C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics

C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates

C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds

C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds

C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide

C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements

C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation

C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL

알루미나계 기재의 적어도 플라즈마에 쬐여지는 표면이, 중간층을 거치는 등하여 주기율표 ⅢA족원소의 산화물층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. Sunlit room for at least the plasma of the alumina based material has a surface, it characterized in that it is formed of an oxide layer of equal load W ⅢA periodic table group element passes the intermediate layer.이 내플라즈마성 부재의 구성에 있어서, 중간층으로서는 10∼80중량%의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 및 90∼20중량%의 알루미나로 형성된 것이 바람직하다. In the configuration of the plasma-resistant member, the intermediate layer is formed as in the oxide, and 90-20% by weight of the Periodic Table of 10 to 80% by weight alumina ⅢA group elements are preferred.또, 이 중간층으로서, 기공율이 0.2∼5%의 조밀질 세라믹스층이라도 좋다. Further, as the intermediate layer, the porosity may be a dense ceramics layer of 0.2 to 5%.또, 알루미나계 기재 및 중간층의 1600∼1900℃에 있어서의 열수축율차가 3% 이하인 것등, 적어도 어느 하나의 조건을 갖추는 것이 더욱 소망스럽다. Further, it is more desired that the difference in the heat shrinkage in the 1600~1900 ℃ of the alumina based material and the intermediate layer align with at least one of the conditions, such as not more than 3%.

반도체장치의 제조공정에 있어서는, 반도체웨이퍼에 미세한 가공을 실시하는 에칭장치나 스패터링장치, 혹은 반도체웨이퍼에 성막을 실시하는 CVD장치 등이 사용되고 있다. In the production process of a semiconductor device, such as a CVD apparatus which performs film formation in the etching apparatus or the sputtering device, or a semiconductor wafer to conduct a fine processing to a semiconductor wafer it is used.그리고, 이들의 제조장치에서는, 고집적화를 목적으로 하여 플라즈마 발생기구를 갖춘 구성이 채택되고 있다. Then, in the manufacturing apparatus thereof, a configuration equipped with a plasma generation mechanism is employed for the purpose of high integration.예를 들면, 도 4에 구성의 개략을 단면적으로 나타내는 바와 같은, 페리콘파 플라즈마 에칭장치가 알려져 있다. For example, Perry konpa is known a plasma etching apparatus as shown schematically in the cross-sectional area of ​​the configuration in FIG.

그렇지만, 상기 세라믹스질 소결체로 이루는 내플라즈마성 부재는, 부식성가스 분위기하에서, 플라즈마에 쬐여지면 서서히 부식이 진행하여, 표면을 구성하는 결정입자가 이탈하는 등 표면성상이 변화하여, 에칭조건에 영향한다는 문제가 발생한다. However, plasma-resistant member forming with the ceramics to be sintered, under a corrosive gas atmosphere, to the ground gradually corrosion jjoeyeo proceeds to the plasma, and the surface properties, such as leaving the crystal grains constituting the surface changes, that effect on the etching conditions the problem occurs.즉, 이탈한 입자가 반도체웨이퍼나 하부전극(8) 등에 부착하여, 에칭의 정밀도 등에 악영향을 주어, 반도체의 성능이나 신뢰성이 손상되기 쉽다는 문제가 있다. That is, a departure particles are attached to the semiconductor wafer or the lower electrode 8, an adverse effect given the like of the etching accuracy, the problem is likely to be a semiconductor performance or reliability damage.

또, CVD장치에 있어서도, 클리닝시에 질화불소(NF 3 ) 등의 불소계 가스에 플라즈마하에서 쬐여지기 때문에, 내식성이 필요하게 되고 있다. Further, even in the CVD apparatus, since the jjoeyeo under plasma in a fluorine-based gas such as nitride, fluoride (NF 3) at the time of cleaning, and the required corrosion resistance.

그러나, 이 이트륨 알루미늄가넷 소결체 등은, 내플라즈마성의 점에서 뛰어나고 있으나, 구부림강도 및 파괴인성 등 기계적인 강도가 뒤떨어진다는 문제가 있다. However, the yttrium aluminum garnet sintered body and the like, but is excellent in that the plasma sex, the mechanical strength such as bending strength and fracture toughness is inferior has a problem.여기서, 기계적인 강도가 뒤떨어지는 것(취약성 등)은, 예를 들면 에칭장치 둥에서의 부재의 부착 등의 핸드링에 있어서, 부재가 손상·파괴 등을 일으키기 쉬운 것을 의미하고, 소재가 비교적 고가인 것과 더불어서, 제조장치 자체 혹은 반도체의 제조비 상승을 초래한다는 문제가 있었다. Here, that the mechanical strength poor (vulnerability and so on), for example according to haendeuring of attaching, or the like of the member in the etching apparatus of a circle, the member is a means that are susceptible to such damage, destruction, and the material is relatively expensive as deobuleoseo, there is a problem that it results in a manufacturing apparatus itself or the manufacturing cost increase of the semiconductor.

제 1의 본 발명은, 알루미나계 기재의 적어도 플라즈마에 쬐여지는 표면이, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합화합물을 포함하는 표면층에서 형성되고, 양자의 열팽창 차를 완충하는 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재이다. First that the invention, at least a sunlit room is the surface to the plasma of the alumina based material it is formed on the surface layer containing the oxide or a composite compound of a periodic table ⅢA element, the means for buffering a thermal expansion difference between the both is provided in a plasma-resistant member as claimed.

상기 제 1의 본 발명에 있어서, 완충하는 수단으로서는 중간층을 설치하는 것, 성분을 경사시키는 것, 기공율을 조정하는 것 및 각 층의 두께를 조정하는 것 등의 수단을 단독으로, 혹은 이들의 수단을 조합하여서 채용할 수 있다. In the invention of the first, is to install as means for buffering the intermediate layer, that to tilt the component, to adjust the porosity and the means, such as to adjust the thickness of the layer alone, or their means hayeoseo combination may be employed.이들의 수단 중, 중간층을 설치하는 수단이 가장 바람직하다. Of these means, it is most preferred to install means for the intermediate layer.

또, 상기 제 1의 본 발명에 있어서, 중간층이 10∼80 중량%의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 및 90∼20 중량%의 알루미나로 형성되어 있는 것이 바람직하다. In the present invention the first, it is preferable that the intermediate layer is formed of an alumina oxide or a composite oxide, and 90-20% by weight of the Periodic Table of 10 to 80% by weight ⅢA group elements.

또한, 상기 제 1의 본 발명에 있어서, 알루미나계 기재 및 알루미나 기재표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 층의 1600∼1900℃에 있어서의 열수축율차가 3%이하인 것이 바람직하다. In the invention of the first, it is preferable that the difference the alumina based material and the alumina-group periodic table ⅢA heat shrinkage in the 1600~1900 ℃ of the layer containing the oxide or composite oxide of the element formed on the base material surface than 3% .이 열수축율차가 3%를 초과한 경우에는, 소결체에 크랙이 생겨서 바람직하지 않다. If the heat shrinkage ratio difference exceeds 3%, it is not desirable to crack problem has sintered body.

제 2의 본 발명은, 알루미나계 기재의 적어도 플라즈마에 쬐여지는 표면이, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합화합물을 포함하는 표면층에서 형성되고, 양자의 열팽창차를 완충하는 수단이 설치되어 있는 것이며, 이 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합화합물의 함유량이 70중량% 이상인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재이다. The second invention is, a sunlit room has a surface at least a plasma of the alumina based material is formed on the surface layer containing the oxide or a composite compound of a periodic table ⅢA element, it will have means for buffering a thermal expansion difference between the both is provided , a plasma-resistant member, characterized in that the content is not less than 70% by weight of an oxide or a complex compound of a periodic table ⅲA group elements in the surface layer.

상기 제 2의 본 발명에 있어서, 완충하는 수단으로서는 중간층을 설치하는 것, 성분을 경사시키는 것, 기공율을 조정하는 것 및 각 층의 두께를 조정하는 것 등의 수단을 단독으로, 혹은 이들의 수단을 조합하여서 채용할 수 있다. In the invention of the second, is to install as means for buffering the intermediate layer, that to tilt the component, to adjust the porosity and the means, such as to adjust the thickness of the layer alone, or their means hayeoseo combination may be employed.이들의 수단 중, 중간층을 설치하는 수단이 가장 바람직하다. Of these means, it is most preferred to install means for the intermediate layer.

또, 상기 제 2의 본 발명에 있어서, 상기 중간층 및 상기 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이, 각 층의 깊이방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것이 바람직하다. In the present invention, the second, the content of the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group elements in the intermediate layer and the surface layer, it is preferable that changes continuously in the depth direction of each layer.또, 상기 중간층 및 상기 표면층에 있어서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 깊이방향의 50㎛마다의 변화율이 30% 이하인 것이 특히 바람직하다. Further, in the intermediate layer and the surface layer, it is in particular preferred that the rate of change in the periodic table of each group ⅢA depth direction of the oxide or a composite oxide content of 30% or less elemental 50㎛.이 깊이방향의 성분함유량의 변화율이 30%를 초과하는 경우에는, 표면의 YAG와 기재의 알루미나와의 사이에, 물리특성(열팽창차)이 생겨 크랙이 발생함으로 바람직하지 않다. When the rate of change of the content of this component exceeds 30%, the depth direction, which is not preferable by between the surface of YAG and alumina base material, the cracks blossomed physical characteristics (thermal expansion difference).

제 3의 본 발명은, 알루미나계 기재와 기공율이 0.1% 이하의 치밀질의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층과, 이들의 양층의 중간에 위치하는 기공율이 0.2∼5%의 조밀질 세라믹스로 이루는 중간층을 가지는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재이다. The third present invention, the alumina based material and the porosity of the porosity which is located in the middle of the surface layer and, thereof yangcheung including an oxide or a composite oxide of dense quality ⅢA periodic table group element of not more than 0.1% a density of 0.2 to 5% of the by having an intermediate layer forming a ceramics is a plasma-resistant member as claimed.

이 제 3의 본 발명에 있어서, 중간층의 기공율이 상기 범위를 하회한 경우에는 응력완화의 불충분에 의한 크랙발생의 문제가 있고, 한편, 상기 범위를 상회한 경우에는, 강도면에서의 저하문제가 있어, 각각 바람직하지 않다. In the invention of the claim 3, in the case where the porosity of the intermediate layer if one falls below the above range, there is a problem of crack generation due to the insufficiency of the stress relaxation, while more than the above range, the degradation in strength There, it is not preferable, respectively.

상기 제 3의 본 발명에 있어서, 상기 치밀질의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층의 두께가 0.01∼0.50mm인 것이 바람직하고, 0.03∼0.20mm인 것이 특히 바람직하다. In the invention of the claim 3, the query that the dense periodic table, the thickness of the surface layer 0.01~0.50mm including an oxide or a composite oxide of ⅢA group elements are preferred, that the 0.03~0.20mm is particularly preferred.이 두께가 상기 범위를 하회한 경우에는, 부식성가스 분위기하에서 충분히 견딜 수 있는 두께는 아니다. If the thickness is smaller than the above range, the thickness is not enough to withstand under the corrosive gas atmosphere.한편, 이 범위를 상회한 경우에는, 제조비 상승의 문제가 있어서 바람직하지 않다. On the other hand, when a exceeds this range, it is not preferable due to a problem of production cost increase.

제 4의 본 발명은, 알루미나계 기재와, 이 알루미나계 기재의 표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층으로 이루고, 이 알루미나계 기재의 표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 기공율이 0.2∼5%인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재이다. The present invention of claim 4, the alumina based material and forms a surface layer containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group element formed on the surface of the alumina based material, periodic table, oxides of ⅢA group element formed on the surface of the alumina based material or a plasma-resistant member that the porosity comprising a complex oxide of 0.2 to 5%, characterized.

이 제 4의 본 발명에 있어서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층의 기공율이 상기 범위를 하회한 경우에는 치밀질이 되고, 응력완화가 불충분하여 크랙이 발생한다는 문제가 있고, 한편, 상기 범위를 상회한 경우에는 기공이 기재인 알루미나를 관통하고, 알루미나가 선택적으로 에칭되어 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 ⅢA족원소의 복합산화물의 층이 박리하고, 입자발생의 원인이 되어 바람직하지 않다. In the invention of the claim 4, there is a problem that the surface layer of porosity including an oxide or a composite oxide of the periodic table ⅢA group elements that if a smaller than the above range, and the dense, a crack caused by the stress relaxation is insufficient, on the other hand, preferably if one exceeds the above range, and pass through the alumina pores the substrate, the alumina is selectively etched with the cause of the complex oxide is generated separation, the particle layer of the oxide or ⅲA group elements of the periodic table ⅲA group element it is not.

상기 제 4의 본 발명에 있어서, 상기 알루미나계 기재의 표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층의 두께가 0.01∼0.50mm인 것이 바람직하고, 0.03∼0.2mm인 것이 특히 바람직하다. In the invention of the claim 4, the preferred alumina-based in the periodic table formed on the surface of the substrate ⅢA group the thickness of the surface layer containing the oxide or composite oxide of the element 0.01~0.50mm, and that the especially preferred 0.03~0.2mm Do.이 표면층의 두께가 상기 범위를 하회한 경우에는, 부식성가스에 충분히 견딜 수 있는 두께가 아니라는 문제가 있고, 한편, 표면층의 두께가 상기 범위를 상회한 경우에는, 제조비 상승의 문제가 있어서 바람직하지 않다. When a falls below the above range, the thickness of the surface layer, the problem is not a thickness that can withstand the corrosive gases and, on the other hand, in the case where the thickness of the surface layer exceeds the above range, it is not preferable due to a problem of production cost rising .

상기 본 발명은, 다음과 같은 식견에 의거하는 것이다. The present invention is based on the following insight same.

여기서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체가 고내식성을 나타내는 것은, 다음과 같은 이유에 의한다. Here, an oxide or a composite oxide sintered body of the periodic table ⅢA group elements and representing corrosion resistance, which is obtained from the following reasons:즉, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체는, 불소가스에 쬐여지면 ⅢA족원소의 불화물을 생성한다. That is, an oxide or a composite oxide sintered body of the periodic table ⅢA group elements is, for the fluorine gas jjoeyeo ground to produce a fluoride of ⅢA group elements.그리고, 이 ⅢA족원소의 불화물은, 그 융점 혹은 비점이 높아서 휘산하기 어려울 뿐만 아니라, 불화물층은, 불소라디칼과의 반응도 진행하기 어렵기 때문에, 결과로서, 고내식성을 나타내게 된다. Then, the fluoride of the ⅢA group elements, as well as difficult to its melting point or a high boiling point and vaporization, a fluoride layer, since it is difficult to proceed the reaction with fluorine radicals, as a result, exhibit a high corrosion resistance.

그런데, 알루미나계 기재면에, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체를 형성하면, 양자의 열팽창율의 상위에서 크랙이 인정되고, 기대되는 바와 같은 고내식성 부재를 실현하는 것이 곤란하였다. However, it is difficult to face the alumina based material, forming an oxide or a composite oxide sintered body of the periodic table ⅢA element, a crack is recognized by the parent of the coefficient of thermal expansion of the two, realizing a high-corrosion-resistant member, as expected.

그래서, 여러가지로 검토한 결과, 알루미나계 기재면 및 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체의 사이에 완충층이 되는 중간층을 개재시킴으로써, 열팽창율의 차를 흡수하여 크랙의 발생을 저지할 수 있는 것에 착안하고, 제 1, 제 2 및 제 3의 본 발명에 이르게 된 것이다. Thus, a review of many ways resulting, by interposing an intermediate layer which is a buffer layer between the alumina based material surface and the oxide or composite oxide sintered compact of ⅢA element, absorbs the difference in thermal expansion rate and target being able to prevent the occurrence of cracks , to the first, second and leads to the invention of the third.

또한, 표면의 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체의 기공율이 특정범위에 있으면, 알루미나계 기재와 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체와의 사이에 중간층을 설치하지 않아도, 크랙의 발생을 저지할 수 있는 것을 발견하고, 제 4의 본 발명에 이른 것이다. Further, the porosity of the oxide or composite oxide sintered compact of ⅢA group elements in the surface is in a certain range, without having to install an intermediate layer between the alumina based material and the oxide or composite oxide sintered compact of ⅢA element, to prevent the occurrence of cracks found that can, and will early in the invention of claim 4.

[제 1실시형태] [First Embodiment]

이하, 제 1실시형태에 대해서 설명한다. Hereinafter, a description will be given of the first embodiment.

이 실시형태는, 알루미나계 기재와 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층인 소결체층과의 사이에, 10∼80중량%의 주기율표 ⅢA족 원소의 산화물 혹은 복합산화물 및 90∼20중량%의 알루미나로 이루는 중간층을 형성하는 것이다. In this embodiment, the alumina based material and a periodic table group ⅢA between the surface layers of the sintered body layer containing the oxide or composite oxide of the element, an oxide or composite oxide of the Periodic Table of 10 to 80% by weight ⅢA group elements and 90-20 weight to form the intermediate layer forms, as a% of alumina.

이 실시형태에 있어서, 알루미나계 기재는 적어도 90중량%가 알루미나성분인 알루미나 소결체(알루미나 세라믹스)이다. In this embodiment, the alumina based material is a sintered body of alumina (alumina ceramics) at least 90% by weight of the alumina components.

보다 구체적으로는, 예를 들면 알루미나-주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물계에 있어서, 알루미나계 기재면측에서 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 소결체층측에 알루미나 성분비를, 연속적 혹은 단계적으로 저하시키는 구성이 바람직하다. More specifically, for example alumina-alumina component ratio in the in the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA element, the alumina-based sintered layer side containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group elements from the substrate surface side, continuously or stepwise the configuration in which the degradation is preferred.예를 들면 알루미나 90∼20중량%, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 10∼80중량%의 범위내에서, 보다 바람직하게는 중간층이 1층의 경우는, 30∼70중량%의 범위내로 선택하고, 요컨데, 연속적 혹은 단계적으로 저하시키는 구성이 바람직하다. For example, selected within the 90-20% by weight alumina, ⅢA periodic table group in the range of 10 to 80% by weight of the oxide or composite oxide of the element, more preferably the middle layer, the range of 30 to 70% by weight For the first layer and, a configuration is preferable to short, decreases continuously or stepwise.또한, 중간층이 2층이상의 경우는, 인접하는 층끼리의 조성차가 30%이하, 보다 바람직하게는 25%이하이다. Further, when the intermediate layer having two or more layers is a difference in composition of the layers between the adjacent less than 30%, more preferably at most 25%.

본 실시형태에 있어서, 알루미나계 기재 및 중간층과의 관계는, 그들 원료분말의 비표면적이 1.0∼10.0m 2 /g이면, 양자의 밀착 일체화가 더욱강화되어 박리 등을 초래할 우려가 해소한다. In this embodiment, the relationship between the alumina based material and intermediate layer is, when a specific surface area of 1.0~10.0m 2 / g in the raw material powder of them, the adhesion of the two are integrally reinforced to eliminate the risk result in such detachment.또, 알루미나계 기재 및 중간층의 1600∼1900℃에 있어서의 열수축율차가 3%이하의 경우, 특히, 박리 등을 초래할 우려가 해소한다. In addition, the difference in the heat shrinkage in the 1600~1900 ℃ of the alumina based material and intermediate layer is eliminated a fear result in the case of 3% or less, in particular, separation or the like.여기서의 열수축율차는 2%이하, 1%이하로 적을 수록 바람직하다. The heat shrinkage of 2% or less, where the difference, it is more preferable to less than 1%.또한, 알루미나계 기재 및 ⅢA족원소의 산화물층의 1600∼1900℃에서의 열수축율차를 3%이하, 바람직하게는 2%이하, 보다 바람직하게는 1%이하로 한다. Further, the alumina based material and ⅢA group is to the heat shrinkage difference in the 1600~1900 ℃ of an oxide layer in an element 3% or less, preferably 2% or less, more preferably at most 1%.

예를 들면, 알루미나계 기재에 100%의 이트륨 알루미늄가넷층을 적층 소결한 구성에 있어서, 양자의 중간적인 조성의 중간층을 1층에 삽입시킨 경우의 알루미나계 기재 및 이트륨 알루미늄가넷층의 성형체에서 소결할 때의 1600∼1900℃의 열수축율차와, 적층 소결체의 상태(갈라지지 않는 균열의 발생)와의 관계는, 표 1에 나타내는 바와 같았다. For example, in the configuration in which the laminated sintered to 100% of yttrium-aluminum garnet layer on the alumina based material, sintered in alumina based material and yttrium-molded article of the aluminum garnet layer in the case where the insertion of the intermediate composition of the two intermediate layers to the first layer relationship between the heat shrinkage condition of the car, and a laminated sintered body of 1600~1900 ℃ (occurrence of cracks does not split) at the time it is, were as shown in Table 1.즉, 열수축율차가 3%의 경우는, 박리 등을 일으키지 않는 소결체가 얻어진다. That is, if the difference between the heat shrinkage of 3%, the sintered body does not cause such separation is obtained.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 기재가 본질적으로 알루미나질 소결체로 형성되고, 플라즈마에 쬐이는 표면이 완충체층을 거쳐서 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 소결체로 피복된 구성을 채택하고 있다. As described above, in this embodiment, and the substrate is essentially formed of a alumina sintered product, which sunlit the plasma surface is via a buffer layer adopts the configuration coated with an oxide or a composite oxide sintered body of the periodic table ⅢA group elements.즉, 구부림강도나 파괴인성 등 기계적 강도가 뛰어난 알루미나질 소결체를 기재로 하는 한편, 플라즈마에 쬐이는 기재표면을 내플라즈마성이 뛰어난 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물로 피복한 구성으로 하고 있다. In other words, and as the bending strength and the fracture toughness and mechanical strength to the superior alumina sintered body as a substrate the other hand, the sunlit plasma which a structure coated with an oxide or a composite oxide of excellent plasma resistance to the substrate surface periodic table ⅢA group elements.더구나, 기재면과 주기율표 ⅢA족원소의 산화물질층과의 사이에는, 기재 및 피복 산화물질층의 열팽창·수축차를 완화하는 중간층을 삽입한 구성으로 되어 있다. Also, there is a substrate surface and is between the oxide material layers of the periodic table ⅢA element, configured by inserting an intermediate layer to reduce the thermal expansion and contraction of the primary substrate and the coating material layer is oxidized.

[제 2실시형태] [Second Embodiment]

본 발명의 제 2실시형태에 대하여 설명한다. It will be described a second embodiment of the present invention.

이 실시형태는, 알루미나계 기재의 적어도 플라즈마에 쬐이는 표면이, 중간 층을 거쳐서 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층으로 형성되어 있는 것이며, 이 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이 70중량% 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 것이다. In this embodiment, a sunlit to at least the plasma of the alumina based material, which surface, via the intermediate layer will, which is formed in the surface layer containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA element, of the periodic table ⅢA group elements in the surface layer the content of the oxide or composite oxide is characterized in that more than 70% by weight.이 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이 70중량% 미만에서는, 내식성이 불충분하며, 보다 바람직한 범위는 90% 이상이다. Is less than 70% by weight of an oxide or a composite oxide content of the periodic table ⅢA group elements in the surface layer, the corrosion resistance is insufficient, and more preferable range is 90% or more.

상기 중간층 및 상기 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이, 각 층의 깊이방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것인 것이 특히 바람직하다. That the said intermediate layer and an oxide or a composite oxide content of the periodic table ⅢA group elements in the surface layer, which will be continuously changed in the depth direction of each layer is particularly preferred.

또, 상기 중간층 및 상기 표면층에 있어서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 깊이방향의 50μm마다의 변화율이 30% 이하인 것이 더욱 바람직하다. Further, in the intermediate layer and the surface layer, it is more preferable in which the rate of change in each of 50μm depth of the periodic table ⅢA group content of the oxide or composite oxide of the element not more than 30%.

소성체 내부에서 소성체 표면으로 향해서 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이, 경사적으로 증가하고 있어서, 깊이방향의 50μm마다의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 변화율이 30% 이하로 함으로써, 높은 내플라즈마성을 유지할 수 있고, 알루미나계 기재와 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 소성수축차나 열팽창차에 기인하는 크랙의 발생을 억제할 수 있다. In the content of the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group element toward a fired body surfaces inside the plastic body, and increasing the slope small, the periodic table ⅢA group oxide or a content rate of change of the composite oxides of the elements for each direction of depth 50μm 30 by a% or less, can maintain a high plasma resistance, it is possible to suppress the alumina based material and the occurrence of cracks due to plastic shrinkage car or the thermal expansion difference between the oxide or composite oxide of the periodic table ⅲA group elements.여기서, 50μm마다의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 변화율이 30% 이상에서는, 표면에서 깊이 100μm까지의 주기율 표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유가 적게 되기 때문에, 내식성이 나빠진다. Here, in the periodic table ⅢA group oxide or a content rate of change of the composite oxides of the elements of each 50μm 30% or more, since the content of the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group element to a depth of 100μm from the surface is less, the corrosion resistance and It falls.또, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 변화가 크면, 소성수축차나 열팽창차가 크게 되기 때문에, 크랙이 발생하기 쉽게 된다. Further, since the oxide or a change of the content of the composite oxide of the periodic table ⅢA group elements is greatly the difference is greater, plastic shrinkage car or thermal expansion, a crack is easy to occur.50μm마다의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 변화율이 10% 이하가 보다 바람직하다. The content of the oxide or composite oxide of the rate of change in the periodic table ⅢA group elements each 50μm is 10% or less is more preferable.

이와 같이, 알루미나계 기재, 중간층 및 표면층의 조성을 연속적으로 변화하도록 형성하는데는, 예를 들면 다음과 같은 방법을 채용함으로써 실현할 수 있다. In this way, it is to form the alumina based material to be changed to the composition of the intermediate layer and surface layer continuously, for example can be achieved by adopting the following measures:

이 제조방법에 있어서, HIP 혹은 HP 등의 수단으로 가압소성하여, 기공이 적은 소결체를 얻는 것도 가능하다. In this manufacturing method, by pressing the firing means such as HIP or HP, it is also possible to obtain a low-pore sintered body.

[제 2실시형태] [Second Embodiment]

본 발명의 제 3실시형태에 대하여 설명한다. It will be described a third embodiment of the present invention.

이 실시형태는, 알루미나계 기재와 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층과의 사이에, 조밀질한 구조를 취하는 중간층을 넣음으로써, 알루미나계 기재와 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층과의 열팽창차를 완화하고, 크랙이 없는 코팅부재를 제조하는 것을 가능하게 하는 것이다. In this embodiment, the alumina based material and between the surface layer and containing the oxide or composite oxide of ⅢA element, an oxide or a composite oxide of by placing an intermediate layer that takes a dense quality structure, the alumina based material and ⅢA group element mitigate the thermal expansion difference between the surface layer containing, and to make it possible to produce a member coated with no crack.

즉, 알루미나에 기공율 0.1% 이하의 치밀질한 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 코팅하면, 소성시의 선팽창율차에서 잔류응력이 발생하여 소성쌍에 크랙이 발생하므로, 이 것을 회피하기 위해 본 실시형태에서는, 중간층으로서 기공율이 0.2∼5%의 조밀질 세라믹스층을 채용하는 것이다. That is, if the coating porosity of 0.1% dense oxide or composite oxide of the quality a ⅢA group elements below the alumina, because the residual stress generated in the linear expansion coefficient difference between the time of firing cracks occur in baking pair, this in order to avoid this that in the embodiment, as an intermediate layer to the porosity adopted dense ceramics layer of 0.2 to 5%.

이 조밀질 세라믹스층인 중간층의 재료로서는, 알루미나계 기재와 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층과 각각 친화성을 가지는 세라믹스 재료층이 바람직하고, 구체적으로는 알루미나계 재료층, ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물층, 혹은 이들의 혼합층 등으로 구성하는 것이, 보다 크랙발생을 방지할 수 있는 점에서 바람직하다. This as a material of the dense ceramics layer is a middle layer, and a ceramics layer having a surface layer and the respective affinity containing the oxide or composite oxide of the alumina based material and ⅢA group element preferable, specifically, alumina-based material layer, ⅢA group be comprised of an oxide or a composite oxide layer of the element, or those of the mixed layer, etc., it is preferred in that it can more prevent cracking.

이와 같은 조밀질 세라믹스층을 형성하는 데는, 원료분의 입자경 및 형상을 제어하는 수단을 채용하는 것이 바람직하다. In There forming the same dense ceramics layer, it is preferable to employ means for controlling the particle size and shape of the raw meal.

또, 본 실시형태에 있어서, 기공율은 샘플의 단면사진을 화상해석하는 수단으로 측정할 수 있다. In the present embodiment, the porosity can be measured by means of image analysis of a cross-sectional photograph of the sample.

[제 4실시형태] [Fourth Embodiment]

이하에 본 발명의 제 4실시형태에 대하여 설명한다. It will be described a fourth embodiment of the present invention are described below.

본 실시형태에서는, ⅢA족원소로 이루는 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층의 기공율을 제어함으로써, 알루미나계 기재와, ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 수축율차 및 열팽창율차를 완화하고, 소성 후의 크랙발생을 방지하는 것이다. In this embodiment, ⅢA group cracks after by controlling the porosity of the surface layer containing the oxide or composite oxide constituting an element, easing the alumina based material and a shrinkage ratio difference and a thermal expansion yulcha of the oxide or composite oxide of ⅢA element, and fired to prevent the occurrence.

즉, 알루미나 표면에, 0.01mm 이상의 고농도의 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 층을 형성하는 방법으로서는, (1)소성전에 알루미나 조립분말과 ⅢA족원소의 산화물분을 나눠서, 충전 성형하고, 소성함으로써, 알루미나 표면에 고농도의 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 층을 형성하는 방법, 및 (2)알루미나 조립분말을 성형 가소(假燒)하고, 이 가소체에 YAG의 슬러리를 도포한 후, 소성하는 방법 등이 있다. That is, the alumina surface, a method of forming a layer containing the oxide or composite oxide of at least 0.01mm high concentration of ⅢA element, dividing the oxide minutes of the alumina granulated powder with ⅢA group element before (1) plastic, and filling the molding , by firing, a method of forming a layer of an oxide or a composite oxide of high concentration of ⅲA element, and (2) forming a plasticizer (假 燒) the alumina granulated powder to the alumina surface, coated with a slurry of YAG on the plasticized material there is then, a method of firing or the like.그러나, 알루미나계 기재와 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 소성시의 수축율차 및 열팽창율차가 다르기 때문에, 소성 후에 크랙이 발생하기 쉽다. However, because of the different shrinkage difference between primary and coefficient of thermal expansion at the time of firing of the oxide or composite oxide of the alumina based material and ⅢA element, it is liable to cracking after firing.그래서, 이것을 회피하기 위해, 표면층의 기공율을 제어함으로써, 크랙의 발생을 저지하고자 하는 것이다. So, to by controlling the porosity of the surface layer, to prevent the occurrence of cracks in order to avoid this.

본 실시형태에 있어서, ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층을, 기공율 0.2∼5%의 조밀질 세라믹스층을 채용함으로써, 크랙의 발생이 저지된다. In the present embodiment, the surface layer containing the oxide or composite oxide of ⅢA element, by employing a dense ceramics layer having a porosity of 0.2 to 5%, and is prevented from occurrence of cracks.

본 실시형태에 있어서, 상기 기공율이 0.2% 이하에서는, 표면층이 치밀질로 되어 크랙이 발생한다. In the present embodiment, in the porosity of not more than 0.2%, the surface layer is dense quality caused a crack.한편, 표면층의 기공율이 5% 이상에서는, 기공이 기재인 알루미나에 관통하고, 알루미나가 선택적으로 에칭되어, ⅢA족 혹은 ⅢA족 복합산화물의 층이 박리하고, 입자 발생의 원인이 된다. On the other hand, the porosity of the surface layer is 5% or more, through the pores of the substrate alumina, and alumina is selectively etched, and the peeling layer of ⅢA group or ⅢA group composite oxide, is the cause of particle generation.

또한, 본 실시형태에 있어서, 기공율의 측정수단으로서는, 상술한 제 3실시형태에 있어서 설명한 방법을 채용할 수 있다. In the embodiment, as a measure of porosity, there may be employed a method described in the third embodiment described above.

또, 표면층의 기공율을, 본 실시형태의 범위에 제어하는 수단으로서는, 원료분의 입자경의 제어, 또는 이형상의 입자를 첨가하는 기포재를 첨가하는 등의 방법을 채용함으로써 실현할 수 있다. In addition, the porosity of the surface layer, as a means for controlling the range of the present embodiment can be realized by employing a method such as that control of the particle size of the raw meal, or the addition of foam material the addition of particles on the release.

[기타 변형예] [Other modified examples]

상기 구성에 수반하여, 플라즈마 분위기에 쬐이는 부재로서의 사용에 있어서, 열적인 영향·작용에 의한 피복층의 박리나 세정조작 등에서의 손상·손괴의 발생이 해소되고, 또, 입자 오염을 발생할 우려도 없어진다. Along with the above configuration, a sunlit the plasma atmosphere, which in the use as a member, the occurrence of damage, songoe of etc. peeling or washing operation of the coating layer due to thermal effects and functions is eliminated, and there becomes no need to fear cause particle contamination .따라서, 제조장치 내지 반도체의 제조비 상승을 억제 방지하면서, 성막의 질이나 정밀도 등에 악영향을 주지않고, 성능이나 신뢰성이 높은 반도체의 제조·가공에 효과적으로 기여한다. Accordingly, while preventing the production apparatus to suppress the manufacturing cost increase of the semiconductor, or the like without adversely affecting the quality and accuracy of film deposition, which contributes effectively to the manufacture and processing of semiconductor performance and high reliability.

(실시예) (Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명한다. It will be described below by the present invention in embodiments.

(실시예 1) (Example 1)

순도 99.5%, 평균입경 0.3μm의 알루미나입자 및 순도 99.5%, 평균입경 0.3μm의 이트리어(Y 2 0 3 )입자를 표 2에 나타내는 바와 같은 조성비(중량%)로 선택하고, 이들의 성분계 100중량부 당, 적량의 이온교환수 및 폴리비닐 알코랄 2중량부를 가하고, 볼밀방식에 의해 12시간교반·혼합하여 7종의 슬러리를 조제한다. Purity: 99.5%, average particle diameter of the alumina particles 0.3μm and a purity of 99.5%, a Trier having an average particle size of 0.3μm (Y 2 0 3) Select the particles with the composition ratio (% by weight) as shown in Table 2, and those of the component 100 parts by weight of sugar, an appropriate amount of ion-exchanged water and 2 parts by weight of polyvinyl Coral Al added, followed by stirring and mixing by a ball mill for 12 hours to prepare a system of seven slurry.이어서, 상기 조제한 각 슬러리를 각각 스프레이 드라이어에 의해, 입경 100μm정도의 조립분말로 하였다. It was then to each of the slurry was adjusted to a particle size of the granulated powder 100μm degree by each of the spray dryer.

또, 상기 방법으로 얻어진 소결체를 20×20×2mm로 가공하고, 400℃로 가열유지된 대기로 중에 10분간 넣고, 노외로 꺼내서 실온까지 냉각하는 히트사이클을 100회 행하고 크랙의 유무를 확인하였다. The insert processing a sintered body obtained by the above method in 20 × 20 × 2mm, and for 10 minutes while in the retained heated to 400 ℃ atmosphere, taken out to the furnace is performed 100 times to a heat cycle to cool to room temperature to determine the presence or absence of cracks.그 결과를 표 4에 합쳐서 나타낸다. Together they represent the results are shown in Table 4.

상기 알루미나의 가소체에, 이 YAG 등을 포함하는 슬러리를 스프레이에 의해 도포하고, 50℃로 12시간 건조 후, 재차 가소하였다. The plasticized material of the alumina, is then applied by spraying in a slurry containing a YAG or the like, and dried 12 hours in 50 ℃, was re-calcining.

이렇게 코팅한 가소체를 1700∼1850℃로 2시간 소성하였다. To do this the coated plasticized material was calcined 2 hours at 1700~1850 ℃.

그 결과, 도 4에 나타내는 단면의 소성체가 얻어졌다. As a result, the obtained fired body 4 of the cross-section shown in.도 4에서 보여지는 바와 같이, 기공율 0%의 치밀질 YAG 등의 층을 가지는 것은 크랙이 발생하고 있으나, 기공율 0.3%의 치밀질의 YAG층을 가지는 것은 크랙이 발생하지 않았다. As shown in Figure 4, has a layer having a porosity of 0% of such dense YAG it is Although the generation of cracks, it has a compact YAG layer having a porosity of 0.3% did not cause a crack.

본 발명은, 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 변형을 채용할 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiment, it is possible to employ the various modifications without departing from the scope of the invention.예를 들면, 알루미나질 기재의 두께나 형상, 중간층의 재질·조성, 피복층을 이루는 ⅢA족원소의 산화물질층의 재질, 두께 등, 허용되는 범위에서 적의 변경할 수 있다. For example, the thickness and shape of the alumina substrate, the material of the intermediate layer, the material of the composition, of antioxidants ⅢA group elements constituting the coating layer can be changed from the enemy, and thickness tolerances are.

이상 설명한 바와 같이 제 1 내지 제 3의 본 발명에 의하면, 구부림강도나 파괴인성 등 기계적인 강도가 뛰어난 알루미나계 소결체를 기재로 하는 한편, 플라즈마에 쬐여지는 기재표면을 내플라즈마성이 뛰어난 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물로 피복한 구성으로 하고, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 함유하는 표면층과의 사이에는, 기재 및 피복 산화물질층의 열팽창·수축차를 완화 내지 밀착성에 기여하는 중간층을 삽입한 구성으로 함으로써, 기계적인 강도가 보강되고, 또한 저압고밀도 플라즈마폭로에 대해서도 충분히 견디는 내플라 즈마성 부재를 실현할 수 있었다. According to the invention of the first to third steps described above, that the bending strength and fracture toughness, such as the mechanical strength is excellent alumina-based sintered body as a substrate the other hand, the sunlit room in plasma Periodic Table excellent plasma resistance to the substrate surface ⅢA in a configuration coated with an oxide or composite oxide of the group elements, and between the surface layer and containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅲA element, to reduce the thermal expansion and contraction difference of the substrate and a covering oxide layer of material that contributes to the adhesion by the configuration in which the insert middle layer, the mechanical strength is reinforced, it could be realized within the plasma resistant member sex enough even for low-pressure high-density plasma exposure.

또, 제 2의 본 발명에 의하면, 알루미나계 기재표면에 특정의 기공율을 가지는 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 소결체층을 형성함으로써, 동일하게 내플라즈마성에 뛰어난 부재를 실현할 수 있었다. In addition, according to the second invention, by forming a periodic table group ⅢA oxide or a sintered product layer of compound oxide of an element having a certain porosity of the alumina based material surface, it could equally be realized the superior member gender plasma.

이와 같이, 본 발명의 내플라즈마성 부재는, 플라즈마 분위기에 쬐여지는 부재로서의 사용에 있어서, 열적인 영향·작용에 의한 피복층의 박리나 세정조작 등에서의 손상·손괴의 발생이 해소되는 등, 뛰어난 내구성을 가지는 부재로서 기능하므로, 반도체 제조장치의 장수명화 등에 기여한다. Thus, the plasma-resistant member of the present invention, a sunlit room in the plasma atmosphere is in the use as a member, and is eliminated the occurrence of the damage, songoe of etc. peeling or washing operation of the coating layer due to thermal effects and functions, excellent it functions as a member having a durable, it contributes to a long life, etc. of the semiconductor manufacturing apparatus.

또, 입자 오염이 발생할 우려도 없어지기 때문에, 반도체의 신뢰성향상, 수율의 향상 등도 도모된다. In addition, it is also achieved, since not even concerned cause particle contamination, improving the reliability of a semiconductor, an improvement in yield.따라서, 제조장치 내지 반도체의 제조비 상승을 억제 방지하면서, 성막의 질이나 정밀도 등에 악영향을 주지 않고, 성능이나 신뢰성이 높은 반도체의 제조·가공에, 효과적으로 기여한다. Therefore, the production apparatus to suppress the manufacturing cost while preventing the rise of the semiconductor, or the like without adversely affecting the quality and accuracy of film formation, the production of high performance and reliability, semiconductor processing, which contributes effectively.

10∼80중량%의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물 및 90∼20중량%의 알루미나로 형성되어 있는 중간층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Of 10 to 80% by weight of periodic table Group ⅢA plasma-resistant member characterized in that the intermediate layer consists of which is formed of an oxide or a composite oxide of alumina and 90-20% by weight of the element.

제1항에 있어서, According to claim 1,

상기 알루미나계 기재와 상기 알루미나계 기재 표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 층의 1600∼1900℃에 있어서의 열 수축율 차가 3% 이하인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Plasma-resistant member, characterized in that the alumina based material and the alumina-based heat shrinkage in the 1600~1900 ℃ of the layer containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group element formed on the surface of a substrate the difference not more than 3%.

알루미나계 기재의 적어도 플라즈마에 쬐여지는 표면이, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층으로 형성되고, 알루미나계 기재와 표면층 사이의 열팽창차를 완충하는 수단이 설치되어 있는 것이며, 이 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이 70중량% 이상인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. The sunlit room has a surface at least a plasma of the alumina based material is formed as a surface layer containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA element, the means for buffering a thermal expansion difference between the alumina based material and the surface layer will installed, the plasma-resistant member characterized in that a periodic table group ⅲA oxide or the content of the compound oxide of elements in the surface layer less than 70% by weight.

알루미나계 기재의 적어도 플라즈마에 쬐여지는 표면이, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층으로 형성되고, 알루미나계 기재와 표면층 사이의 열팽창차를 완충하는 중간층이 설치되어 있는 것이며, 이 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이 70중량% 이상인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. The sunlit room has a surface at least a plasma of the alumina based material is formed as a surface layer containing the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA element, the intermediate layer to buffer the thermal expansion difference between the alumina based material and the surface layer will installed, the plasma-resistant member characterized in that a periodic table group ⅲA oxide or the content of the compound oxide of elements in the surface layer less than 70% by weight.

제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,

상기 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족 원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이, 각 층의 깊이방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Plasma-resistant member characterized in that the content of the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group elements in the surface layer, which changes continuously in the depth direction of each layer.

제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,

상기 중간층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이, 각 층의 깊이방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Plasma-resistant member characterized in that the content of the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group elements in the intermediate layer, which changes continuously in the depth direction of each layer.

제4항에 있어서, 5. The method of claim 4,

상기 중간층과 표면층에 있어서의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량이, 각 층의 깊이방향으로 연속적으로 변화하고 있는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Plasma-resistant member characterized in that the content of the oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group elements in the intermediate layer and the surface layer, which changes continuously in the depth direction of each layer.

제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,

상기 표면층에 있어서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 깊이방향의 50μm마다의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. In the surface layer, plasma-resistant member, characterized in that the rate of change of each of 50μm depth of the periodic table ⅢA group content of the oxide or composite oxide of the element not more than 30%.

제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,

상기 중간층에 있어서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 깊이방향의 50μm마다의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. In the intermediate layer, a plasma-resistant member, characterized in that the rate of change of each of 50μm depth of the periodic table ⅢA group content of the oxide or composite oxide of the element not more than 30%.

제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,

상기 중간층과 표면층에 있어서, 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물의 함유량의 깊이방향의 50μm마다의 변화율이 30% 이하인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. In the intermediate layer and the surface layer, plasma-resistant member, characterized in that the rate of change of 50μm for each of the periodic table Group ⅢA depth of the content of the oxide or composite oxide of the element not more than 30%.

알루미나계 기재와, 기공율이 0.1% 이하의 치밀질의 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층과, 이들의 양 층의 중간에 위치하는 기공율이 0.2∼5%의 조밀질 세라믹스층으로 이루는 중간층을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Alumina based material and the porosity of the porosity which is located in the middle of the surface layer and, both of these layers comprising an oxide or a composite oxide of dense quality ⅢA periodic table group element of not more than 0.1% of forming a dense ceramics layer of 0.2 to 5% plasma-resistant member characterized in that it comprises an intermediate layer.

알루미나계 기재와, 이 알루미나계 기재의 표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층으로 이루고, 이 알루미나계 기재의 표면에 형성된 주기율표 ⅢA족원소의 산화물 혹은 복합산화물을 포함하는 표면층의 기공율이 0.2∼5%인 것을 특징으로 하는 내플라즈마성 부재. Alumina based material and a surface layer containing a periodic table ⅢA group forms a surface layer containing the oxide or composite oxide of the element, an oxide or composite oxide of the periodic table ⅢA group element formed on the surface of the alumina based material formed on the surface of the alumina based material plasma-resistant member that is of a porosity of 0.2 to 5%, characterized.