Links

Images

Classifications

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping

H01S5/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/022—Mountings; Housings

H01S5/02208—Shape of the housing

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/022—Mountings; Housings

H01S5/02228—Mountings; Housings filled with a resin, or the complete housing being made of resin

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/02252—Relative positioning of laser diode and optical components, e.g. grooves in the mount to fix an optical fibre or a lens

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/022—Mountings; Housings

H01S5/02236—Mounts or sub-mounts

H01S5/02256—Details of fixing the laser diode on the mount

H01S5/0226—Details of fixing the laser diode on the mount using an adhesive

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/022—Mountings; Housings

H01S5/0228—Out-coupling light

H01S5/02292—Out-coupling light with a beam deflecting element

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/022—Mountings; Housings

H01S5/0228—Out-coupling light

H01S5/02296—Details of a window, e.g. special materials or special orientation for back-reflecting light to a detector inside the housing

H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00

H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto

H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process

H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector

H01L2224/4805—Shape

H01L2224/4809—Loop shape

H01L2224/48091—Arched

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

H01S5/022—Mountings; Housings

H01S5/02236—Mounts or sub-mounts

H01S5/02256—Details of fixing the laser diode on the mount

H01S5/02268—Positioning, e.g. using marks for positioning of the laser diode

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL

H01S5/00—Semiconductor lasers

H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das effizient in einer Kamera einsetzbar ist. A problem to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor component, which can be used efficiently in a camera.Ferner besteht eine zu lösende Aufgabe darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, dass eine hohe Modulationsrate ermöglicht und einfach hergestellt werden kann. Further, there is a problem to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor device that enables a high modulation rate, and can be manufactured easily.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die oder sind die Laserdioden relativ zu der oder zu den Reflexionsflächen unbeweglich gelagert. According to at least one embodiment, the laser diodes are mounted in or relative to the or to the reflecting surfaces immovable.Mit anderen Worten ist eine Strahllage der mindestens einen Laserdiode im bestimmungsgemäßen Gebrauch des Halbleiterlaserbauteils gegenüber der mindestens einen Reflexionsfläche nicht änderbar. In other words, a beam position of at least one laser diode in the intended use of the semiconductor laser component relative to the at least one reflective surface can not be changed.Insbesondere sind sowohl die Laserdiode als auch die Reflexionsfläche starr und unbeweglich angeordnet. In particular, both the laser diode and the reflection surface are arranged rigid and immobile.Weiterhin befinden sich bevorzugt zwischen der Laserdiode und der Reflexionsfläche keine Einrichtungen zu einem Strahlumlenken, insbesondere zu einem Scannen des von der Laserdiode emittierten Lichts. Further are preferably located between the laser diode and the reflection surface no facilities to a Strahlumlenken, in particular to a scanning of the light emitted by the laser diode light.Der Begriff Licht schließt hierbei in diesem Zusammenhang und im Folgenden ultraviolette Strahlung und nahinfrarote Strahlung mit ein. The term light includes this in this context and in the following, an ultraviolet radiation and near infrared radiation.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Gehäusekörper zumindest eine Ausnehmung auf. According to at least one embodiment, the housing body has at least one recess.Die Ausnehmung ist dazu eingerichtet, die Laserdiode aufzunehmen. The recess is adapted to receive the laser diode.Bevorzugt befindet sich die Laserdiode vollständig in der Ausnehmung. Preferably, the laser diode is completely in the recess.Sind mehrere Laserdioden vorhanden, so können mehrere Laserdioden in einer Ausnehmung gruppiert sein oder es befinden sich alle Laserdioden in einer einzigen Ausnehmung oder jeweils eine Laserdiode ist genau einer Ausnehmung zugeordnet. If a plurality of laser diodes are present, a plurality of laser diodes can be grouped in a recess or there are all laser diodes in a single recess or in each case a laser diode is assigned to a recess.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche durch einen Teil einer Gehäusewand des Gehäusekörpers gebildet, insbesondere durch einen Teil einer Begrenzungsfläche der Ausnehmung. According to at least one embodiment, the reflecting surface by a part of a housing wall of the housing body is formed, in particular by a portion of a boundary surface of the recess.Hierdurch ist die Reflexionsfläche effizient herstellbar. In this way, the reflecting surface is efficient to manufacture.Es ist möglich, dass die Reflexionsfläche aus einem Material des Gehäusekörpers gebildet ist und frei von einer Beschichtung ist. It is possible that the reflecting surface made of a material of the case body is formed and is free from a coating.Alternativ ist es möglich, dass die Reflexionsfläche ein Bereich des zur Reflexion vorgesehenen Gehäusekörpers ist, der mit einer Beschichtung, etwa zur Steigerung einer Reflektivität, versehen ist. Alternatively, it is possible that the reflecting surface is a portion of the housing provided for the reflection body, which is provided with a coating, such as to increase a reflectivity.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Ausnehmung in dem Gehäusekörper eine Seitenwand und eine Bodenfläche auf. According to at least one embodiment, the recess in the housing body on a side wall and a bottom surface.Die Seitenwand und die Bodenfläche können aus demselben Material gebildet sein, beispielsweise aus dem weißen Kunststoff. The side wall and the bottom surface may be formed of the same material, for example of the white plastic.Ferner kann die Bodenfläche zumindest teilweise aus einem Metall gebildet sein und elektrische Anschlussflächen zum mechanischen und elektrischen Kontaktieren der wenigstens einen Laserdiode umfassen. Further, the bottom surface can be at least partially formed of a metal and electrical connection pads for mechanically and electrically contacting the comprise at least one laser diode.Alternativ oder zusätzlich können solche Anschlussflächen an der Seitenwand vorgesehen sein. Alternatively or in addition, such pads may be provided on the side wall.Bevorzugt sind jedoch alle Bereiche der Gehäusewand, die dem von der Laserdiode emittierten Licht zugänglich sind und/oder die von der Laserdiode bestrahlt werden, aus einem diffus reflektierenden Kunststoff gebildet. However, all areas of the housing wall, which are accessible to the radiation emitted by the laser diode and / or that are irradiated by the laser diode formed of a diffusely reflective plastic are preferred.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die mindestens eine Laserdiode an der Seitenwand angebracht. According to at least one embodiment, the at least one laser diode mounted on the side wall.Die Reflexionsfläche befindet sich dann bevorzugt an der Bodenfläche. The reflective surface is then preferably on the bottom surface.Eine Hauptemissionsrichtung der Laserdiode ist dann bevorzugt in Richtung weg von einer Lichtaustrittsseite des Halbleiterlaserbauteils gerichtet. A main emission direction of the laser diode is then preferably in the direction away directed from a light exit side of the semiconductor laser device.Es ist möglich, dass die Laserdiode hauptsächlich die Bodenfläche und zum Teil auch eine Seitenwand bestrahlt. It is possible that the laser diode mainly irradiates the bottom surface and partly a side wall.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die mindestens eine Laserdiode an der Bodenfläche der Ausnehmung angebracht. According to at least one embodiment is attached to the at least one laser diode on the bottom surface of the recess.Die mindestens eine Reflexionsfläche befindet sich dann an der Seitenwand der Ausnehmung. The at least one reflecting surface is then located on the side wall of the recess.Es ist hierbei nicht erforderlich, dass die Seitenwand ringsum um die Ausnehmung herum gleich gestaltet ist, insbesondere eine gleiche Höhe und/oder Materialzusammensetzung aufweist. It is not necessary in this case that the side wall is designed around the same around the recess, in particular a same height and / or material composition.Im Bereich einer von der Laserdiode bestrahlten Teilfläche der Seitenwand kann eine Höhe der Seitenwand vergrößert sein. In the area of ​​an irradiated from the laser diode partial surface of the side wall has a height of the side wall can be increased.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche mit einer Aufrauung versehen. According to at least one embodiment, the reflecting surface is provided with a roughening.Handelt es sich bei der Reflexionsfläche um einen Teil einer Begrenzungsfläche der Ausnehmung in dem Gehäusekörper, so kann selektiv die Reflexionsfläche oder auch die gesamte Begrenzungsfläche mit der Aufrauung versehen sein. If it is at the reflecting surface is a part of a boundary surface of the recess in the housing body, the reflection surface or the entire boundary surface may be provided with the roughened region selectively.

Anders als dargestellt ist es möglich, dass an oder in dem Diffusionsmittel Other than illustrated, it is possible that on or in the diffusing agent6 6stärker streuende oder lichtundurchlässige Bereiche angebracht sind. more diffusing or opaque regions are attached.Über solche lichtundurchlässigen, nicht gezeichneten Bereiche können eventuell auftretende spekulare Reflexe der Strahlung R an der Reflexionsfläche On such opaque, not drawn areas may be able to occur specular reflections of the radiation R at the reflecting surface3 3herausgefiltert oder unterdrückt oder reduziert werden. be filtered out or suppressed or reduced.Solche spekularen Reflexe treten beispielsweise aufgrund eines Brechungsindexunterschieds zwischen einem Material in der Ausnehmung Such specular reflections occur, for example due to a difference in refractive index between a material in the recess42 42und einem Material des Gehäusekörpers and a material of the housing body4 4auf. on.Ein solcher Brechungsindexunterschied und zugehörige spekulare Reflexe sind auch durch das Vergussmaterial Such a difference in refractive index and associated specular reflections are also available through the potting material5 5reduzierbar oder beseitigbar. reduced or beseitigbar.

In In6 6ist ein Verlauf einer Intensität I einer Emission des Halbleiterlaserbauteils is a course of intensity I of emission of the semiconductor laser device1 1in Abhängigkeit von der Zeit t dargestellt. as a function of time t.Aufgrund der Verwendung der Laserdiode Due to the use of the laser diode2 2ist schnell von einem Auszustand in einen Einzustand schaltbar, beispielsweise mit einer Zeitkonstante von weniger als is quickly switched from an off state to an on state, for example, with a time constant of less than1 1ns oder von weniger als ns or less than2 2ns. ns.Hierdurch ist eine schnelle Intensitätsmodulation der vom Halbleiterlaserbauteil This enables a rapid intensity modulation of the semiconductor laser device1 1emittierten Strahlung erreichbar. emitted radiation distance.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. The invention described herein is not limited by the description using the exemplary embodiments.vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. rather, the invention encompasses any new feature and also any combination of features, which particularly includes every combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the patent claims or embodiments.

Halbleiterlaserbauteil ( Semiconductor laser device (1 1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Zeitspanne innerhalb derer das Halbleiterlaserbauteil von einem Auszustand in einen Einzustand und umgekehrt schaltbar ist weniger als 20 ns beträgt. ) According to one of the preceding claims, wherein a period of time within which the semiconductor laser device from an off state to an on state, and vice versa switchable is less than 20 ns.

Illumination device for LCD-display device, has auxiliary component designed as optical component and inserted into recess in optical unit, where component is connected with optical unit in connection region in mechanically stable manner