイヤボンディング接続する。 Of die bonding the semiconductor chip 11 to the surface 1a, a electrode 11a of the semiconductor chip 11, the branch inner second inner lead portion 42 having an upper surface disposed at a position out maximum 50μm from the upper surface of the semiconductor chip 11 an upper surface of the lead tip 42a for wire bonding connection by a metal thin wire 13.次いで、ダイパッド１の第２の面１ｂに他の半導体チップ１１をダイボンドし、この半導体チップ１ Then, die bonding another semiconductor chip 11 to the second face 1b of the die pad 1, the semiconductor chip 1１の電極１１ａと、下面がこの半導体チップ１１の下面よりも最大５０μｍ 出た低い位置に配置され上記第２ A first electrode 11a, the lower surface is located lower exiting maximum 50μm lower surface of the semiconductor chip 11 and the secondのインナリード部４２に隣り合って連設された第１のインナリード部４１の第１のインナリード先端部４１ａとを金属細線１３でワイヤボンディング接続する。 Of a first first inner lead tip portion 41a of the inner lead portions 41 which are continuously provided adjacent to the inner lead portion 42 for wire bonding connection by a metal thin wire 13.そうして、ダイパッド１、上下の半導体チップ１１、金属細線１３、第１のインナリード部４１、第２のインナリード部４２、及び吊りリード２を封止樹脂１７により一体に封止したものであり、実施の形態３におけると同等の効果を奏する。 Then, the die pad 1, the upper and lower semiconductor chips 11, the metal thin wires 13, the first inner lead 41, which was sealed together by a second inner lead portion 42 and the suspension leads 2 a sealing resin 17, Yes, it achieves the same effect as in the third embodiment.

【００２５】本実施の形態４におけるインナリード４３ [0025] The inner lead 43 in the fourth embodimentは、図１５〜図１８に示すように、ダイパッド１と同じ平面に形成されたアウタリード４に連設された第１のインナリード付け根部４１ｃ、この第１のインナリード付け根部４１ｃから下方へ折り曲げられた曲折部４１ｂ、 As shown in FIGS. 15 to 18, folding the first inner lead root portion 41c provided continuously to the outer leads 4 formed in the same plane as the die pad 1, from the first inner lead root portion 41c downward It was bent portion 41b,この曲折部４１ｂに連設された第１のインナリード先端部４１ａからなる第１のインナリード部４１と、第１のインナリード付け根部４１ｃから同じ平面で隣接する側部へ分岐した分岐インナリード付け根部４２ｃ、この分岐インナリード付け根部４２ｃから上方へ折り曲げられた曲折部４２ｂ、この曲折部４２ｂに連設された分岐インナリード先端部４２ａからなる第２のインナリード部４２で構成される。 A first inner lead portion 41 of a first inner lead tip portion 41a which is provided continuously to the bent portion 41b, the branched branch inner leads to the side adjacent to each other in the same plane from the first inner lead root portion 41c base portion 42c, bent portions 42b bent upward from the branch inner lead root portion 42c, formed in the second inner lead portions 42 comprising contiguously branch inner lead tip portions 42a to the bent portion 42b.そうして、図１５〜図１７に示すように、ダイパッド１の第１の面１ａにダイパッドされた半導体チップ１１の電極１１ａと分岐インナリード先端部４２ａの上面とを、また、ダイパッド１の第２の面１ Then, as shown in FIGS. 15 to 17, a and electrode 11a of the semiconductor chip 11 which is die pad on the first surface 1a of the die pad 1 and the upper surface of the branch inner lead tip portions 42a, also, the die pad 1 2 of surface 1ｂにダイボンドされた他の半導体チップ１１の電極１１ Electrode 11 of the other semiconductor chip 11 is die-bonded to bａと第１のインナリード先端部４１ａの下面とを、それぞれ金属細線１３でワイヤボンディング接続する点で実施の形態３の場合と異なる。 And a and the lower surface of the first inner lead tip portions 41a, different from that of the third embodiment in that the wire bonding connected to each thin metal wire 13.

【００２６】インナリード４３は、詳細を図１８に示すように、第１のインナリード先端部４１ａを、ダイパッド１の第２の面１ｂに平行に、かつダイパッド１の第２ The inner leads 43, as shown in detail in FIG. 18, a first inner lead tip portions 41a, parallel to the second face 1b of the die pad 1, and the die pad 1 2の面１ｂにダイボンドされる半導体チップ１１の下面からの寸法ｇを最大５０μｍ出た低い位置に配置し、また、分岐インナリード先端部４２ａを、ダイパッド１の第１の面１ａに平行に、かつダイパッド１の第１の面１ The dimensions g from the lower surface of the semiconductor chip 11 is die-bonded to the surface 1b is disposed at a lower position exiting maximum 50μm, and also the branched inner lead tip portions 42a, parallel to the first face 1a of the die pad 1, and the first surface of the die pad 1 1ａにダイボンドされる半導体チップ１１の上面からの高さ寸法ｇを最大５０μｍ 出た高さの位置に配置している。 Are disposed at a height of exiting maximum 50μm height dimension g between the upper surface of the semiconductor chip 11 is die-bonded to a.なお、本実施の形態４の樹脂封止型半導体装置で用いられるリードフレームの構成は、図１５〜図１８に記載された他は、図６におけるものと同一である。 Note that the structure of the lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device of the fourth embodiment, in addition to that described in FIGS. 15 to 18 are the same as those in FIG.インナリード４３を以上のように構成することにより、ワイヤボンディング時における金属細線１３が各半導体チップ１１のエッジに接触するのは防止される。 By configuring as described above the inner leads 43, thin metal wires 13 at the time of wire bonding is prevented from contacting the edge of the semiconductor chip 11.

【００２７】実施の形態５． [0027] Embodiment 5.図１９は、この発明の実施の形態５である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図、図２０は、図１９の面と反対側の面側における要部断面平面図、図２１は、図１９のXXI Figure 19 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 20 is a fragmentary sectional plane in opposite side of the plane of FIG. 19 Figure 21 shows, XXI in FIG. 19−XXI 方向に見た断面図、図２２は、図１９のXXII−XX Section viewed in the -XXI direction, and FIG. 22, XXII-XX in FIG. 19II方向に見た断面図である。 It is a cross-sectional view taken in the direction II.図示のように、本実施の形態５の樹脂封止型半導体装置５８は、封止樹脂１７の厚さのほぼ中央部に配置されたダイパッド１の第１の面１ As shown, the resin-sealed-type semiconductor device 58 of the fifth embodiment, almost the first surface of the die pad 1 arranged at the center portion of the thickness of the sealing resin 17 1ａに、例えば、フラッシュメモリの集積回路が表面に形成され平面が矩形状の半導体チップ５５の裏面がダイボンドされ、その短辺側の両端部近傍に配設された電極５ In a, for example, the planar integrated circuit of the flash memory is formed on the surface is die-bonded is the back surface of the rectangular semiconductor chip 55, the electrode 5 disposed near both end portions of the short sides５ａと、この電極５５ａに近接配置された第２のインナリード５３とが金属細線１５でワイヤボンディング接続されている。 And 5a, a second inner lead 53 is wire bonding by a metal thin wire 15 which are arranged close to the electrode 55a.

【００２８】ダイパッド１の第２の面１ｂには、センターパッド型の上記半導体チップ１１の裏面がダイボンドされ、その表面中央部に配設された電極１１ａと、半導体チップ１１の長辺側の両端部近傍に近接配置された第１のインナリード５４のインナリード先端部５４ａとが金属細線１３でワイヤボンディング接続されている。 [0028] The second face 1b of the die pad 1, the die bonding the rear surface of the center pad type of the semiconductor chip 11, the electrode 11a disposed on the surface central part, both ends of the long side of the semiconductor chip 11 and the inner lead tip portion 54a of the first inner leads 54 are wire bonding by a metal thin wire 13 parts disposed proximate the vicinity.この場合、第１のインナリード５４のインナリード先端部５４ａは、ダイパッド１の第２の面１ｂに平行で、その下面がダイパッド１の第２の面１ｂにダイボンドされる半導体チップ１１の下面よりも最大５０μｍ 出た低い位置に配置されている。 In this case, the inner lead tip portion 54a of the first inner lead 54 is parallel to the second face 1b of the die pad 1, the lower surface of the semiconductor chip 11 whose lower surface is die-bonded to the second face 1b of the die pad 1 It is disposed at a lower position exiting maximum 50μm also.５２はダイパッド１を支持する吊りリードである。 52 is a suspension leads supporting the die pad 1.

【００２９】以上のように組み立てた後、封止樹脂１７ [0029] After assembly as described above, the sealing resin 17により、ダイパッド１、半導体チップ１１，５５、金属細線１３，１５、第１のインナリード５４と第２のインナリード５３及び吊りリード５２を一体に樹脂封止し、 Accordingly, the die pad 1, the semiconductor chip 11,55, thin metal wires 13, 15, resin sealing the first inner lead 54 and the second inner lead 53 and the suspension leads 52 integrally,アウタリード４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置５８が完成する。 Processing the outer leads 4 in a predetermined shape resin-encapsulated semiconductor device 58 is completed.本実施の形態５の樹脂封止型半導体装置５８は以上のような構成としたので、実施の形態１におけると同等の効果を奏する。 Since resin-sealed semiconductor device 58 of the fifth embodiment has the above configuration exhibits the same effect as in the first embodiment.

【００３０】次に、上記樹脂封止型半導体装置５８において使用するリードフレームの構成を説明する。 [0030] Next, the configuration of the lead frame used in the resin-encapsulated semiconductor device 58.図２３ Figure 23は、この発明の実施の形態５である樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおける半導体装置樹脂封止部を示す平面図、図２４は、図２３のXXIV−XXIV方向に見た断面図である。 Is a plan view showing a semiconductor device resin-molded portion of the lead frame of the resin-encapsulated semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention, Figure 24 is a sectional view taken on XXIV-XXIV direction of Fig. 23 .図２３に示すように、本実施の形態５の樹脂封止型半導体装置では外部リードが四方に突出する構成となるため、ダイパッド１のコーナ部４箇所が、リードフレームの縦外枠７又は横方向仕切り板８に連結された吊りリード５２で支持されている。 As shown in FIG. 23, since a configuration in which the outer lead projects in all directions in the resin-encapsulated semiconductor device according to the fifth embodiment, corner portions at four places of the die pad 1, the vertical enclosure 7 or next to the lead frame is supported by suspension leads 52 are connected in the direction the partition plate 8.そうして、長辺側のインナリード５４はアウタリード４に連設されて各アウタリード４相互間がタイバー５で連結され、その端部は縦外枠７又は横方向仕切り板８に連結されている。 Then, the inner leads 54 on the long side is between the outer leads 4 each other are provided continuously to the outer leads 4 are connected by tie bars 5, its end is connected to Tategaiwaku 7 or transverse divider 8 .また、短辺側のインナリード５３はアウタリード４に連設されて各アウタリード４相互間はタイバー５で連結され、その端部は横外枠６又は縦方向仕切り板９に連結されている。 Also, the short side of the inner lead 53 between the outer leads 4 each other are provided continuously to the outer leads 4 are connected by tie bars 5, its end is connected to the lateral outer frame 6 or longitudinal partition plate 9.

【００３１】そうして、インナリード先端部５４ａの上面は、図２４に示すように、ダイパッド１と同一平面に形成されたインナリード付け根部５４ｃから曲折部５４ [0031] Then, the inner lead upper surface of the tip portion 54a, as shown in FIG. 24, the die pad 1 and the bent portion 54 from the inner lead root portion 54c formed on the same planeｂで下方へ折り曲げられてダイパッド１の第２の面１ｂ b In bent downwardly second face 1b of the die pad 1と平行に、かつダイパッド１の第２の面１ｂにダイボンドされる半導体チップ１１の下面からの寸法ｇが最大５ Maximum 5 dimension g of parallel, and from the lower surface of the semiconductor chip 11 is die-bonded to the second face 1b of the die pad 1 and０μｍ 低くなるように配置されている。 0μm is arranged to be lower.なお、短辺側の第２のインナリード５３は、図中一点鎖線で示すように、ダイパッド１と同じ平面に形成されている。 The second inner lead 53 on the short side, as indicated by a chain line in the drawing, are formed in the same plane as the die pad 1.本実施の形態５で使用されるリードフレームの構成は、図２３ Construction of the lead frame used in the fifth embodiment, FIG. 23及び図２４に示した他は図６におけるものと同一である。 And other shown in FIG. 24 is the same as in FIG.

【００３２】実施の形態６． [0032] Embodiment 6.図２５は、この発明の実施の形態６である樹脂封止型半導体装置における要部断面平面図、図２６は、図２５におけるXXVI−XXVI方向に見た断面図、図２７は、図２５におけるXXVII −XXVII 方向に見た断面図、図２８は、図２７におけるインナリードの拡大図である。 Figure 25 is a fragmentary cross-sectional plan view of a resin encapsulated semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention, FIG. 26 is a sectional view taken on XXVI-XXVI direction in FIG. 25, FIG. 27, in FIG. 25 XXVII -XXVII direction viewed sectional view, FIG. 28 is an enlarged view of the inner lead in FIG. 27.図示のように、本実施の形態６の樹脂封止型半導体装置６８は、ダイパッド１の第１の面１ As shown, the resin-sealed-type semiconductor device 68 of the sixth embodiment, the first surface of the die pad 1 1ａ上に、上記半導体チップ５５の裏面がダイボンドされ、この半導体チップ５５上に絶縁性接着剤又は絶縁性接着テープ（図示せず）を用いて半導体チップ１１がダイボンドされている。 On a, the back surface of the semiconductor chip 55 is die-bonded, the semiconductor chip 11 using an insulating adhesive or an insulating adhesive tape (not shown) on the semiconductor chip 55 is die-bonded.そうして、半導体チップ５５の短辺側の両端部に配設された電極５５ａと、この電極５５ Then, the electrodes 55a disposed on both ends of the shorter side of the semiconductor chip 55, the electrode 55ａに近接配置された第２のインナリード５３の先端部表面とが金属細線１５でワイヤボンディング接続され、半導体チップ１１の表面中央部に配設された電極１１ａ A forward end surface of the second inner leads 53 are wire bonding by a metal thin wire 15 which are arranged close to a, disposed in the center part of the surface of the semiconductor chip 11 are electrodes 11aと、半導体チップ１１の長辺側の両端部に近接配置された第１のインナリード５６のインナリード先端部５６ａ If, inner lead tip portions 56a of the first inner lead 56 disposed in the immediate vicinity of both end portions of the long side of the semiconductor chip 11とが金属細線１３でワイヤボンディング接続されている。 Bets are wire bonding by a metal thin wire 13.

【００３３】この場合、図２８に示すように、第１のインナリード５６は、ダイパッド１と同一平面に形成されたアウタリード４に連設したインナリード付け根部５６ [0033] In this case, as shown in FIG. 28, the first inner lead 56, the inner lead root portion 56 provided continuously to the outer leads 4 formed on the die pad 1 and the same planeｃ、このインナリード付け根部５６ｃから上方へ折り曲げられた曲折部５６ｂ、この曲折部５６ｂからダイパッド１の第１の面１ａに平行で、その上面が半導体チップ１１の上面よりの高さ寸法ｇが最大５０μｍ出た位置に配置されたインナリード先端部５６ａからなる。 c, the inner lead root portion 56c bent from upward was bent portion 56b, a parallel from the bent portion 56b to the first surface 1a of the die pad 1, the upper surface height dimension g of the upper surface of the semiconductor chip 11 consisting inner lead tip portions 56a disposed maximum 50μm out position.第１のインナリード５６を以上のように形成したことにより、 By having the first inner leads 56 formed as described above,金属細線１３によるワイヤボンディング接続の際、金属細線１３が半導体チップ１１のエッジに接触するのは防止される。 During the wire bonding connection by thin metal wires 13, the metal thin wire 13 is prevented from contacting the edge of the semiconductor chip 11.

【００３４】以上のように組み立てた後、封止樹脂１７ [0034] After assembly as described above, the sealing resin 17により、ダイパッド１、半導体チップ１１，５５、金属細線１３，１５、第１のインナリード５６と第２のインナリード５３及び吊りリード５２を一体に樹脂封止し、 Accordingly, the die pad 1, the semiconductor chip 11,55, thin metal wires 13, 15, resin sealing the first inner lead 56 and the second inner lead 53 and the suspension leads 52 integrally,アウタリード４を所定の形状に加工して樹脂封止型半導体装置５８が完成する。 Processing the outer leads 4 in a predetermined shape resin-encapsulated semiconductor device 58 is completed.なお、金属細線１３から封止樹脂１７の上面までの距離及びダイパッド１の第２の面から封止樹脂１７の下面までの距離は、共に少なくとも５ The distance from the metal thin wires 13 from the second surface of the distance and the die pad 1 to the upper surface of the sealing resin 17 to the lower surface of the sealing resin 17 are both at least 5０μｍ以上となるように形成して、金属細線１３及びダイパッド１が封止樹脂１７の外面に露出するのを防止し、高品質で薄型のパッケージを形成している。 Formed such that the above 0 .mu.m, the thin metal wires 13 and the die pad 1 is prevented from being exposed to the outer surface of the sealing resin 17, forming a thin package with high quality.本実施の形態６の樹脂封止型半導体装置６８は以上のように構成したので、実施の形態１におけると同等の効果を奏する。 Since resin-sealed semiconductor device 68 of the sixth embodiment is configured as described above, it achieves the same effect as in the first embodiment.

【００３５】発明の実施の形態７． [0035] of the implementation of the invention form 7.図２９は、この発明の実施の形態７である樹脂封止型半導体装置の断面図である。 Figure 29 is a cross-sectional view of a resin encapsulated semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.前述のように、各種電子機器の小型、軽量化に伴い、樹脂封止型半導体装置の薄型化への要求は益々強くなるものと思われ、そのためには、いきおい半導体チップの厚さを薄くせざるを得ない。 As described above, a small variety of electronic devices, with the weight, demand for thinning of the resin sealed semiconductor device is believed to become increasingly stronger, To that end, momentum causes the thickness of the semiconductor chip inevitably.現在、センターパッド型半導体チップの厚さは、薄いもので３００〜３５０μ Currently, the thickness of the center pad type semiconductor chip, 300～350Myu in thinｍ程度であるが、更なる薄型化が求められて半導体チップ厚さが１５０μｍ 以下になれば、ワイヤボンディング接続する際の金属細線と半導体チップエッジとの接触の問題は殆ど考慮する必要はなくなる。 Although the order of m, if further thinning is required to have a 150μm below the semiconductor chip thickness, problems of contact between the metal thin wires and the semiconductor chip edges when wire bonding is not almost necessary to consider.本実施の形態７ The present embodiment 7の樹脂封止型半導体装置の構成は、以上のような超薄型の半導体チップを使用する場合に適用できるものである。 Structure of the resin encapsulated semiconductor device is applicable when using above-mentioned ultra-thin semiconductor chips.

【００３６】図２９において、樹脂封止型半導体装置７ [0036] In FIG. 29, the resin encapsulated semiconductor device 7８は、ダイパッド１の第１の面１ａにセンターパッド型で厚さが１５０μｍ以下の半導体チップ６１の裏面をダイボンドし、半導体チップ６１の電極６１ａと、ダイパッド１と同じ平面に形成したインナリード６２の上面とを金属細線６３でワイヤボンディング接続する。 8, and die bonding back surface of the first surface 1a to the center pad type a thickness of 150μm or less of the semiconductor chip 61 of the die pad 1, and electrodes 61a of the semiconductor chip 61, the inner leads formed in the same plane as the die pad 1 62 of an upper surface for wire bonding by a metal thin wire 63.また、 Also,ダイパッド１の第２の面１ｂにも同様に他の半導体チップ６１の裏面をダイボンドして、この半導体チップ６１ To the second face 1b of the die pad 1 by die bonding the back surface of another semiconductor chip 61 as well, the semiconductor chip 61の電極６１ａと、インナリード６２の裏面とを金属細線６４でワイヤボンディング接続する。 And the electrode 61a of, a back of the inner leads 62 to wire bonding by a metal thin wire 64.そうして、ダイパッド１、二つの半導体チップ６１、金属細線６３，６ Then, the die pad 1, two semiconductor chips 61, the thin metal wires 63,6４、インナリード６２及びタイバー（図示せず）を封止樹脂１７により一体に樹脂封止したものである。 4, in which resin-sealed integrally with the inner leads 62 and tie bars (not shown) the sealing resin 17.なお、 It should be noted that,ワイヤボンディングは通常の超音波圧着法によっている。 Wire bonding are by conventional ultrasonic bonding method.本実施の形態７の樹脂封止型半導体装置は以上のように構成したので、リードフレームの構成がシンプルとなって、実施の形態３において得られる効果に加え、更に安価な樹脂封止型半導体装置が得られる。 Since resin-sealed semiconductor device of the seventh embodiment constructed as described above, is constituted of a lead frame and simple, in addition to the effects obtained in Embodiment 3, further inexpensive resin sealed semiconductor device is obtained.

【００３７】なお、実施の形態１，２，５，６においては、６４ＭＤＲＡＭが形成されたセンターパッド型半導体チップとフラッシュメモリが形成された電極周辺配置型半導体チップとの組み合わせ事例を示したが、これら機能の異なる電極周辺配置型半導体チップ同士の組み合わせは、例えば、センターパッド型６４ＭＤＲＡＭとマイコン用電極周辺配置型半導体チップとの組み合わせであっても良い。 [0037] In the embodiment 1, 2, 5 and 6 of the embodiment, although the combination examples of the electrode surrounding array type semiconductor chip center pad type semiconductor chips and flash memory 64MDRAM is formed is formed, combinations of different electrode peripheral array type semiconductor chips of these functions, for example, may be a combination of a center pad type 64MDRAM electrode peripheral array type semiconductor chip microcomputer.このような異機能を持つ半導体チップ同士を組み合わせた場合は、高機能で薄型、小型の安価な樹脂封止型半導体装置が得られる。 When such a combination of semiconductor chips with different functions, thin, inexpensive resin-encapsulated semiconductor device of compact obtained in high functionality.また、実施の形態３，４，７においては、６４ＭＤＲＡＭが形成された二つのセンターパッド型半導体チップを組み合わせたものを示したが、この場合は、大容量メモリで薄型、小型の安価な樹脂封止型半導体装置が得られる。 In the embodiment 3, 4, 7 of the embodiment is shown a combination of two center pad type semiconductor chip 64MDRAM is formed, in this case, thin and large-capacity memory, a small inexpensive resin sealing stop type semiconductor device is obtained.しかし、上記いずれの実施の形態においても、同一又は異なる機能を持つ半導体チップ同士の組み合わせとして構成してもよい。 However, the in any embodiment, it may be configured as a combination of the semiconductor chips having the same or different functions.

【００３８】 [0038]

【発明の効果】この発明は以上のように構成したので、 Effect of the Invention] This invention has been constructed as described above,以下に示す効果を奏する。 It exhibits the following effects.樹脂封止型半導体装置を、少なくとも上部表面中央部に電極が配設された第１の半導体チップを含む複数の半導体チップと、この複数の半導体チップがダイボンドされたダイパッドと、複数の半導体チップの各電極にワイヤボンディングされた金属細線と、ダイパッド端部に近接配置され、ダイパッドの面に平行で、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面及び上部表面の端部に電極が配設された第２の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられたインナリードと、複数の半導体チップ、ダイパッド、金属細線及びインナリードを封止した封止樹脂とを備えて構成したので、大容量にも拘わらず、薄型で小型の樹脂封止型半導体装置、及びそれを可能とす The resin sealing type semiconductor device, a plurality of semiconductor chips including a first semiconductor chip electrodes on at least the upper surface central portion disposed a die pad the plurality of semiconductor chips are die-bonded, the plurality of semiconductor chips a thin metal wire which is wire-bonded to respective electrodes, are disposed close to the die pad end, parallel to the plane of the die pad, the ends of the plane and the upper surface of the thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip sealing electrodes sealed and the inner leads which plane is provided with thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the second semiconductor chip, a plurality of semiconductor chips, a die pad, a thin metal wires and the inner leads disposed in the since it is configured by a sealing resin, despite the large, thin and small-sized resin-encapsulated semiconductor device, and allow it and toリードフレームが得られる。 Lead frame can be obtained.また、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面を、ダイボンドされた第１の半導体チップの上部表面から所要寸法突出して配置したので、ワイヤボンディングされた金属細線と第１の半導体チップのエッジとの接触が防止しされ、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置、及びそれを可能とするリードフレームが得られる。 Further, a plane thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip, since the arranged predetermined dimensions protruding from the upper surface of the first semiconductor chip is die-bonded, the wire bonded metal thin wires a contact first semiconductor chip edge is prevented, a highly reliable resin encapsulated semiconductor device, and the lead frame can be obtained to enable it.

【００３９】また、樹脂封止型半導体装置を、上部表面中央部に電極が配設された１５０μｍ以下の厚さを有する２個の半導体チップと、この半導体チップが両面にダイボンドされたダイパッドと、各半導体チップの電極にワイヤボンディングされた金属細線と、上記ダイパッドと同じ平面に設けられ半導体チップの電極配列に沿うダイパッドの二辺の各端部に近接配置されて、その先端部近傍の表面又は裏面に各金属細線が接続されたインナリードと、上記半導体チップ、ダイパッド、金属細線及びインナリードを封止した封止樹脂とを備えて構成したので、構成が極めて単純となり、大容量にも拘わらず、更に薄型で小型の安価な樹脂封止型半導体装置が得られる。 Further, the resin-sealed semiconductor device, the two semiconductor chips where the electrode on the upper surface central portion having been 150μm or less in thickness disposed, and die pad the semiconductor chip is die-bonded on both sides, a thin metal wire which is wire-bonded to the electrodes of each semiconductor chip, are disposed close to each end of the two sides of the die pad along the electrode arrangement of the semiconductor chip provided on the same plane as the die pad, the surface of the near its distal end or and the inner leads of the thin metal wires are connected to the back surface, the semiconductor chip, the die pad, since it is configured and a sealing resin sealing the thin metal wires and the inner leads, the configuration is very simple, though the large not, small inexpensive resin sealed semiconductor device is obtained further thin.また、複数の半導体チップを、それぞれ異なる機能を有する集積回路が形成されたものの組み合わせとしたので、高機能で薄型、かつ小型の樹脂封止型半導体装置が得られる。 Further, a plurality of semiconductor chips, since the Combinations of an integrated circuit is formed to have different functions, thin, and compact the resin encapsulated semiconductor device can be obtained with high functionality.また、複数の半導体チップを、それぞれ同一機能を有する集積回路が形成されたものの組み合わせとしたので、大容量で薄型、かつ小型の樹脂封止型半導体装置が得られる。 Further, a plurality of semiconductor chips, since the Combinations of integrated circuits are formed, each having the same function, thin, and compact the resin encapsulated semiconductor device can be obtained in large capacity.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図１】 この発明の実施の形態１である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図である。 1 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 図１の面と反対側の面側における要部断面平面図である。 Figure 2 is a fragmentary cross-sectional plan view of a surface opposite to the surface side of FIG.

【図３】 図１のIII −III 方向に見た断面図である。 3 is a sectional view taken on III -III direction in FIG.

【図４】 この発明の実施の形態１である樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおける半導体装置樹脂封止部を示す平面図である。 4 is a plan view showing a semiconductor device resin-molded portion of the lead frame of the resin-encapsulated semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図５】 図４のV −V 方向に見た断面図である。 5 is a sectional view taken on V -V direction of FIG.

【図６】 この発明の実施の形態１である樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程を終えた状態のリードフレームを示す平面図である。 6 is a plan view showing a lead frame in a state of completion of resin sealing step of the resin-encapsulated semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図７】 この発明の実施の形態２である樹脂封止型半導体装置の要部断面平面図である。 7 is a fragmentary cross-sectional plan view of a resin encapsulated semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図８】 図７のVIII−VIII方向に見た断面図である。 8 is a sectional view taken on VIII-VIII direction of FIG.

【図９】 この発明の実施の形態３である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図である。 9 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図１０】 図９の面と反対側の面側における要部断面平面図である。 Figure 10 is a fragmentary cross-sectional plan view of a surface side of the surface opposite of FIG.

【図１１】 図９のXI−XI方向に見た断面図である。 11 is a sectional view taken on the XI-XI direction of FIG.

【図１２】 この発明の実施の形態３である樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおける半導体装置樹脂封止部を示す平面図である。 12 is a plan view showing a semiconductor device resin-molded portion of the lead frame of the resin-encapsulated semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図１３】 図１２のXIII−XIII方向に見た断面図である。 13 is a sectional view taken on XIII-XIII direction in FIG. 12.

【図１５】 この発明の実施の形態４である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図である。 Figure 15 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図１６】 図１５の面と反対側の面側における要部断面平面図である。 Figure 16 is a fragmentary cross-sectional plan view of a surface opposite to the surface side of FIG. 15.

【図１７】 図１５のXVII−XVII方向に見た断面図である。 17 is a sectional view taken on XVII-XVII direction in FIG. 15.

【図１８】 図１７におけるインナリードの拡大図である。 Is an enlarged view of the inner lead in FIG. 18] FIG. 17.

【図１９】 この発明の実施の形態５である樹脂封止型半導体装置の一方の面側における要部断面平面図である。 19 is a fragmentary cross-sectional plan view of one side of the resin-encapsulated semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図２０】 図１９の面と反対側の面側における要部断面平面図である。 Figure 20 is a fragmentary cross-sectional plan view of a surface opposite to the surface side of FIG. 19.

【図２１】 図１９のXXI −XXI 方向に見た断面図である。 21 is a cross-sectional view taken in the XXI -XXI direction of FIG. 19.

【図２２】 図１９のXXII−XXII方向に見た断面図である。 22 is a sectional view taken on XXII-XXII direction in Fig. 19.

【図２３】 この発明の実施の形態５である樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおける半導体装置樹脂封止部を示す平面図である。 23 is a plan view showing a semiconductor device resin-molded portion of the lead frame of the resin-encapsulated semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図２４】 図２３のXXIV−XXIV方向に見た断面図である。 It is a sectional view taken on XXIV-XXIV direction of Fig. 24 Fig. 23.

【図２５】 この発明の実施の形態６である樹脂封止型半導体装置における要部断面平面図である。 Figure 25 is a fragmentary cross-sectional plan view of a resin encapsulated semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図２６】 図２５におけるXXVI−XXVI方向に見た断面図である。 26 is a cross-sectional view taken on XXVI-XXVI direction in FIG. 25.

【図２７】 図２５におけるXXVII −XXVII 方向に見た断面図である。 27 is a cross-sectional view taken in the XXVII -XXVII direction in FIG. 25.

【図２８】 図２７におけるインナリードの拡大図である。 FIG. 28 is an enlarged view of the inner lead in Figure 27.

【図２９】 この発明の実施の形態７である樹脂封止型半導体装置の断面図である。 29 is a cross-sectional view of a resin encapsulated semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.

Claims (18)

Translated from Japanese

【特許請求の範囲】 [The claims]

【請求項１】 少なくとも上部表面中央部に電極が配設された第１の半導体チップを含む複数の半導体チップがダイボンドされるダイパッド、上記ダイパッドを支持する吊りリード、上記ダイパッド端部に近接配置され、上記ダイパッドの面に平行で、上記第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面及び上部表面の端部に電極が配設された第２の半導体チップの上記電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられたインナリードを備えたことを特徴とするリードフレーム。 1. A least a die pad having a plurality of semiconductor chips including a first semiconductor chip electrode on the upper surface of the central portion is disposed is die-bonded, suspension leads for supporting the die pad, it is disposed close to the die pad end , parallel to the plane of the die pad, and the electrodes of the second semiconductor chip electrode to an end of the plane and the upper surface of the first semiconductor chip electrode and the metal thin wires by wire bonding is connected is disposed lead frame, characterized in that the plane in which the thin metal wires are connected by wire bonding with the inner leads provided.

【請求項２】 第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面は、ダイボンドされた上記第１の半導体チップの上部表面から所要寸法突出して配置されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。 2. A plane electrode and the metal thin wires by wire bonding of the first semiconductor chip is connected, and characterized in that it is arranged to the required dimension protruding from the die-bonded to upper surface of the first semiconductor chip lead frame according to claim 1 wherein the.

【請求項３】 インナリードは、第１の半導体チップの電極の配列に沿うダイパッドの対向する二辺端部に近接配置され、表面又は裏面の少なくとも一方の面側に、上記第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のリードフレーム。 Wherein the inner leads are arranged close to two sides end portions facing the die pad along the sequence of the first semiconductor chip electrode on at least one surface side of the front or rear surface, the first semiconductor chip lead frame according to claim 1 or claim 2, wherein the electrode and the wire bonding by a plane thin metal wires are connected, characterized in that it is provided.

【請求項４】 インナリードは、第１の半導体チップの電極の配列に沿うダイパッドの対向する二辺端部に近接配置され表面又は裏面の一方の面側に上記電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられた第１のインナリードと、上記ダイパッドの他の対向する二辺端部に近接配置され表面又は裏面の一方の面側に第２の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられた第２のインナリードとを備えていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。 Wherein inner leads, metal thin wires by the first semiconductor chip of the electrode and the wire-bonded to two sides end portions facing the die pad along the arrangement on one side of the closely spaced front or back surface of the electrode a first inner leads plane being connected is provided by the electrode and the wire bonding of the second semiconductor chip on one side of the other face is located close to the two sides end surface or back surface of the die pad the lead frame of claim 1, characterized in that the plane in which the thin metal wires are connected and a second inner leads provided.

【請求項５】 インナリードは、金属細線が接続される平面を有する相互に分岐したインナリード部からなり、 5. The inner lead is made from the inner lead portion that branches to each other with a plane thin metal wires are connected,上記分岐したインナリード部の内、第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面は、上記第１の半導体チップの電極側に面して設けられていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。 Of the inner lead portions that the branch, a plane thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip, and being provided facing the electrode of the first semiconductor chip lead frame according to claim 1 wherein the.

【請求項６】 第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続されるインナリードの平面は、ダイボンドされた当該第１の半導体チップの上部表面から最大５０μｍ突出して配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項記載のリードフレーム。 6. The first semiconductor chip electrode and the wire bonding by the plane of the inner leads fine metal wire is connected, that it is arranged to maximum 50μm projecting from die-bonded to upper surface of the first semiconductor chip lead frame according to one of claims 1 to 5, characterized in.

【請求項７】 少なくとも上部表面中央部に電極が配設された第１の半導体チップを含む複数の半導体チップと、上記複数の半導体チップがダイボンドされたダイパッドと、上記複数の半導体チップの各電極にワイヤボンディングされた金属細線と、上記ダイパッド端部に近接配置され、上記ダイパッドの面に平行で、上記第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面及び上部表面の端部に電極が配設された第２の半導体チップの上記電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられたインナリードと、上記複数の半導体チップ、ダイパッド、金属細線及びインナリードを封止した封止樹脂とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 7. A plurality of semiconductor chips including a first semiconductor chip having electrodes disposed on at least the upper surface central portion, the die pad of the plurality of semiconductor chips are die-bonded, each electrode of the plurality of semiconductor chips a thin metal wire which is wire-bonded to, disposed close to the die pad end, parallel to the plane of the die pad, the edge of the plane and the upper surface of the thin metal wires by electrodes and wire bonding of the first semiconductor chip is connected sealing the inner leads plane is provided to the electrode metal thin wires are connected by the electrode and the wire bonding of the second semiconductor chip are arranged in part, the plurality of semiconductor chips, a die pad, a thin metal wires and the inner leads resin-sealed semiconductor device characterized by comprising a sealing resin sealed.

【請求項８】 第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面は、ダイボンドされた当該第１の半導体チップの上部表面から所要寸法突出して配置されていることを特徴とする請求項７記載の樹脂封止型半導体装置。 8. A plane thin metal wires are connected by the electrode and the wire bonding of the first semiconductor chip, and characterized in that it is arranged to the required dimension protruding from the die-bonded to upper surface of the first semiconductor chip resin-sealed semiconductor device according to claim 7 wherein.

【請求項９】 複数の半導体チップは、第１の半導体チップと第２の半導体チップであり、上記第１の半導体チップの裏面はダイパッドの一方の面にダイボンドされ、 9. plurality of semiconductor chips, a first semiconductor chip and second semiconductor chip, the back surface of the first semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad,上記第２の半導体チップの裏面は上記ダイパッドの一方の面と反対側の面に上記第１の半導体チップの電極と電極配列の方向が同一となるようにダイボンドされていることを特徴とする請求項７記載又は請求項８記載の樹脂封止型半導体装置。 Billing back surface of the second semiconductor chip, characterized in that it is die-bonded to the direction of the one surface and the opposite surface to the first semiconductor chip electrode and the electrode array of the die pad are the same resin-sealed semiconductor device of claim 7, wherein or claim 8, wherein.

【請求項１０】 複数の半導体チップは、第１の半導体チップと第２の半導体チップであり、上記第１の半導体チップの裏面はダイパッドの一方の面にダイボンドされ、上記第２の半導体チップの裏面は上記ダイパッドの一方の面と反対側の面に上記第１の半導体チップの電極と電極配列の方向が直交するようにダイボンドされていることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の樹脂封止型半導体装置。 10. plurality of semiconductor chips, a first semiconductor chip and second semiconductor chip, the back surface of the first semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad, the second semiconductor chip backside of claim 7 or claim 8, wherein the being die-bonding so that the direction of the one surface and the opposite surface to the first semiconductor chip electrode and the electrode array of the die pad is perpendicular resin-sealed semiconductor device.

【請求項１１】 複数の半導体チップは、第１の半導体チップと第２の半導体チップであり、上記第２の半導体チップの裏面はダイパッドの一方の面にダイボンドされ、上記第１の半導体チップの裏面は上記第２の半導体チップの上に上記第２の半導体チップの電極と電極配列の方向が同一となるようにダイボンドされていることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の樹脂封止型半導体装置。 11. plurality of semiconductor chips, a first semiconductor chip and second semiconductor chip, the back surface of the second semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad, the first semiconductor chip back surface resin-sealing according to claim 7 or claim 8, wherein the being die-bonding so that the direction of the electrode and the electrode arrangement of the second semiconductor chip on the second semiconductor chip is the same stop type semiconductor device.

【請求項１２】 複数の半導体チップは、第１の半導体チップと第２の半導体チップであり、上記第２の半導体チップの裏面はダイパッドの一方の面にダイボンドされ、上記第１の半導体チップの裏面は上記第２の半導体チップの上に上記第２の半導体チップの電極と電極配列の方向が直交するようにダイボンドされていることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の樹脂封止型半導体装置。 12. A plurality of semiconductor chips, a first semiconductor chip and second semiconductor chip, the back surface of the second semiconductor chip is die-bonded to one surface of the die pad, the first semiconductor chip back surface resin sealing according to claim 7 or claim 8, wherein the being die-bonding so that the direction of the electrode and the electrode arrangement of the second semiconductor chip on the second semiconductor chip are orthogonal type semiconductor device.

【請求項１３】 インナリードは、金属細線が接続される平面を有する相互に分岐したインナリード部からなり、少なくともその一方のインナリード部に第１の半導体チップの電極とワイヤボンディングにより金属細線が接続される平面が設けられていることを特徴とする請求項７〜請求項９、請求項１１のいずれか一項記載の樹脂封止型半導体装置。 13. inner lead is made from the inner lead portion that branches to each other with a plane thin metal wires are connected, the thin metal wire by a first semiconductor chip electrode and the wire bonding to at least the inner lead part of the one claim 7 claims 9, characterized in that the plane to be connected are provided, a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 11.

【請求項１４】 第１の半導体チップの電極にワイヤボンディングされた金属細線が接続されるインナリードの平面は、ダイボンドされた当該第１の半導体チップの上部表面から最大５０μｍ突出して配置されていることを特徴とする請求項７〜請求項１３のいずれか一項記載の樹脂封止型半導体装置。 14. plane of the first inner leads electrode wire bonded thin metal wire of the semiconductor chip is connected are arranged in up to 50μm projecting from die-bonded to upper surface of the first semiconductor chip resin-sealed semiconductor device according to any one of claims 7 to claim 13, characterized in that.

【請求項１５】 複数の半導体チップは第１の半導体チップからなり、ダイパッドの両面に上記第１の半導体チップがダイボンドされていることを特徴とする請求項７ 15. plurality of semiconductor chips are made from the first semiconductor chip, according to claim 7 in which both sides of the die pad of the first semiconductor chip is characterized in that it is die-bonded〜請求項９、請求項１３のいずれか一項記載の樹脂封止型半導体装置。 ~ Claim 9, resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 13.

【請求項１６】 上部表面中央部に電極が配設された１ 16. 1 electrode on the upper surface of the central portion is arranged５０μｍ 以下の厚さを有する２個の半導体チップと、 And two semiconductor chips having a thickness of less than 50 [mu] m,上記半導体チップが両面にダイボンドされたダイパッドと、上記各半導体チップの電極にワイヤボンディングされた金属細線と、上記ダイパッドと同じ平面に設けられ上記半導体チップの電極配列に沿う上記ダイパッドの二辺の各端部に近接配置されて、その先端部近傍の表面又は裏面に上記各金属細線が接続されたインナリードと、 A die pad which the semiconductor chip is die-bonded on both sides, the thin metal wires that are wire-bonded to the electrodes of each semiconductor chip, each of the two sides of the die pad provided in the same plane as the die pad along the electrode arrangement of the semiconductor chip are arranged close to an end, and the inner leads of the respective thin metal wires are connected to the front or back surface in the vicinity of its distal end,上記半導体チップ、ダイパッド、金属細線及びインナリードを封止した封止樹脂とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 The semiconductor chip, the die pad, a resin-encapsulated semiconductor device, characterized in that a sealing resin sealing the thin metal wires and the inner leads.

【請求項１７】 複数の半導体チップは、それぞれ異なる機能を有する集積回路が形成されたものであることを特徴とする請求項７〜請求項１６のいずれか一項記載の樹脂封止型半導体装置。 17. plurality of semiconductor chips, resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 7 to claim 16, characterized in that the integrated circuit having different functions are formed .

【請求項１８】 複数の半導体チップは、それぞれ同一機能を有する集積回路が形成されたものであることを特徴とする請求項７〜請求項１６のいずれか一項記載の樹脂封止型半導体装置。 18. A plurality of semiconductor chips, resin-encapsulated semiconductor device according to any one of claims 7 to claim 16, characterized in that the integrated circuit, each having the same function are formed .

JP2000280612A2000-09-142000-09-14Lead frame and resin sealed type semiconductor device using the same
PendingJP2002093993A
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