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Abstract

Translated from Japanese

本発明の表示装置は、額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。 Display device of the present invention has an object to provide a display device which allows a narrower frame region.このために本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子（１２０）と外周側に電源の配線層（１０７）とを有する基板（１００）と、表示素子の相互間を分離するバンク層（１１３）と、複数の表示素子とバンク層とを覆う電極層（１２３）と、基板の外周部分と外周を一周する封止部（２０２）において接着剤などの接合手段（３０１）を介して接合して電極層を更に覆う封止基板（２００）と、を備え、封止基板の外周を基板の外周の内側に位置し、電極層の外周部を封止基板の封止部（ｂ＋ｃ）内にて電源の配線（１０７）と接続する。 Display device of the present invention to this, a plurality of display elements (120) and the power supply wiring layer on the outer peripheral side that are arranged (107) substrate having a (100), the bank layer separating the mutual display device and (113), the electrode layer covering the plurality of display elements and the bank layer (123), via joining means such as an adhesive (301) in the sealing portion which around the outer peripheral portion and the outer periphery of the substrate (202) and bonding to further cover sealing substrate an electrode layer (200) comprises a, located the periphery of the sealing substrate to the inside of the outer periphery of the substrate, the sealing portion of the sealing substrate to the outer peripheral portion of the electrode layer (b + c) connecting at an internal power supply wiring (107).それにより、電極（１２３）と配線（１０７）との接続領域（ｃ）を基板と封止基板との接合領域（ｂ＋ｃ）として活用し、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ表示装置の額縁の構成要素となる部分を減らす。 Display thereby utilizing electrodes and wiring (107) and a connection region (c) (123) as the bonding area between the substrate and the sealing substrate (b + c), while ensuring a required bonding width for gas barrier, such as reducing the portion to be the frame components of the apparatus.

Description

Translated from Japanese

技術分野本発明は平面的なパネル型の表示装置に関し、特に、表示器周囲の非表示領域であるいわゆる額縁をより狭くすることを可能とした表示装置の発明に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a display device of flat panel type, in particular, relates to the invention of possible and the display device to further narrow the so-called frame is a non-display region around the display device.背景技術複数の表示素子を配列し、各表示素子の状態を制御することによって文字、画像、または映像などの画面を形成する表示装置が提供されている。 Arranging Background plurality of display devices, character by controlling the state of each display element, image, or display apparatus for forming a screen such as video, is provided.例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などの電気光学装置が挙げられる。 For example, electro-optical devices such as liquid crystal display devices and organic EL display devices.このような、表示装置においては、基板同士や基板と封止材との密閉を行って部材の劣化などを防止する。 Such, in the display device prevents such deterioration of the member performing sealing between the boards and the substrate and the encapsulant.例えば、有機ＥＬ表示装置においては、装置内に侵入する周囲のガスが有機ＥＬ発光素子の寿命に影響を与える。 For example, in the organic EL display device, gas around entering into the device affects the lifetime of the organic EL light-emitting device.特に、水分（水蒸気）や酸素は金属電極の劣化をもたらし、発光素子の長時間の動作を困難にしている。 In particular, moisture (water vapor) and oxygen results in the deterioration of the metal electrodes, making it difficult for a long time operation of the light emitting element.このため、有機ＥＬ表示素子のアレイを形成した基板をメタル缶や耐水性のプラスチックパッケージ、保護膜等によって密封して水蒸気や酸素に対するガスバリア性を得るようにしている。 Therefore, so as to obtain the substrate formed with an array of organic EL display devices metal can and water resistance of the plastic package, the gas barrier properties against water vapor and oxygen is sealed by a protective film.しかしながら、封止用メタル缶や封止用の保護膜等を表示素子を形成した表示素子基板上に形成する場合、封止用メタル缶や封止用の保護膜と表示素子基板とを接合するためのスペースが必要になる。 However, joining a case and a display device substrate and the protective film for the metal cans and sealing for sealing to form the display element on a substrate formed with the display device a protective film or the like for metal cans and sealing for sealing space is required for.また、上述したガスバリア性を確保するためには、一定の接合幅（接合スペース）も必要である。 In order to ensure the above-mentioned gas barrier property, a constant bonding width (joint space) is also required.表示素子基板の封止はこの基板の外周で行われるため、外周には表示領域として利用されない、いわゆる額縁が生ずる。 For sealing the display element substrate is performed in the outer periphery of the substrate is not utilized as a display region on the outer periphery, so-called frame occurs.これは、表示装置を搭載する携帯電話機、携帯情報機器等の装置の小型化や自由なデザインを困難にする。 This portable telephone equipped with a display device, making it difficult to miniaturize and design freedom of the device, such as portable information devices.よって、本発明は、額縁の領域をより狭くすることを可能とした表示装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention to provide a display device that allows a narrower frame region.また、本発明は、額縁の領域をより狭くしてもガスバリア性の低下しない表示装置を提供することを目的とする。 The present invention also aims to provide a display device even if narrower frame region does not decrease in gas barrier properties.発明の開示上記目的を達成するため本発明の表示装置は、バンク層によって分離された複数の表示素子と配線層とを有する基板と、上記複数の表示素子と前記バンク層とを覆う電極層と、少なくとも上記基板の外周の封止領域で接合して上記基板を覆う封止基板と、を備え、上記配線層は上記基板の封止領域の一部に形成され、上記電極層の外周部は上記封止領域内にて上記配線層と接続される。 It discloses a display device of the present invention for achieving the above object of the invention, a plurality of display elements that are separated by the bank layer and the substrate having a wiring layer, the plurality of display elements and the bank layer and the covering electrode layer and includes a sealing substrate for covering the substrate by bonding at least the sealing area of ​​the periphery of the substrate, and the wiring layer is formed on a part of the sealing region of the substrate, the outer peripheral portion of the electrode layer It is connected to the wiring layer in the sealing region.かかる構成とすることによって、基板の封止領域の一部を電極と配線との接続領域として活用するので、ガスバリア等のために所要の接合幅を確保しつつ封止基板の外形を小さくすることができ、表示装置の額縁の構成要素となる部分のサイズを減らしている。 According to the foregoing structure, since the leverage portion of the sealing region of the substrate as a connection region between the electrode and the wiring, to reduce the outer shape of the sealing substrate while ensuring a required bonding width for gas barrier, such as It can be, and reduce the size of the portion to be the frame of the components of the display device.好ましくは、上記電極層は各表示素子の共通電極（陰極や陽極）である。 Preferably, the electrode layer is a common electrode (cathode or anode) of the display devices.好ましくは、上記共通電極は上記表示素子側に位置する下層とその上に位置する上層の少なくとも２種類の電極層を含み、上記下層の電極層よりも上層の電極層がガスバリア性又は耐環境性が良い。 Preferably, the common electrode includes at least two electrode layers of the upper layer located thereon and underlying located on the display element side, an upper electrode layer gas barrier properties or environmental resistance than the lower electrode layer It is good.それにより、下層の電極層の劣化を抑制することが可能となる。 Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the lower electrode layer.また、下層の電極層に発光効率（あるいは動作効率）が良い膜を使用することが可能となる。 Further, it is possible to use the light emission efficiency (or operation efficiency) Good film to the lower electrode layer.好ましくは、上記下層の電極層は上記複数の表示素子全体と上記バンク層の少なくとも一部とを覆うが、上記封止基板の外周側の封止部からは離間し、上記上層の電極は上記下部電極層全体を覆って上記封止基板の封止部内にまで至る。 Preferably, the lower electrode layer covers at least a portion of the entire plurality of display elements and the bank layer, but spaced apart from the sealing portion of the outer peripheral side of the sealing substrate, the upper electrode is the It covers the entire lower electrode layer reaches up to the sealing portion of the sealing substrate.それにより、下層の電極層はガスが侵入する接合部から離間し、下層の電極層の劣化を抑制することが可能となる。 Thereby, the lower electrode layer spaced from the junction where the gas enters, it is possible to suppress the deterioration of the lower electrode layer.また、下層の電極層に発光効率が良い膜を使用することが可能となる。 Further, it is possible to use a high luminous efficiency film to the lower electrode layer.好ましくは、上記封止基板の封止部は、上記基板に対向する面に該封止基板の外周を一周するように突起してな。 Preferably, the sealing portion of the sealing substrate, and the projections so as to go round the outer circumference of the sealing substrate on a surface facing to the substrate.それにより、中空の封止基板（断面凹型）で基板を封止することが可能となる。 Thereby, it is possible to seal the substrate a hollow sealing substrate (cross sectional concave).好ましくは、上記基板の（電源の）配線層の上面は平坦に形成され、この上に上記電極層が積層されて電気的に接続される。 Preferably, the upper surface of the substrate (power) wiring layer is formed flat, the electrode layer is has been electrically connected laminated thereon.それにより、配線層と電極層との導通の確実が図られる。 Thereby, reliable can be achieved conduction between the wiring layer and the electrode layer.好ましくは、上記基板の上記封止基板の封止部に対向する面も平坦に形成される。 Preferably, the surface facing the sealing portion of the sealing substrate of the substrate is also formed flat.それにより、基板の封止部分に加わる応力を均一にすることが可能となる。 Thereby, it becomes possible to make uniform the stress applied to the sealing portion of the substrate.好ましくは、上記封止基板を多層薄膜に代えて封止を行う。 Preferably, it performs sealing instead of the sealing substrate in the multilayer film.それにより、可撓性のあるフィルム状の表示装置を実現可能となる。 Thereby, it is possible to realize a flexible film-like display device.好ましくは、上記封止基板の封止部のサイズは、上記接合手段のガスバリア性又は耐環境性を確保するために必要なマージンによって決定され、このマージンに上記共通電極及びこの共通電極に電源を供給する配線層相互間を接続する接続領域が含まれる。 Preferably, the size of the sealing portion of the sealing substrate is determined by the margin needed to ensure the gas barrier properties or environmental resistance of the joining means, the power to the common electrode and the common electrode in this margin It contains the connection area for connecting the supply wiring layers each other.それにより、信頼性の確保と表示装置の額縁の狭小化が可能となる。 Thereby, it is possible to frame a narrowing of the display device and ensure reliability.好ましくは、上記接合手段は接着膜を含み、この膜厚が２０μｍを越えないようになされる。 Preferably, the joining means comprise an adhesive layer, the thickness is made so as not to exceed 20 [mu] m.また、上記接着膜の幅が少なくとも１ｍｍ以上である。 The width of the adhesive film is at least 1mm or more.それにより、外部雰囲気との接触面を小さくし、外部雰囲気の侵入長を大きくとって、封止された素子の劣化を抑制する。 Thus, to reduce the contact surface with the outside atmosphere, taking a large penetration depth of the external atmosphere, it suppresses the deterioration of the sealed element.好ましくは、上記封止基板の外周は、上記基板に上記封止基板を載置する際のマージン分だけ上記基板の外周よりも内側に位置する。 Preferably, the outer periphery of the sealing substrate is positioned inside the margin by the outer periphery of the substrate at the time of disposing the sealing substrate to the substrate.それにより、封止基板の基板への載置を容易にする。 Thereby facilitating the placement of the substrate of the sealing substrate.また、好ましくは、上記封止基板の外周、少なくとも上記基板を分割する際のスクライブマージン分だけ上記基板の外周よりも内側に位置する。 Also preferably, the outer periphery of the sealing substrate, than the scribe margin only the outer periphery of the substrate at the time of dividing at least the substrate located inside.それにより、組立後の表示器の分離切断の所要スペースを確保する。 Thereby ensuring the required space of the display unit of the separation cut after assembly.好ましくは、上記封止基板は平坦な基板によって構成される。 Preferably, the sealing substrate is constituted by a flat substrate.それにより、より簡易に封止を行うことが可能となる。 Thereby, it becomes possible to perform more sealing easily.好ましくは、上記バンク層は上記封止基板の封止部内に位置しない。 Preferably, the bank layer is not located within the sealing portion of the sealing substrate.それにより、バンク層は封止部領域から離間するため、バンク層を相対的に水分の透過率の高い有機材料にて形成することが可能となる。 Thereby, the bank layer for spaced from the sealing area, it is possible to form the bank layer at a high organic material transmittance of relatively water.好ましくは、上記表示素子の基板は多角形若しくは四角形であり、この基板の１辺で上記電極層の外周部と上記電源の配線層とが接続される。 Preferably, the substrate of the display element is a polygonal or square, and the wiring layers of the peripheral portion and the power supply of the electrode layers are connected at one side of the substrate.それにより、他辺（又は３辺）では電極層との配線の引き回しが不要となるので、該他辺（又は３辺）部分を狭額縁化することが可能となる。 Thereby, since the lead wires of the other side (or three sides), the electrode layer is not required, it is possible to narrow the frame of said other side (or three sides) moiety.このような構成は、携帯電話機の表示装置のように、ある方向にはモジュールが延びても良いが、それ以外の方向では規制されるような場合に有効である。 Such an arrangement, such as a mobile phone display, there may extend a module in a direction, which is effective when, as is regulated in the other direction.好ましくは、上記基板は多角形若しくは四角形であり、この基板の対向する２辺で前記電極層の外周部と前記電源の配線層とがそれぞれ接続される。 Preferably, the substrate is polygonal or quadrangular, the outer peripheral portion of the electrode layer at two opposite sides of the substrate and the wiring layer of the power source is connected.このような構成は、電極までの配線抵抗を減少すると共に大容量の表示を行うために多数のドライバＩＣを実装する場合等に有効である。 Such a configuration is effective in such a case of mounting a large number of driver IC for display of large capacity while reducing the wiring resistance to the electrode.好ましくは、上記基板は多角形若しくは四角形であり、この基板を囲む３辺で上記電極層の外周部と上記電源の配線層とが接続される。 Preferably, the substrate is polygonal or quadrangular, the wiring layer of the outer peripheral portion and the power supply of the electrode layers are connected at three sides surrounding the substrate.このような構成は、３辺で接続することによって電極までの配線抵抗を十分に低減させ、１辺で外部回路との接続を図ることができる。 Such arrangement is sufficiently reduce the wiring resistance up to the electrodes by connecting at three sides, it is possible to connect to an external circuit at one side.モジュール全体がバランス良く狭額縁化される。 Entire module is well-balanced narrow frame.好ましくは、上記基板は多角形若しくは四角形であり、この基板を囲む４辺で上記電極層の外周部と上記電源の配線層とが接続される。 Preferably, the substrate is polygonal or quadrangular, the wiring layer of the outer peripheral portion and the power supply of the electrode layers are connected by four sides surrounding the substrate.このような構成は、大型の高精細表示装置を実現する場合に必要となる、配線抵抗を極力抵抗を下げる場合に好適である。 Such a configuration is required when realizing a high-definition display device of large size is suitable for a case where the wiring resistance lowers as much as possible resistance.この場合、電源配線層の下に絶縁膜を介して引き出し配線を形成し、あるいは、電極層と電源配線層との接続領域を複数のブロックに分け、ブロック相互間にまとめて引き出し配線を配置することとしても良い。 In this case, the lead wiring is formed under the power supply wiring layer via an insulating film, or divide the connection region between the electrode layer and the power supply wiring layer into a plurality of blocks, arranged collectively lead wiring between blocks mutually it is also possible.好ましくは、上記複数の表示素子が配列された領域の外周にダミーの表示素子が配置される。 Preferably, the outer periphery of the plurality of display elements arranged regions dummy display elements are arranged.それにより、表示に使用されないダミーの表示画素からガスが侵入するようにして、表示素子への実質的な影響を軽減する。 Thereby, gas from the display pixels of the dummy not used for display so as to penetrate, to reduce a substantial effect on the display device.また、インクジェット方式による表示素子の材料の塗布（塗布量）の均一化を図ることが可能となる。 Further, it is possible to achieve uniform coating of the material of the display device by an inkjet method (coating weight).好ましくは、上記表示素子は有機ＥＬ素子である。 Preferably, the display element is an organic EL element.上記下層の電極層はカルシウム、上記上層の電極層はアルミニウムである。 It said lower electrode layer is calcium, the upper electrode layer is aluminum.好ましくは、上記バンク層は樹脂材料によって形成される。 Preferably, the bank layer is formed of a resin material.表示素子間にバンク層が存在することによって混色が防止される。 Color mixing is prevented by the bank layer is present between the display element.好ましくは、上述した表示装置はデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、平面型テレビ、携帯情報端末装置、携帯電話装置、電子ブック等の電子機器に使用される。 Preferably, the display device described above is a digital camera, a personal computer, flat TV, portable information terminal device, a cellular phone device, are used in electronic devices such as electronic books.それにより、表示器の周囲に余分な非表示領域（額縁）の少ない各種装置類が得られる。 Thereby, less various devices such of extra non-display region (frame) is obtained around the display device.本発明の表示装置の製造方法は、電気回路を形成すべき基板の外周内側の封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、上記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成する過程と、上記素子分離層の複数の溝の各々に上記表示素子を形成する過程と、上記複数の表示素子と、上記素子分離層と、上記配線層各々の上に共通電極層を形成する過程と、上記基板の封止領域に接合材料を塗布する接合材料塗布過程と、上記基板の封止領域に環状の封止部を有する封止基板を前記接合材料を介して接合して上記基板を封止する封止過程と、を含む。 Method of manufacturing a display device of the present invention includes the steps of forming at least a wiring layer on a part of the outer periphery inside the seal region of the substrate to form the electrical circuits, display a plurality of excluding the wiring layer on the substrate a step of forming an isolation layer comprising a plurality of grooves for separating elements from one another, comprising the steps of forming the display element in each of the plurality of grooves of the isolation layer, and the plurality of display elements, the an isolation layer, and a process of forming a common electrode layer on said wiring layer, respectively, and the bonding material application step of applying a bonding material to the sealing area of ​​the substrate, the sealing of the annular sealing region of the substrate a sealing substrate having parts bonded via the bonding material comprises a sealing step of sealing the substrate.かかる構成とすることによって、表示装置の額縁を狭くすることが可能となる。 According to the foregoing structure, it is possible to narrow the frame of the display device.好ましくは、上記接合材料塗布過程は、上記基板の封止領域内に形成された前記共通電極層と前記配線層との接続領域上及び残り（この領域以外）の封止領域に接合材料を塗布する。 Preferably, the bonding material application process, applying a bonding material to the sealing area of ​​the connection region and on the rest (except the area) of the common electrode layer and the wiring layer formed in the sealing region of the substrate to.それにより、基板と封止基板との間の封止領域を所要の接合材料で密封する。 Thereby sealing the seal region between the substrate and the sealing substrate at a required bonding material.また、本発明の表示装置の製造方法は、電気回路を形成すべき基板の外周内側の封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、上記基板の上記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成する過程と、上記素子分離層の複数の溝の各々に上記表示素子を形成する過程と、上記複数の表示素子と、上記素子分離層と、上記配線層各々の上に共通電極層を形成する過程と、上記基板の封止領域及び上記共通電極層の上に接合材料を塗布する接合材料塗布過程と、上記基板に上記封止領域及び上記共通電極層を覆う封止基板を上記接合材料を介して接合して上記基板を封止する封止過程と、を含む。 A method of manufacturing a display device of the present invention, except the steps of forming at least a wiring layer on a part of the outer periphery inside the seal region of the substrate to form the electrical circuits, the wiring layer on the substrate a plurality a step of forming an isolation layer comprising a plurality of grooves of the display device for separating mutually the steps of forming the display element in each of the plurality of grooves of the isolation layer, and the plurality of display elements , and the isolation layer, and a process of forming a common electrode layer on said wiring layer, respectively, and the bonding material application step of applying a bonding material onto the sealing area and the common electrode layer of the substrate, the substrate a sealing substrate for covering the sealing area and the common electrode layer are joined through the bonding material; and a sealing step of sealing the substrate.かかる構成とすることによって、表示装置の額縁を狭くすることが可能となる。 According to the foregoing structure, it is possible to narrow the frame of the display device.また、表示装置の製造方法は、電気回路を形成すべき基板の外周内側の封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、上記基板の上記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成する過程と、上記素子分離層の複数の溝の各々に上記表示素子を形成する過程と、上記複数の表示素子と、上記素子分離層と、上記配線層各々の上に共通電極層を形成する過程と、上記基板に上記封止領域及び上記共通電極層を覆う多層膜を形成して上記基板を封止する封止過程と、を含む。 A method of manufacturing a display device includes the steps of forming at least a wiring layer on a part of the outer periphery inside the seal region of the substrate to form the electrical circuits, with the exception of the wiring layer on the substrate a plurality of display elements a step of forming an isolation layer comprising a plurality of grooves for separating from each other, the steps of forming the display element in each of the plurality of grooves of the isolation layer, and the plurality of display elements, the element a separation layer, and a process of forming a common electrode layer on said wiring layer, respectively, and a sealing step of sealing the substrate to form a multilayer film covering the sealing region and the common electrode layer on the substrate ,including.好ましくは、上記多層膜は、水又はガスの透過を妨げる膜を含む。 Preferably, the multilayer film includes a film that prevents transmission of water or gas.好ましくは、上記共通電極層は上記表示素子側に位置する下層とその上に位置する上層の少なくとも２種類の電極層を含み、上記下層の電極層よりも上層の電極層がガスバリア性又は耐環境性が良い。 Preferably, the common electrode layer includes at least two electrode layers of the upper layer located thereon and underlying located on the display element side, an upper electrode layer than the lower electrode layer gas barrier properties or environmental sex is good.それにより、発光素子の劣化を防止可能とする。 Thereby possible to prevent deterioration of the light-emitting element.好ましくは、上記下層の電極層は上記複数の表示素子全体と上記バンク層の少なくとも一部とを覆うが、上記封止基板の封止部から離間し、上記上層の電極は上記下部電極層全体を覆って上記封止基板の封止部内にまで至る。 Preferably, the lower electrode layer covers at least a portion of the entire plurality of display elements and the bank layer, but spaced apart from the sealing portion of the sealing substrate, the upper electrode across the lower electrode layer covering the lead up to the sealing portion of the sealing substrate.それにより、下層の電極層の劣化を防止可能とする。 Thereby possible to prevent the deterioration of the lower electrode layer.発明を実施するための最良の形態以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described with reference to the drawings, embodiments of the present invention.図１乃至図３は、本発明の表示装置の第１の実施例を説明する説明図である。 1 through 3 are explanatory views for explaining the first embodiment of the display device of the present invention.図１は、表示装置を概略的に示す平面図である。 Figure 1 is a plan view schematically showing a display device.図２は、図１のＡ−Ｂ方向の断面を概略的に示す断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view schematically showing the A-B direction of the cross section of FIG.図３は、図１のＣ−Ｄ方向の断面を概略的に示す断面図である。 Figure 3 is a cross-sectional view schematically showing a C-D direction of the cross-section of FIG.各図において対応する部分には同一部号を付している。 The corresponding parts in the respective drawings are denoted by the same unit No..なお、図２においては中央部の表示素子領域が簡略化されて示されている。 The display element region of the central portion is shown being simplified in FIG.実施例１の表示装置１は有機ＥＬ表示装置の例を示している。 Display device 1 of Example 1 shows an example of the organic EL display device.この表示装置１は、大別して、発光素子アレイを備えるＴＦＴ基板１００、発光素子アレイを封止する封止基板２００、ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とを接合する接合手段３０１、ＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する走査線ドライバ部１４０、ＴＦＴ基板１００のデータ線を駆動するデータドライバＩＣ４０１等によって構成される。 The display device 1 is roughly, TFT substrate 100 including a light emitting device array, a sealing substrate 200 for sealing the light emitting element array, a TFT substrate 100 and the bonding means 301 for bonding the sealing substrate 200, the TFT substrate 100 constituted by the data driver IC401 for driving the data lines of the scanning line driver section 140, TFT substrate 100 for driving the scan lines.ＴＦＴ基板１００は、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ発光素子１２０と、これ等の発光素子１２０を駆動したり、スイッチとして機能するＴＦＴトランジスタ１３０などによって構成されている。 TFT substrate 100 includes a plurality of organic EL light emitting element 120 arranged in a matrix, or to drive the light emitting element 120 of this like, and is constituted by such as a TFT transistor 130 functioning as a switch.ＴＦＴ基板１００は、ガラス基板１０１上に保護膜１０２を形成し、この上にシリコンを堆積し、低濃度の不純物を注入してパターニングを行ってポリシリコンのＴＦＴ領域１０３を形成している。 TFT substrate 100, to form a protective film 102 on a glass substrate 101, depositing a silicon thereon to form a polysilicon TFT region 103 by patterning by injecting low concentrations of impurities.なお、基板１００は樹脂基板であっても良い。 The substrate 100 may be a resin substrate.この上にＣＶＤ法によって酸化シリコンによるゲート絶縁膜１０４を堆積している。 And depositing a gate insulating film 104 by the silicon oxide by a CVD method on this.この上にアルミニウムをスパッタ法によって堆積し、パターニングを行って、有機ＥＬ駆動用電源配線膜１０５及び１０６、有機ＥＬ用陰極配線膜１０７、ＴＦＴ１３０のゲート配線膜１０８を形成している。 The aluminum is deposited by sputtering on this, by patterning, the organic EL driving power supply wiring film 105 and 106 to form a gate wiring film 108 of the organic EL for the cathode wiring film 107, TFT 130.次に、マスクを用いてＴＦＴ領域１０３のソース・ドレイン領域に高濃度のイオン注入を行い、酸化シリコンを堆積して第１の層間絶縁膜１１０を形成する。 Next, the high concentration of ions implanted into the source and drain regions of the TFT area 103 using a mask to form a first interlayer insulating film 110 by depositing silicon oxide.コンタクトホールのマスクを用いて異方性エッチングを行い、ＴＦＴ領域１０３にコンタクトホールを開口する。 By anisotropic etching using the mask of the contact holes, a contact hole to the TFT region 103.次に、アルミニウムを堆積し、パターニングを行ってソース・ドレイン電極１０９、接続用電極１１２を形成する。 Then depositing aluminum, the source and drain electrodes 109 and patterned to form the connection electrode 112.次に、酸化シリコンを堆積して第２の層間絶縁膜１１１を形成する。 Next, a second interlayer insulating film 111 by depositing silicon oxide.金属イオンや水などＴＦＴの劣化因子のＴＦＴへの到達を抑制するために、第２の層間絶縁膜として、例えば、ホウ素、炭素、窒素、アルミニウム、ケイ素、リン、イッテルビウム、サマリウム、エルビウム、イットリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ネオジウム、などの元素から選ばれた少なくとも１つの元素を含む絶縁膜も使用可能である。 To suppress the arrival of the TFT degradation factors of the TFT such as metal ions and water, as the second interlayer insulating film, for example, boron, carbon, nitrogen, aluminum, silicon, phosphorous, ytterbium, samarium, erbium, yttrium, gadolinium, dysprosium, an insulating film containing at least one element selected from the elements of neodymium, such as can be used.この上に後述の表示素子群を形成する。 Forming a display element groups will be described later on this.上述のように構成されたＴＦＴ基板１００の中央部領域が表示素子群が配置された表示領域となっている。 Central region of the TFT substrate 100 configured as described above is displayed element groups has a disposed display area.表示素子としての赤発光、緑発光、青発光の発光素子１２０は、これ等３色を一画素としてマトリクス状に配列されている。 Red light emission of the display element, a green light-emitting, light-emitting element 120 of the blue emission, are arranged in a matrix so like three colors as a pixel.発光素子１２０各々の各放射光はガラス基板１０１を介して外部に放射される。 Each emitted light of the light emitting element 120 each of which is emitted to the outside through the glass substrate 101.なお、ＴＦＴ基板１００と反対側から光を取り出すこともできる。 It is also possible to extract light from the side opposite to the TFT substrate 100.この場合、発光層より上層は光透過性の高い部材で構成することが好ましい。 In this case, layers above the light-emitting layer is preferably made of a high light transmitting member.各発光素子を分離して混色を防止するために、各発光素子間及び表示領域の外周にバンク層１１３が形成されている。 To prevent color mixture to separate the light emitting element, the bank layer 113 is formed on the outer periphery between the light emitting element and the display region.バンク層１１３は、例えば、フォトレジスト等の有機材料膜をパターニングすることによって形成することができる。 Bank layer 113, for example, can be formed by patterning an organic material film such as a photoresist.発光素子１２０は、透明電極（ＩＴＯ）の陽極１２１、有機ＥＬ層・正孔輸送層１２２、陰極（共通電極）１２３等によって構成される。 Emitting element 120, the anode 121 of the transparent electrode (ITO), an organic EL layer, a hole transport layer 122 composed of a cathode (common electrode) 123 and the like.陰極１２３は２層構造になっており、例えば、下層はカルシウム膜１２３ａ、上層はアルミニウム膜１２３ｂである。 Cathode 123 has a two-layer structure, for example, lower calcium film 123a, the upper layer is an aluminum film 123b.陰極１２３ａは、各発光素子１２０と、各発光素子１２０相互間のバンク層と、表示領域の周囲のバンク層１１３とに渡って形成され、上層の陰極１２３ｂとのコンタクトが確保されている。 Cathode 123a includes a respective light emitting element 120, and the bank layer between the light emitting element 120 cross, formed over the bank layer 113 surrounding the display region, the contact between the upper layer of the cathode 123b is secured.上層の陰極１２３ｂは配線膜としても機能し、封止部２０２の下部の領域で配線膜１０７と接続されている。 The upper layer of the cathode 123b also functions as a wiring layer, is connected to the wiring layer 107 at the bottom region of the sealing portion 202.上記のように、有機ＥＬ層・正孔輸送層１２２と接する陰極１２３ａをカルシウム膜とすることによって発光効率を高め、上層のアルミニウム膜１２３ｂによってカルシウム膜１２３ａの全体を覆って低抵抗の配線とガスバリア（腐食防止）とを図っている。 As described above, it increases the luminous efficiency by the cathode 123a which is in contact with the organic EL layer, a hole transport layer 122 and the calcium film, low-resistance wiring and gas barrier covers the entire calcium film 123a by upper aluminum film 123b thereby achieving the (corrosion) and.なお、発光層（有機ＥＬ層・正孔輸送層）の上に更に電子注入層又は電子輸送層、または電子注入層と電子輸送層の積層体を配置する有機ＥＬ素子構成としても良い。 Note that the light-emitting layer may be an organic EL device configured to place a laminate (organic EL layer, a hole transport layer) further electron injection layer or the electron transport layer on top of, or an electron injection layer and the electron transport layer.このように構成された基板１００の上面を断面逆凹部形状の封止基板２００によって封止する。 Thus sealed by a sealing substrate 200 of the configured top surface of the substrate 100 cross section opposite the recess shape.封止基板２００は、例えば、金属、ガラス、セラミック、プラスチックなどによって構成され、板状の封止板２０１と、この封止板下面の外周囲に形成された突起状の封止部２０２と、封止板２０１の下面に取り付けられた乾燥剤（材）２０３とを備えている。 Sealing substrate 200 is, for example, metal, glass, ceramics, are composed of a plastic, a plate-shaped sealing plate 201, the protruding sealing portion 202 formed on the outer periphery of the sealing plate lower surface, desiccant attached to the lower surface of the sealing plate 201 and a (wood) 203.乾燥剤２０３は内部に侵入した水蒸気や酸素ガスを吸着する。 Desiccant 203 adsorbs water vapor and oxygen gas penetrated inside.ＴＦＴ基板１００と封止基板２００間には不活性ガスとしての窒素ガスが充填され、両基板１００及び２００は接合手段としての接着剤３０１を介して封止部２０２にて接合される。 Between the TFT substrate 100 and the sealing substrate 200 nitrogen gas as the inert gas is filled, the substrates 100 and 200 are joined by the sealing portion 202 with an adhesive 301 as joining means.接着剤３０１は、熱硬化性、紫外線硬化性など適当なものを使用するが、特に、水蒸気などのガスの浸透性の低いものを使用する。 The adhesive 301 is thermosetting, but using the appropriate one such as an ultraviolet-curable, in particular, to use a low permeability for gases such as water vapor.図２に示すように、基板１００には、封止基板２００を置くためのマージンａが設けられている。 As shown in FIG. 2, the substrate 100 is provided with a margin a for placing a sealing substrate 200.また、封止基板２００の封止部２０２の幅ｄ、すなわち、基板１００の封止領域ｄは、接着剤３０１がガスの浸透を防止するのに適当な幅（接着剤３０１のみの部分の幅ｂと上下配線の接続幅ｃとの和に略相当する）に設定されている。 The width d of the sealing portion 202 of the sealing substrate 200, i.e., a sealing region d of the substrate 100, the width of the appropriate width (only portion of the adhesive 301 to the adhesive 301 prevents the penetration of gas b and is set to be substantially equivalent) to the sum of the connection width c of the upper and lower wirings.例えば、この幅（接着剤３０１の幅ｄ）を１ｍｍ以上として外部雰囲気の侵入長を大きくとり、水蒸気や酸素ガスの接着層からの侵入を困難にする。 For example, the width (the width d of the adhesive 301) takes a large penetration depth of the outside atmosphere as above 1 mm, making it difficult to penetrate from the adhesive layer of water vapor and oxygen gas.また、接着剤３０１の膜厚を２０μｍ以下とし、接着剤３０１と外部雰囲気との接触面を小さくしてガスの侵入を困難にする。 Further, the thickness of the adhesive 301 and 20μm or less, making it difficult to penetration of gas by reducing the contact surface between the outside atmosphere and the adhesive 301.そして、封止した内部の素子の劣化を抑制する。 Then, suppressing the deterioration of the internal elements sealed.この封止部２０２の下部の領域内に上下接続幅ｃだけ陰極膜１２３ｂが入り込み、基板１００の配線１０７とＩＴＯ膜１１３、ソース・ドレイン電極膜１１２を介して接続される。 The only vertical connection width c at the bottom in the region of the sealing portion 202 a cathode layer 123b enters the wiring 107 and the ITO film 113 of the substrate 100 are connected via the source-drain electrode film 112.図３に示すように、基板１００のデータ線は基板端部の電極１２１に接続され、異方性導電膜３０３を介して配線テープ４０２と接続される。 As shown in FIG. 3, the data line of the substrate 100 is connected to the electrode 121 of the substrate end portion is connected to the wiring tape 402 through the anisotropic conductive film 303.この配線テープの途中に各データ線を駆動するデータドライバＩＣ４０１がボンディングされている。 Data driver IC401 is bonded to drive the respective data lines in the middle of the wiring tape.基板１００の下部においても、封止部２０２内に陰極１２３が一部入り込んでいる。 Also in the bottom of the substrate 100, a cathode 123 is partially contained in the sealing unit 202.図４は、ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とのより一般的な接合例（比較例）を示している。 Figure 4 shows a more general bonding example of the TFT substrate 100 and the sealing substrate 200 (Comparative Example).同図において図２と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。 The same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 2 in the figure, and description thereof will be omitted.この例では、封止基板２００をＴＦＴ基板１００に載置する際の載置マージンａと、ガスの浸透を阻止して封止の信頼性を確保するための接着剤３０１のマージンｄとが陰極１２３と基板配線１０７との接続領域ｃの外側で確保されている。 In this example, margin d and a cathode of the adhesive 301 for securing the mounting margin a when placing the sealing substrate 200 to the TFT substrate 100, the reliability of sealing and prevents the penetration of gas 123 and is secured outside the connection region c with the substrate wiring 107.ＴＦＴ基板１００の端から接続領域ｃまでの寸法は、載置マージンａ＋接着剤３０１のマージンｄ＋接続領域ｃとなっている。 Dimension from the edge of the TFT substrate 100 to the connection region c has a margin d + connection region c of the loading margin a + adhesive 301.この構成では、表示装置１の外周の非表示領域の面積が大きくなっている。 In this arrangement, it is large area of ​​the non-display area of ​​the periphery of the display device 1.これに対して、図２に示す実施例１の構成では、封止部２０２の下部領域（幅ｄ）に陰極１２３あるいは陰極１２３と配線１０７との接続領域ｃが入り込んでいる。 In contrast, in the configuration of Embodiment 1 shown in FIG. 2, it has entered the connection region c with the cathode 123 or cathode 123 and the wiring 107 in the lower region (width d) of the sealing portion 202.ＴＦＴ基板１００の端から接続領域までの寸法は、載置マージンａ＋接着剤３０１のマージンｄとなっている。 Dimension from the edge of the TFT substrate 100 to the connection region has a margin d of the mounting margin a + adhesive 301.接着剤３０１のマージンｄは略ｂ＋ｃとなり、配線接続部分のマージンｃの分だけ、非表示領域の面積が減少する。 Margin d of the adhesive 301 is substantially b + c, and the amount corresponding to the margin c of wiring connection portion, the area of ​​the non-display area is reduced.また、実施例１の構成では、封止部２０２の下部の領域が、図５（ａ）及び同（ｂ）に示すように、可及的に平坦になるように、あるいは段差が変化しないように形成されている。 In the configuration of Example 1, the lower region of the sealing portion 202, as shown in FIG. 5 (a) and the (b), so that as much as possible flat, or as a step is not changed It is formed in.図５（ａ）及び同（ｂ）において、図２と対応する部分には、同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。 In FIG. 5 (a) and the (b), the portions corresponding to FIG. 2, the same reference numerals, and description thereof will be omitted.図５（ａ）及び同（ｂ）において、ｘは電源配線１０７と共通電極膜１２３との接続の幅、ｙは電源配線１０７と共通電極膜１２３とのずれ、ｚは当該接続領域の外周の封止領域下の封止マージンを示している。 In FIG. 5 (a) and the (b), x is the width of the connection between the power supply wiring 107 and the common electrode film 123, the deviation y from the power supply wiring 107 and the common electrode film 123, z is the outer periphery of the connection region It shows a sealing margin of the lower sealing region.同図に示されるように、封止部２０２下部領域の、ＴＦＴ基板１００の電源配線１０７を比較的幅広にかつ平坦に形成する。 As shown in the figure, the sealing portion 202 a lower region, a relatively wider and flat form power supply wiring 107 of the TFT substrate 100.電源配線１０７は、図１に示すように、他の配線と交差しないように基板１００の外周に配置されている。 Power wiring 107, as shown in FIG. 1, are disposed on the outer periphery of the substrate 100 so as not to intersect with other lines.それにより、配線同士の交差によって生ずる段差の発生をなるべく回避して、電源配線膜１０７が平坦に形成されるようにしている。 Thereby avoiding the occurrence of a step caused by the intersection of wirings as much as possible, the power supply wiring film 107 is to be formed flat.この上に、アルミニウム膜１１２、ＩＴＯ膜１２１を平坦に形成し、これ等の導電膜の平坦面１の上に更に、共通電極膜１２３のアルミニウムを堆積して発光素子１２０の陰極と電気的に接続している。 On this, the aluminum film 112, an ITO film 121 is formed flat, which like further on the flat surface 1 of the conductive film, to the cathode and electrically the light emitting element 120 deposited aluminum common electrode film 123 It is connected.この接続領域の外周側の基板１００の上面（絶縁膜１１１）ｍも平坦に形成されている。 The outer peripheral side surface of the substrate 100 of the connection region (insulating film 111) m is also formed flat.好ましくは、図５（ｂ）に示すように、電源配線１０７と共通電極膜１２３とのずれｙが０となるようにする。 Preferably, as shown in FIG. 5 (b), displacement y of the power supply wiring 107 and the common electrode film 123 is made to be 0.それにより、電源配線１０７の幅と共通電極１２３の接続幅とを一致させて配線抵抗を最小とし、また、幅方向の寸法の無駄を省く。 Thus, to match the width of the power supply wiring 107 and the connection width of the common electrode 123 and the wiring resistance and the minimum, also eliminate unnecessary widthwise dimension.このように、電源配線膜１０７と共通電極１２３との導通部分（上下導通部分）ｘを平坦に形成し、この外周の封止領域ｚも平坦領域とする。 Thus, the conductive portion (vertical conductive portion) x of the power supply wiring film 107 and the common electrode 123 formed flat, and the sealing region z also flat area of ​​the periphery.上下導通を確実に行い、共通電極膜１２３形成後の膜端部の段差を均一に形成して、上下導通部分の高さをＴＦＴ基板１００側で揃えて、封止条件が上下導通領部分で変化しないようにしている。 Reliably perform vertical conduction, uniformly form the step of the membrane edge after the common electrode film 123 is formed, the height of the vertical conducting portions are aligned with the TFT substrate 100 side, a sealing condition with vertical conductive territory portion so that does not change.更に、上下導通部ｘの外周部ｚに平坦部分ｚを確保することによって、缶封止によって封止部分に加わる応力を均一にすることが可能となる。 Furthermore, by ensuring flat portion z on the outer peripheral portion z of the vertical conducting portion x, it becomes possible to make uniform the stress applied to the sealing portion by can sealing.図６（ａ）乃至同図（ｄ）は、第１の実施例に係る表示装置１の製造プロセスを説明する工程図である。 FIGS. 6 (a) to FIG. (D) are process diagrams illustrating a manufacturing process of a display device 1 according to the first embodiment.同図において、図２と対応する部分には、同一符号を付している。 In the figure, the portions corresponding to FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.まず、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１００を形成する。 First, as shown in FIG. 6 (a), to form the TFT substrate 100.すなわち、ガラス基板１０１上にＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を堆積して保護膜１０２を形成する。 That is, a protective film 102 by depositing a silicon nitride film by CVD on a glass substrate 101.この上にＣＶＤ法によってシリコンを堆積する。 Depositing a silicon by CVD on this.更に、低濃度の不純物を注入してレーザアニールによる熱処理を行ってポリシリコン膜１０３を形成する。 Further, a polysilicon film 103 by a heat treatment by laser annealing by injecting low concentrations of impurities.このポリシリコン膜のパターニングを行ってＴＦＴ領域１３０を形成する。 By patterning the polysilicon film to form the TFT region 130.この上にＣＶＤ法によって酸化シリコンによるゲート絶縁膜１０４を堆積している。 And depositing a gate insulating film 104 by the silicon oxide by a CVD method on this.この上にアルミニウムをスパッタ法によって堆積し、パターニングを行って、有機ＥＬ駆動用電源配線膜１０５及び１０６、有機ＥＬ用陰極配線膜１０７、ＴＦＴ１３０のゲート配線膜１０８を形成する。 The aluminum was deposited by sputtering on, by patterning, the organic EL driving power supply wiring film 105 and 106 to form a gate wiring film 108 of the organic EL for the cathode wiring film 107, TFT 130.次に、マスクを用いてＴＦＴ領域１０３のソース・ドレイン領域に高濃度のイオン注入を行い、熱処理によって不純物を活性化させる。 Next, the high concentration of ions implanted into the source and drain regions of the TFT area 103 using a mask, activating the impurities by heat treatment.更に、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを堆積して第１の層間絶縁膜１１０を形成する。 Furthermore, a first interlayer insulating film 110 by depositing silicon oxide by a CVD method.この層間絶縁膜１１０にマスクを用いて異方性エッチングを行い、ＴＦＴ領域１０３のソース・ドレイン領域にコンタクトホールを開口する。 By anisotropic etching using a mask in the interlayer insulating film 110, contact holes to the source and drain regions of the TFT area 103.次に、アルミニウムを堆積し、パターニングを行ってソース・ドレイン電極１０９、接続用電極１１２を形成する。 Then depositing aluminum, the source and drain electrodes 109 and patterned to form the connection electrode 112.次に、図６（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを堆積して第２の層間絶縁膜１１１を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (b), a second interlayer insulating film 111 by depositing silicon oxide by a CVD method.配線膜１０７上の層間絶縁膜１１１をエッチングしてアルミニウム膜１１２を露出させる。 The interlayer insulating film 111 on the wiring film 107 is etched to expose the aluminum film 112.この上に、スパッタ法によってＩＴＯを堆積し、パターニングして発光素子の１２０の陽極１２１を形成する。 On this, the ITO is deposited by sputtering to form the anode 121 of 120 of the light emitting element is patterned.また、配線膜上１０７のアルミニウム膜１１２上にもＩＴＯ膜１２１を堆積し、接続領域の膜厚を調整するとともにアルミニウム表面が酸化されるのを防止する。 Also deposited ITO film 121 on the aluminum film 112 of the wiring film 107, the aluminum surface as well as adjusting the thickness of the connection area is prevented from being oxidized.図６（ｃ）に示すように、感光性の有機樹脂膜をスピンコート法によって塗布し、パターニングを行って、発光素子の陽極（ＩＴＯ）１２１を溝の底部に露出したバンク層１１３を形成する。 As shown in FIG. 6 (c), a photosensitive organic resin film is applied by a spin coating method, patterning is performed to form the bank layer 113 an anode (ITO) 121 of the light emitting element is exposed in the bottom portion of the groove .このバンク層１１３は、各発光素子を分離する。 The bank layer 113 separates the light emitting element.次に、インクジェット法によって陽極１２１の上に、ＥＬ層１２２を形成する。 Next, on the anode 121 by the inkjet method to form the EL layer 122.ＥＬ層１２２は、例えば、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔注入層、正孔輸送層などによって構成される。 EL layer 122, for example, light-emitting layer, electron transporting layer, an electron injection layer, a hole injection layer, and the like hole transport layer.これ等発光素子１２０の上に、例えば、カルシウム１２３ａを真空蒸着してパターニングし、更にアルミニウム１２３ｂを蒸着してパターニングを行う。 On top of this, such as the light emitting element 120, for example, calcium 123a is patterned by vacuum evaporation, and patterned by further depositing aluminum 123b.カルシウム１２３ａ及びアルミニウム１２３ｂは発光素子１２０の陰極（共通電極）１２３を構成する。 Calcium 123a and aluminum 123b constitute a cathode (common electrode) 123 of the light emitting element 120.陰極１２３を下層のカルシウム膜１２３ａを上層のアルミニウム膜１２３ｂによって被覆する２層構造とすることによって、カルシウム膜１２３ａへの水分の侵入を防止（ガスバリア性の確保）する。 By a two-layer structure coated by an aluminum film 123b of the upper cathode 123 the underlying Ca layer 123a, to prevent moisture from entering the calcium film 123a (ensuring gas barrier property).アルミニウム膜１２３ｂは共通電極１２３として基板１０１の外周にまで広がっており、外周部でＩＴＯ膜１２１、アルミニウム膜１１２を介して配線膜１０７と、配線接続部分のマージンｃ（図２参照）にて接続される。 Aluminum film 123b is spread to the outer periphery of the substrate 101 as a common electrode 123, ITO film 121 at the peripheral portion, and the wiring layer 107 through the aluminum film 112, connected by wire connection portion of the margin c (see FIG. 2) It is.次に、図６（ｄ）に示すように、ＴＦＴ基板１００の外周の配線膜１０７を含む部分に接着剤あるいは封止剤３０１を塗布し、外周に突起部２０２が形成された逆凹形状の封止基板２００を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で張り合わせる。 Next, as shown in FIG. 6 (d), the adhesive or sealant 301 is applied to a portion including the wiring layer 107 of the periphery of the TFT substrate 100, opposite concave shape of the protrusion 202 is formed on the outer periphery laminating the sealing substrate 200 in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas.封止基板２００内部に乾燥剤が配置されており、内部に侵入した水分や酸素を吸着する。 And drying agent disposed within the sealing substrate 200, adsorbs moisture or oxygen penetrated inside.接着剤３０１としては、酸素や水分を透過しない、絶縁性の材料が望ましく、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を使用可能である。 The adhesive 301, does not transmit oxygen and water, insulating material is preferably, can be used a photocurable resin or a thermosetting resin.例えば、エポキシ系樹脂、アクリレート系樹脂の使用が可能である。 For example, an epoxy resin, the use of acrylate resin available.このようにして、表示装置が形成される。 In this way, the display device is formed.図７及び図８は第２の実施例を示している。 7 and 8 show a second embodiment.両図において図２及び図３と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。 In both figures the same reference numerals are given to portions corresponding to Fig. 2 and 3, and description thereof will be omitted.この実施例では、封止基板２００として平坦な基板を使用している。 In this embodiment, using a flat substrate as a sealing substrate 200.封止基板２００は、例えば、ガラス板、アルミニウム板、ステンレス板、アクリル板、セラミック板などを適宜に使用可能である。 Sealing substrate 200 is, for example, a glass plate, an aluminum plate, stainless steel plate, can be used in an acrylic plate, a ceramic plate as appropriate.ＴＦＴ基板１００と封止基板２００との隙間を全て接着剤３０１で埋設して両基板を接合（接着）している。 Buried a gap between the TFT substrate 100 and the sealing substrate 200 in all the adhesive 301 are bonded both substrates (bonding).この場合においても、陰極１２３と基板の配線膜１０７との接続領域を含めて上述した封止の信頼性を確保するために必要なマージンｂ＋ｃの幅を確保すると共に、この陰極１２３と基板の配線膜１０７との接続領域の内側にバンク層１１３が位置するようになされている。 Also in this case, while ensuring the width of the margin b + c necessary for ensuring the reliability of the sealing described above, including the connection region between the cathode 123 and the wiring layer 107 of the substrate, the cathode 123 and the substrate wiring bank layer 113 on the inner side of the connection area of ​​the membrane 107 is made to be positioned.それにより、額縁の幅を狭くし、接着剤３０１から比較的に水分の透過率の高い樹脂膜１１３を隔離してバンク層１１３へのガスの侵入を防止する。 Thus, to narrow the frame width, preventing the penetration of gas having a high transmittance of a relatively water from the adhesive 301 resin film 113 to the bank layer 113 in isolation.図９（ａ）乃至同（ｄ）は、第２の実施例の表示装置１の製造工程を説明する工程図である。 Figure 9 (a) to the (d) are process views for explaining the second embodiment of the display device 1 of the manufacturing process.同図において、図６と対応する部分には同一符号を付し、係る部分の説明は省略する。 In the figure, the same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 6, description of parts according omitted.この表示装置においても、図９（ａ）乃至図９（ｃ）の工程は、図６（ａ）乃至同図（ｃ）と同様に行われる。 In this display device, the process shown in FIG. 9 (a) through 9 (c) is carried out in the same manner as FIGS. 6 (a) through FIG. (C).図９（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１００が形成された後、スピンコート法あるいはインクジェット法、転写ローラなどによって接着剤３０１が適当な膜厚となるようにＴＦＴ基板１００の上面に塗布される。 As shown in FIG. 9 (c), after being formed TFT substrate 100, a spin coating method or an inkjet method, is applied to the top surface of the TFT substrate 100 such that the adhesive 301 be an appropriate thickness by a transfer roller that.この接着剤の膜の上に、封止基板２００をＴＦＴ基板１００に対して位置合わせを行いながら、張り合わせる。 On the film of the adhesive, while positioning the sealing substrate 200 to the TFT substrate 100 is laminated.なお、封止基板２００に接着剤３０１を塗布してＴＦＴ基板１００と張り合わせても良い。 It is also bonded to the TFT substrate 100 by an adhesive 301 is applied to the sealing substrate 200.また、封止基板２００とＴＦＴ基板１００とを合わせた後、周囲の隙間から毛細管現象によって接着剤を内部に浸透させることとしても良い。 Further, after the combination of the sealing substrate 200 and the TFT substrate 100, it is also possible to infiltrate adhesive therein by capillary action from the surrounding gap.図１０及び図１１は、第３の実施例を示している。 10 and 11 show a third embodiment.両図において図２及び図３と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。 In both figures the same reference numerals are given to portions corresponding to Fig. 2 and 3, and description thereof will be omitted.この実施例では、封止基板２００に代えて多層薄膜２１０を形成している。 In this embodiment, to form a multi-layered thin film 210 in place of the sealing substrate 200.例えば、特開２０００−２２３２６４では、無機パシベーション封止膜と樹脂封止膜との積層膜を封止膜として提案している。 For example, it proposed in JP 2000-223264, a stacked film of an inorganic passivation sealing film and the resin sealing film as a sealing film.多層薄膜２１０は、ＴＦＴ基板１００の上に形成され、陰極１２３全体を覆っている。 Multilayer thin film 210 is formed on the TFT substrate 100, and covers the entire cathode 123.多層薄膜は、有機層／無機層／有機層の構成、または無機層／有機層／無機層の構成など種々の構成を採用することが可能である。 Multilayer thin films, it is possible to adopt various configurations such as the configuration of the organic layer / structure of the inorganic layer / organic layer, or an inorganic layer / organic layer / inorganic layer.無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮなどのセラミック材料等を、有機樹脂層としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレンなどの、一般的な炭化水素系高分子を使用可能である。 As the inorganic materials, for example, SiO2, SiN, a ceramic material or the like, such as SiON, as the organic resin layer, for example, polyethylene, polystyrene, such as polypropylene, which is a common hydrocarbon-based polymer usable.また、含フッ素系高分子でもよい。 In addition, it may be a fluorine-containing polymer.ポリマー材料そのものを配置することも、前駆体またはモノマーを基材上に塗布して硬化させてもよい。 Placing the polymeric material itself is also a precursor or monomer may be cured is applied onto a substrate.陰極１２３は、基板１００の端部側で電源の配線１０７と接続されている。 Cathode 123 is connected to the wiring 107 of the power supply at the end of the base 100.この例においても、陰極１２３と基板の配線膜１０７との接続領域を含めて上述した封止の信頼性を確保するために必要なマージンｂ＋ｃの幅を確保すると共に、この陰極１２３と基板の配線膜１０７との接続領域の内側にバンク層１１３が位置するようになされている。 In this example, while securing the width of the margin b + c necessary for ensuring the reliability of the sealing described above, including the connection region between the cathode 123 and the wiring layer 107 of the substrate, the cathode 123 and the substrate wiring bank layer 113 on the inner side of the connection area of ​​the membrane 107 is made to be positioned.それにより、額縁の幅を狭くしている。 As a result, it is to narrow the frame of width.図１２（ａ）乃至図１２（ｄ）は、第３の実施例の表示装置１の製造工程を説明する工程図である。 Figure 12 (a) through FIG. 12 (d) is a process diagram illustrating a third embodiment of the display device 1 of the manufacturing process.同図において、図６と対応する部分には同一符号を付し、係る部分の説明は省略する。 In the figure, the same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 6, description of parts according omitted.この表示装置においても、図１２（ａ）乃至図１２（ｃ）の工程は、図６（ａ）乃至同図（ｃ）と同様に行われる。 In this display device, FIG. 12 (a) to the step of FIG. 12 (c) is carried out in the same manner as FIGS. 6 (a) through FIG. (C).図１２（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１００が形成された後、図１２（ｄ）に示されるように、陰極１２３が外気に曝されないように、機密性の高い保護膜２１０でＴＦＴ基板１００を覆い、外周をパターニングして基板を分離可能とする。 As shown in FIG. 12 (c), after being formed TFT substrate 100, as shown in FIG. 12 (d), as the cathode 123 it is not exposed to the outside air, the TFT substrate at a high protection film 210 sensitive It covers 100, by patterning the outer periphery to enable separation of the substrate.保護膜２１０は、好ましくは、多層薄膜とする。 Protective film 210 is preferably a multilayer film.前述したように、多層薄膜は、有機層／無機層／有機層を積層することにより、あるいは、無機層／有機層／無機層を積層すること等によって形成される。 As described above, the multilayer film, by laminating the organic layer / inorganic layer / organic layer, or is formed such as by stacking the inorganic layer / organic layer / inorganic layer.無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮなどのセラミック材料膜を、有機樹脂層としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレンなどの、一般的な炭化水素系高分子を使用する。 As the inorganic materials, for example, SiO2, SiN, a ceramic material layer such as SiON, as the organic resin layer, for example, use polyethylene, polystyrene, such as polypropylene, a common hydrocarbon-based polymer.また、含フッ素系高分子でもよい。 In addition, it may be a fluorine-containing polymer.ポリマー材料そのものを配置することも、前駆体またはモノマーを基材上に塗布して硬化させてもよい。 Placing the polymeric material itself is also a precursor or monomer may be cured is applied onto a substrate.図１３は、本発明の第４の実施例を示している。 Figure 13 shows a fourth embodiment of the present invention.この実施例では、上述した第１乃至第３の実施例の表示装置の表示領域に、更に、ダミー画素を追加するようにした例を示している。 In this embodiment, the display area of ​​the display device of the first to third embodiments described above, further, shows an example in which so as to add a dummy pixel.表示装置内に侵入したガスは、膜内を浸透して表示領域の外周側の表示素子から影響を与える。 Gas entering the display device is to penetrate the membrane influences from the outer periphery of the display elements in the display area.そこで、予め画像表示に使用されないダミー画素を表示領域の外周に設けることで、侵入ガスの画面表示への影響を軽減する。 Therefore, by providing the dummy pixels that are not used in the pre-image display on the periphery of the display area, to reduce the impact on the screen display of intrusion gas.また、表示領域の外周にダミー画素を設けることで、インクジェット法によって発光体材料を塗布する場合に塗布膜の均一化が図られる。 Further, by providing the dummy pixel on the outer periphery of the display area, uniformity of the coating film when coating the luminescent material by an ink jet method it can be achieved.すなわち、インクジェット法では、ノズルから微小なインク（材料）滴を吐出するが、吐出開始後、吐出量が安定するまである時間を必要とする。 That is, in the inkjet method, for discharging minute ink (material) droplets from the nozzle, after the ejection start, the ejection amount requires a certain time to stabilize.ダミー画素部分で吐出量を安定させることで各発光素子の塗布膜を均一化させることが可能となる。 It is possible to uniform the coating film of each light emitting element in stabilizing the discharge amount in the dummy pixel portions.なお、発光体の形成にインクジェット法の代わりにマスク蒸着法を使用しても良い。 It is also possible to use the mask deposition method instead of an ink jet method to form the light emitter.また、インクジェット法とマスク蒸着法とを組み合わせて使用しても良い。 It may also be used in combination with an ink jet method and the mask deposition method.図１４乃至図１７は、本発明の更に他の実施例を示している。 14 to 17 show a further embodiment of the present invention.各図において、図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。 In each figure, the same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 1, and description thereof will be omitted.これ等の実施例では、ＴＦＴ基板と封止基板とを張り合わせて基板の外周を封止しているが、ＴＦＴ基板の外周のいずれかの辺あるいは全ての辺で狭額縁化を図っている。 In an embodiment of this like, it seals the outer periphery of the substrate by bonding the TFT substrate and the sealing substrate, thereby achieving a narrower frame in any side or all sides of the periphery of the TFT substrate.図１及び図２に示した実施例では、図１４に示すように、四角形（多角形）基板１００の３辺（上辺、左辺、右辺）で電源配線１０７と共通電極（陰極）１２３とを接続し、それ等の外側領域で封止を行って狭額縁化を図り、１辺（下辺）で配線テープ４０２を使用してドライバＩＣ（外部回路）と接続している。 In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, connected as shown in FIG. 14, a square (polygonal) three sides of the substrate 100 (upper, left, right) and a power supply wiring 107 and the common electrode (cathode) 123 and, achieving a narrower frame of performing sealing in the outer region of it or the like, and connected to a driver IC (external circuit) using the wiring tape 402 in one side (lower side).このようにすると、３辺接続で共通電極１２３までの配線抵抗を減らすことができ、１辺を外部回路接続に専用できるので、表示装置のモジュール全体をバランス良く、狭額縁化することが可能となる。 In this way, it is possible to reduce the wiring resistance up to the common electrode 123 at three sides connection enables only one side to an external circuit connection, can be well-balanced, narrower frame of the whole module of a display device and Become.図１５に示す実施例では、基板１００の１辺（下辺）で電源配線１０７と共通電極（陰極）１２３とを接続し、その外側領域で封止を行っている。 In the embodiment shown in FIG. 15, connects the power supply line 107 at one side of the substrate 100 (lower side) and the common electrode (cathode) 123, which performs sealing at the outer region.この例では、１辺のみで共通電極１２３と配線膜１０７とを接続するので、この１辺で共通電極１２３と配線膜１０７間の十分な導通面積（上下導通面積）を確保しなければならないので狭額縁化は難しいが、それ以外の３辺では共通電極１２３との配線接続が不要であるので、３辺をかなり狭額縁化することができる。 In this example, since the connection between the common electrode 123 and the wiring layer 107 in only one side, since it is necessary to ensure adequate conduction area between the common electrode 123 and the wiring layer 107 in the one side (vertical conduction area) narrow frame is difficult, but the other three sides since unnecessary wiring connection between the common electrode 123 can be considerably narrower frame three sides.これは、ある方向にはモジュールが延びても良いが、それ以外の方向にはモジュールを延ばせないような場合、例えば、携帯電話機の表示装置などに都合の良い配置である。 Although this is the direction may extend module, if that does not Nobase the module in the other directions, for example, a convenient arrangement for such a portable phone of the display device.図１６に示す実施例は、基板１００の２辺（左辺、右辺）で共通電極１２３と配線膜１０７とを接続し、それ等の外側領域でそれぞれ封止を行っている。 Embodiment shown in FIG. 16, two sides of the substrate 100 (the left side, right side) connects the common electrode 123 and the wiring layer 107 in is performed respectively sealed in the outer region of it, and the like.向かい合う両側（上辺、下辺）にそれぞれ配線テープ４０２を設けて外付け回路を実装する場合、例えば、奇数ラインは上から駆動し、偶数ラインは下から駆動するような場合に有効であり、多数のドライバＩＣを実装して大容量（大画面）の表示を行うことが可能である。 Opposite sides (upper side, lower side) when implementing an external circuit is provided respectively on the wiring tape 402, for example, the odd lines are driven from the top, even lines are effective when to drive from under, a number of implement the driver IC it is possible to perform the display of large capacity (large screen).また、この構成では、図１４に示した３辺で共通電極１２３と配線膜１０７とを接続した場合に匹敵する配線抵抗の低下を図ることが可能である。 Further, in this configuration, it is possible to achieve a reduction in wiring resistance comparable when connecting the common electrode 123 and the wiring layer 107 in three sides as shown in FIG. 14.図１７に示す実施例は、基板１００の４辺（上辺、下辺、左辺、右辺）で共通電極１２３と配線膜１０７とを接続し、それ等の外側領域でそれぞれ封止を行っている。 Embodiment shown in FIG. 17, four sides of the substrate 100 (upper side, lower side, left side, right side) connects the common electrode 123 and the wiring layer 107 in is performed respectively sealed in the outer region of it, and the like.そして、多層配線膜によって共通電極１２３と配線膜１０７との導通を図る配線の下部に絶縁膜を介して引き出し配線を形成し、この配線を外部回路と接続している。 Then, and via the lower insulation film of wiring to achieve conduction between the common electrode 123 and the wiring layer 107 form a lead wiring, and connecting the wiring to an external circuit by the multilayer wiring layer.なお、共通電極１２３と配線膜１０７とを接続する導通領域を複数のブロックに分け、ブロック相互間に引き出し配線を配置する構成とすることもできる。 Incidentally, divided conductive areas connected to the common electrode 123 and the wiring layer 107 into a plurality of blocks may be configured to place the lead wiring between blocks mutually.このような構成は、大型の高精細ディスプレイを実現する場合に必要となる、配線抵抗の十分な低減を可能とする。 Such a configuration is required when realizing high-definition display large to allow sufficient reduction of the wiring resistance.このように、本発明の各実施例によれば共通電極（陰極）１２３と基板配線１０７との接続領域（ｃ）を封止マージン（ｂ＋ｃ）内に含めて表示装置を組み立てるようにしているので、表示器の額縁の領域を減らすことが可能となる。 Thus, since the common electrode (cathode) 123 and connecting region with the substrate wiring 107 (c) to assemble the display device included in the sealing margin (b + c) According to the embodiments of the present invention , it is possible to reduce the frame area of ​​the display device.また、共通電極１２３と基板配線１０７との接続領域（ｃ）よりも基板の内側になるようにバンク層１１３を位置させるので、基板１００と封止基板（あるいは封止膜）２００との接合部分（ｂ＋ｃ）からバンク層１１３内にガスが直接浸透することを回避可能となる。 The joining portion between the common electrode 123 and so to position the bank layer 113 so that the inside of the substrate than the connection area between the substrate wiring 107 (c), the substrate 100 and the sealing substrate (or sealing film) 200 gas it is possible to avoid having to penetrate directly from (b + c) in the bank layer 113.それにより、バンク層１１３として加工容易な樹脂（フォトレジストなど）を使用しても発光素子１２０への影響が少なくなる。 Thereby, even when using easily processed resin (such as photoresist) the influence of the light emitting element 120 becomes smaller as the bank layer 113.また、カルシウム電極１２３ａを陰極１２３ａと基板配線１０７との接続領域（ｃ）から離間させることによって酸素や水蒸気ガスの浸透によるカルシウム電極１２３ａの腐食を回避する。 Also, to avoid corrosion of the calcium electrode 123a by penetration of oxygen and water vapor gas by separating the calcium electrode 123a from the connecting region between the cathode 123a and the substrate wiring 107 (c).次に、上述した本発明の表示装置を備えた電子機器の例について以下に説明するが、例示のものに限定されるものではない。 Next, will be described below an example of an electronic apparatus having the display device of the present invention described above, it is not limited to those exemplified.〈モバイル型コンピュータ〉 <Mobile Computer>まず、上述した実施形態に係る表示装置をモバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。 First, an example of applying the display device according to the embodiment described above to a mobile personal computer.図１８は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 Figure 18 is a perspective view showing a structure of the personal computer.同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述した表示装置１１０６を備えた表示装置ユニットとから構成されている。 In the figure, the personal computer 1100 includes a main body 1104 having a keyboard 1102, and a display device unit comprising a display device 1106 described above.〈携帯電話〉 <mobile phone>次に、上述した実施形態に係る表示装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。 Next, a display device according to the embodiment described above, the applied example will be described on the display unit of the mobile phone.図１９は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。 Figure 19 is a perspective view showing a structure of the cellular phone.同図において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２の他、受話口１０２４、送話口１２０６と共に上述した表示装置１２０８を備えるものである。 In the figure, the cellular phone 1200, a plurality of other operation buttons 1202, but including a display device 1208 described above with earpiece 1024, a mouthpiece 1206.〈ディジタルスチルカメラ〉 <Digital still camera>上述した実施形態に係る表示装置をファインダに用いたディジタルスチルカメラについて説明する。 For a digital still camera will be described using the display device according to the embodiment described above the finder.図２０は、このディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器との接続についても簡易に示すものである。 Figure 20 is a perspective view showing a configuration of the digital still camera, showing simply be connection to an external device.通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成する。 The normal camera, while a film is exposed to a light image of an object, the digital still camera 1300 generates an imaging signal through photoelectric conversion by the image pickup device such as CCD (Charge Coupled Device) an optical image of a subject.ディジタルスチルカメラ１３００のケース１３０２の背面には、上述した表示装置１３０４が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成となっている。 On the back of the case 1302 of the digital still camera 1300, a display device 1304 described above it is provided, which is configured to perform display based on the imaging signal by the CCD.このため、表示装置１３０４は、被写体を表示するファインダとして機能する。 Therefore, the display device 1304 functions as a finder for displaying a subject.また、ケース１３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニットが設けられている。 Further, on the observation side of the case 1302 (the back side in the figure), the light receiving unit is provided that includes an optical lens and a CCD.撮影者が表示装置１３０４に表示された被写体を像を確認して、シャッタボタン１３０８を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３１０のメモリに転送・格納される。 The photographer is displayed on the display device 1304 subject to check the image, pressing the shutter button 1308, CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1310.また、このディジタルスチルカメラ１３００は、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とを備えている。 Also, the digital still camera 1300, the side surface of the case 1302, and a video signal output terminal 1312, the input and output terminal 1314 for data communication.そして、同図に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４３０が、それぞれ必要に応じて接続され、更に、所定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１３３０や、コンピュータ１３４０に出力される構成となっている。 Then, as shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312, also the input-output terminal 1314 for data communication personal computer 1430 is connected optionally respectively, further, predetermined by operating the image signal stored in the memory of the circuit board 1308, are configured to be output to the television monitor 1330, the computer 1340.〈電子ブック〉 <E-book>図２１は、本発明の電子機器の一例としての電子ブックの構成を示す斜視図である。 Figure 21 is a perspective view showing the configuration of an electronic book as an example of an electronic apparatus of the present invention.同図において、符号１４００は、電子ブックを示している。 In the figure, reference numeral 1400 shows an electronic book.電子ブック１４００は、ブック型のフレーム１４０２と、このフレーム１４０２に開閉可能なカバー１４０３とを有する。 Electronic book 1400 includes a book-shaped frame 1402, a cover 1403 can be opened and closed in the frame 1402.フレーム１４０２には、その表面に表示面を露出させた状態で表示装置１４０４が設けられ、更に、操作部１４０５が設けられている。 Frame 1402, display device 1404 is provided in a state of exposing the display surface on its surface, further, the operation unit 1405 is provided.フレーム１４０２の内部には、コントローラ、カウンタ、メモリなどが内蔵されている。 Inside the frame 1402, the controller, counter, such as a memory are built.表示装置１４０４は、本実施形態では、表示素子を配置した画素部と、この画素部と一体に備えられ且つ集積化された周辺回路とを備える。 Display device 1404 in this embodiment includes a pixel portion arranged display elements, and a peripheral circuit and is integrated provided integrally with the pixel portion.周辺回路には、デコーダ方式のスキャンドライバ及びデータドライバを備える。 The peripheral circuit comprises a scan driver and a data driver of the decoder system.なお、電子機器としては、図１８のパーソナルコンピュータ、図１９の携帯電話機、図２０のディジタルスチルカメラ、図２１の電子ブックの他にも、電子ペーパ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。 As the electronic device, a personal computer shown in FIG. 18, the cellular phone 19, a digital still camera in FIG. 20, to other electronic book of Figure 21, the electronic paper, a liquid crystal television, a viewfinder type or monitor direct view type video tape recorder, a car navigation system, a pager, an electronic organizer, an electronic calculator, a word processor, a workstation, a videophone, OS terminals, such as devices having a touch panel and the like.そして、これ等の各種電子機器の表示部には、上述した表示装置が適用可能である。 Then, the display unit of this and various electronic devices, are applicable above-described display device.本発明の表示装置は実施例の有機ＥＬ表示装置に限られない。 Display device of the present invention is not limited to the organic EL display device of Example.また、基板も実施例のＴＦＴ基板に限られない。 The substrate is also not limited to the TFT substrate of the embodiment.アクティブ型のみならず、パッシブ型の基板にも本発明は適用可能である。 Not active but also the present invention to a passive substrate is applicable.また、実施例では、接合手段として接着剤を使用しているがこれに限られない。 Further, in the embodiment, the use of the adhesive is not limited to this as a joining means.他の方法、例えば超音波やレーザによる接合を用いても良い。 Other methods may be used, for example bonding by ultrasound or laser.産業上の利用可能性以上説明したように、本発明の表示装置によれば、表示領域の周囲の非表示領域である額縁の幅をより狭くすることが可能となって好ましい。 As described above INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the display device of the present invention, preferably it is possible to further narrow the width of the frame is a non-display area surrounding the display area.【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS図１は、本発明の表示装置の第１の実施例を説明する平面図である。 Figure 1 is a plan view illustrating a first embodiment of the display device of the present invention.図２は、本発明の表示装置の第１の実施例（封止基板使用例）を説明する、図１のＡ−Ｂ部に沿った断面図である。 Figure 2 is a first embodiment of the display device of the present invention (sealing substrate used Example) illustrating a cross-sectional view taken along the A-B section of FIG.図３は、本発明の表示装置の第１の実施例を説明する、図１のＣ−Ｄ部に沿った断面図である。 Figure 3 illustrates a first embodiment of the display device of the present invention, it is a cross-sectional view taken along C-D of FIG.図４は、第１の実施例の効果を説明するための、一般的な表示装置（比較例）の端部構造を説明する説明図である。 4, for explaining the effect of the first embodiment is an explanatory view illustrating the end portion structure of a general display device (Comparative Example).図５（ａ）及び同（ｂ）は、基板外周の封止部における平坦性を説明する説明図であり、図５（ａ）は下地配線層１２１、１１２、１０７と共通電極１２３にずれがある場合を、同（ｂ）はずれがない場合を示している。 Figure 5 (a) and the (b) is an explanatory view for explaining the flatness in the sealing portion of the substrate periphery, deviates FIG. 5 (a) and the underlying wiring layer 121,112,107 common electrode 123 some case shows a case where there is no same (b) off.図６は、第１の実施例の表示装置の製造工程を説明する工程図である。 Figure 6 is a process diagram illustrating the manufacturing process of the display device of the first embodiment.図７は、本発明の表示装置の第２の実施例（封止基板全面接着例）を説明する、図１のＡ−Ｂ部に沿った断面図である。 Figure 7 is a second embodiment of the display device of the present invention (sealing substrate entirely bonded example) will be described, is a cross-sectional view along the A-B section of FIG.図８は、本発明の表示装置の第２の実施例を説明する、図１のＣ−Ｄ部に沿った断面図である。 Figure 8 illustrates a second embodiment of the display device of the present invention, it is a cross-sectional view taken along C-D of FIG.図９は、第２の実施例の表示装置の製造工程を説明する工程図である。 Figure 9 is a process diagram illustrating the manufacturing process of the display device of the second embodiment.図１０は、本発明の表示装置の第３の実施例（多層封止膜使用例）を説明する、図１のＡ−Ｂ部に沿った断面図である。 Figure 10 is a third embodiment of the display device of the present invention (multi-layer sealing film used Example) illustrating a cross-sectional view taken along the A-B section of FIG.図８は、本発明の表示装置の第３の実施例を説明する、図１のＣ−Ｄ部の断面図である。 Figure 8 illustrates a third embodiment of the display device of the present invention, a cross-sectional view of a C-D section of FIG.図１２は、第３の実施例の表示装置の製造工程を説明する工程図である。 Figure 12 is a process diagram illustrating the manufacturing process of the display device of the third embodiment.図１３は、本発明の第４の表示装置の第４の実施例（ダミー画素使用例）を説明する平面図である。 Figure 13 is a plan view illustrating a fourth embodiment of the fourth display device of the present invention (dummy pixels used example).図１４は、基板の３辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明図である。 Figure 14 is an explanatory diagram for explaining an example of performing the connection between the common electrode and the power supply wiring 3 sides of the substrate.図１５は、基板の１辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明図である。 Figure 15 is an explanatory diagram for explaining an example of performing the connection between the common electrode and the power supply wiring one side of the substrate.図１６は、基板の２辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明図である。 Figure 16 is an explanatory diagram for explaining an example of performing the connection between the common electrode and the power supply wiring 2 sides of the substrate.図１７は、基板の４辺で電源配線と共通電極との接続を行う例を説明する説明図である。 Figure 17 is an explanatory diagram for explaining an example of performing the connection between the common electrode and the power supply wiring 4 sides of the substrate.図１８は、本発明の表示装置を使用した携帯型のパーソナルコンピュータの例を説明する説明図である。 Figure 18 is an explanatory diagram for explaining an example of a portable personal computer by using the display device of the present invention.図１９は、本発明の表示装置を使用した携帯型電話機の例を説明する説明図である。 Figure 19 is an explanatory diagram for explaining an example of a portable telephone using the display device of the present invention.図２０は、本発明の表示装置を使用したデジタルカメラの例を説明する説明図である。 Figure 20 is an explanatory diagram for explaining an example of a digital camera using the display device of the present invention.図２１は、本発明の表示装置を使用した電子ブックの例を説明する説明図である。 Figure 21 is an explanatory diagram for explaining an example of an electronic book using the display device of the present invention.

Claims (35)

Translated from Japanese

バンク層によって分離された複数の表示素子と配線層とを有する基板と、 A substrate having a plurality of display elements that are separated by the bank layer and the wiring layer,前記複数の表示素子と前記バンク層とを覆う電極層と、 An electrode layer covering said bank layer and said plurality of display elements,少なくとも前記基板の外周の封止領域で接合して前記基板を覆う封止基板と、を備え、 Comprising: a sealing substrate for covering the substrate by joining a sealing area of ​​the periphery of at least the substrate, the,前記配線層は前記基板の封止領域の一部に形成され、 The wiring layer is formed on a part of the sealing region of the substrate,前記電極層の外周部は前記封止領域内にて前記配線層と接続される、 The outer peripheral portion of the electrode layer is connected to the wiring layer in the sealing region,表示装置。 Display device.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記電極層は各表示素子の共通電極であることを特徴とする表示装置。 Display device, wherein the electrode layer is a common electrode of the display elements.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記電極層は複数の電極層からなり、その少なくとも１の電極層はガスバリア性又は耐環境性を有することを特徴とする表示装置。 The electrode layer includes a plurality of electrode layers, the at least one electrode layer display device characterized by having a gas barrier property or environment resistance.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記電極層は複数の電極層からなり、第１の電極層は前記複数の表示素子と前記バンク層の一部とを覆い、第２の電極層は前記第１の電極層と前記バンク層の他を覆って前記基板の封止領域で前記配線層と接続されることを特徴とする表示装置。 The electrode layer includes a plurality of electrode layers, the first electrode layer covers a portion of the bank layer and the plurality of display elements, the second electrode layer of the first electrode layer and the bank layer display device, characterized in that it is connected to the wiring layer in the sealing region of the substrate over the other.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記封止基板は前記基板の封止領域に対向して該封止基板の外周を一周するように突起した封止部を含むことを特徴とする表示装置。 The encapsulation substrate display device which comprises a sealing portion which protrudes so as to go round the outer circumference of the sealing substrate to face the seal region of the substrate.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板の配線層の上面は平坦に形成され、この上に前記電極層が積層されて電気的に接続されることを特徴とする表示装置。 The top surface of the wiring layer of the substrate is formed flat, a display device the electrode layer thereon is characterized in that it is connected by laminating electrically.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板の前記封止領域は平坦に形成されることを特徴とする表示装置。 The sealing region of the substrate display device characterized in that it is flat.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板の配線層は該基板の外周側に形成された電源の配線層であることを特徴とする表示装置。 Display device characterized by the wiring layer of the substrate is a wiring layer of the power source which is formed on the outer peripheral side of the substrate.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板と前記封止基板との接合が接着膜を介して行われることを特徴とする表示装置。 Display device characterized by bonding between the sealing substrate and the substrate is effected via an adhesive layer.

請求項９記載の表示装置であって、 A display device according to claim 9,前記基板の封止領域のサイズは前記接着膜のガスバリア性又は耐環境性を確保するために必要なマージンによって決定され、このマージンに前記電極層と前記配線層との接続領域が含まれることを特徴とする表示装置。 The size of the seal region of the substrate is determined by the margin needed to ensure the gas barrier properties or environmental resistance of the adhesive film, that contains the connection region between the electrode layer and the wiring layer on the margin display device according to claim.

請求項９記載の表示装置であって、 A display device according to claim 9,前記接着膜の膜厚が２０μｍを越えないことを特徴とする表示装置。 Display the film thickness of the adhesive film is characterized in that it does not exceed 20 [mu] m.

請求項９記載の表示装置であって、 A display device according to claim 9,前記接着膜の幅が少なくとも２ｍｍ確保されることを特徴とする表示装置。 Display device, characterized in that the width of the adhesive layer is at least 2mm ensured.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記電極層と前記配線層とを接続する領域の幅が少なくとも１ｍｍ確保されることを特徴とする表示装置。 Display device characterized by the width of the area that connects the wiring layer and the electrode layer is at least 1mm ensured.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記封止基板の外周は前記基板に前記封止基板を載置する際のマージン分だけ前記基板の外周よりも内側に位置することを特徴とする表示装置。 The outer periphery of the sealing substrate display device, characterized in that located inside the periphery of the substrate by a margin when placing the sealing substrate to the substrate.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板は角形の基板であり、この基板の１辺で前記電極層と前記配線層とが接続されることを特徴とする表示装置。 The substrate is a substrate of rectangular, the display device, characterized in that said electrode layer and said wiring layer is connected to one side of the substrate.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板は角形の基板であり、この基板の２辺で前記電極層と前記配線層とがそれぞれ接続されることを特徴とする表示装置。 The substrate is a substrate of rectangular, the display device, characterized in that said electrode layer at two sides of the substrate and said wiring layer are connected.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板は角形の基板であり、この基板の３辺で前記電極層と前記配線層とがそれぞれ接続されることを特徴とする表示装置。 The substrate is a substrate of rectangular, the display device, characterized in that said electrode layer at three sides of the substrate and said wiring layer are connected.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記基板は角形の基板であり、この基板の４辺で前記電極層と前記配線層とがそれぞれ接続されることを特徴とする表示装置。 The substrate is a substrate of rectangular, the display device, characterized in that said wiring layer and the electrode layer at four sides of the substrate are connected respectively.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記封止基板は平坦な基板によって構成されることを特徴とする表示装置。 The encapsulation substrate display apparatus characterized by being constituted by a flat substrate.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記封止基板に代えて前記基板を覆う多層薄膜を形成したことを特徴とする表示装置。 Display device characterized by forming a multilayer thin film that covers the substrate in place of the sealing substrate.

請求項２０記載の表示装置であって、 The display device of claim 20,前記多層薄膜の少なくとも１つの薄膜はガスバリア性又は耐環境性を有することを特徴とする表示装置。 Wherein the at least one thin film multilayer thin film display device characterized by having a gas barrier property or environment resistance.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記バンク層は前記基板の封止領域内に位置しないことを特徴とする表示装置。 Display the bank layer, characterized in that not positioned sealing region of the substrate.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記複数の表示素子が配列された領域の外周にダミーの表示素子が配置されることを特徴とする表示装置。 Display device, wherein the plurality of display elements are dummy on the outer periphery of the array region of the display elements are arranged.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記表示素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。 Display device The display device, characterized in that an organic EL element.

請求項４記載の表示装置であって、 A display device according to claim 4,前記第１の電極層はカルシウム、前記第２の電極層はアルミニウムであることを特徴とする表示装置。 It said first electrode layer is calcium, a display device and the second electrode layer may be equal to aluminum.

請求項１記載の表示装置であって、 A display device according to claim 1,前記バンク層は樹脂材料によって形成されることを特徴とする表示装置。 The bank layer display apparatus characterized by being formed of a resin material.

請求項１乃至２６のいずれかに記載の前記表示装置を備える電子機器。 Electronic equipment comprising the display device according to any one of claims 1 to 26.

前記電子機器は、デジタルカメラ、携帯情報端末装置及び携帯電話装置のうち少なくともいずれかを含む、請求項２７記載の電子機器。 The electronic device is a digital camera, a portable information terminal and a cellular phone including at least one of the devices, according to claim 27 electronic device according.

電気回路を形成すべき基板の外周内側に設定された封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、 A step of forming at least a wiring layer on a part of the set sealing region on the outer periphery inside the substrate to form the electrical circuits,前記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成する過程と、 A step of forming an isolation layer comprising a plurality of grooves for separating a plurality of display elements to each other except for the wiring layer on the substrate,前記素子分離層の複数の溝の各々に前記表示素子を形成する過程と、 A step of forming the display device to each of the plurality of grooves of the isolation layer,前記複数の表示素子と、前記素子分離層と、前記配線層各々の上に共通電極層を形成する過程と、 Wherein a plurality of display elements, and the element isolation layer, and a process of forming a common electrode layer on the wiring layer, respectively,前記基板の封止領域に接合材料を塗布する接合材料塗布過程と、 A bonding material application step of applying a bonding material to the sealing area of ​​the substrate,前記基板の封止領域に環状の封止部を有する封止基板を前記接合材料を介して接合して前記基板を封止する封止過程と、 And a sealing step of sealing the substrate and the sealing substrate having a sealing portion of the annular sealing region of the substrate by joining via the bonding material,を含む表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a display device including a.

請求項２９記載の表示装置の製造方法であって、 A method of manufacturing a display device according to claim 29, wherein,前記接合材料塗布過程は前記基板の封止領域内に形成された前記共通電極層と前記配線層との接続領域上及びこの領域以外の前記封止領域に接合材料を塗布することを特徴とする表示装置の製造方法。 The bonding material coating process is characterized by applying a bonding material to the sealing area other than the connection region and on the region between the wiring layer and the common electrode layer formed on the sealing region of the substrate method for manufacturing a display device.

電気回路を形成すべき基板の外周内側に設定された封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、 A step of forming at least a wiring layer on a part of the set sealing region on the outer periphery inside the substrate to form the electrical circuits,前記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成する過程と、 A step of forming an isolation layer comprising a plurality of grooves for separating a plurality of display elements to each other except for the wiring layer on the substrate,前記素子分離層の複数の溝の各々に前記表示素子を形成する過程と、 A step of forming the display device to each of the plurality of grooves of the isolation layer,前記複数の表示素子と、前記素子分離層と、前記配線層各々の上に共通電極層を形成する過程と、 Wherein a plurality of display elements, and the element isolation layer, and a process of forming a common electrode layer on the wiring layer, respectively,前記基板の封止領域及び前記共通電極層の上に接合材料を塗布する接合材料塗布過程と、 A bonding material application step of applying a bonding material onto the sealing area and the common electrode layer of the substrate,前記基板に前記封止領域及び前記共通電極層を覆う封止基板を前記接合材料を介して接合して前記基板を封止する封止過程と、 And a sealing step of sealing the substrate and sealing substrate for covering the sealing region and the common electrode layer on the substrate by joining via the bonding material,を含む表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a display device including a.

電気回路を形成すべき基板の外周内側に設定された封止領域の一部に少なくとも配線層を形成する過程と、 A step of forming at least a wiring layer on a part of the set sealing region on the outer periphery inside the substrate to form the electrical circuits,前記基板の前記配線層上を除いて複数の表示素子を相互に分離するための複数の溝を備える素子分離層を形成する過程と、 A step of forming an isolation layer comprising a plurality of grooves for separating a plurality of display elements to each other except for the wiring layer on the substrate,前記素子分離層の複数の溝の各々に前記表示素子を形成する過程と、 A step of forming the display device to each of the plurality of grooves of the isolation layer,前記複数の表示素子と、前記素子分離層と前記基板に前記封止領域及び前記共通電極層を覆う多層膜を形成して前記基板を封止する封止過程と、 And a sealing step of sealing the plurality of display elements, the substrate to form a multilayer film covering the sealing region and the common electrode layer on the substrate and the isolation layer,を含む表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a display device including a.

請求項３２記載の表示装置の製造方法であって、 A method of manufacturing a display device according to claim 32, wherein,前記多層膜は水又はガスの透過を妨げる膜を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 The multilayer film manufacturing method of a display device which comprises a membrane that prevents the permeation of water or gas.

請求項２９乃至３３のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、 A method of manufacturing a display device according to any one of claims 29 to 33,前記共通電極層は前記表示素子側に位置する下層とその上に位置する上層の少なくとも２種類の電極層を含むように形成され、 The common electrode layer is formed to include at least two electrode layers of the upper layer located thereon and underlying positioned in the display device side,前記下層の電極層よりも上層の電極層がガスバリア性又は耐環境性が良い材料で形成されることを特徴とする記載の表示装置の製造方法。 Method of manufacturing a display device, wherein the upper electrode layer than the electrode layer of the lower layer is formed with the gas barrier or environmental resistance is good material.

請求項３４に記載の表示装置の製造方法であって、 A method of manufacturing a display device according to claim 34,前記下層の電極層は前記複数の表示素子全体と前記バンク層の少なくとも一部とを覆うが、前記封止基板の封止部から離間するように形成され、 The lower electrode layer is covering at least a portion of the bank layer and the entire plurality of display elements, are formed so as to be separated from the sealing portion of the sealing substrate,前記上層の電極は前記下部電極層全体を覆って前記封止基板の封止部内にまで至るように形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 Method for manufacturing a display device the upper layer of the electrode, characterized in that it is formed so as to extend up into the sealing portion of the sealing substrate to cover the entire lower electrode layer.