Das erfindungsgemässe Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. die entsprechende Vorrichtung nach Anspruch 11 weisen gegenüber dem bekannten Lösungsansatz den Vorteil auf, dass selbst bei hoher elektrischer Leistung nur eine sehr gerinnge Temperaturdifferenz zwischen Vorderseite des Halbleiterwafers und der Auflageseite des Chucks auftritt. The inventive method having the features of claim 1 and the corresponding apparatus according to claim 11 are compared to the known approach has the advantage that even at a high electric power, only a very gerinnge temperature difference between the front of the semiconductor wafer and the support side of the chuck occurs.

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Die einer vorliegenden ersten Erfindung zugrundeliegende Idee besteht darin, dass eine Einrichtung zum Richten eines fokussierten temperierten Fluidstrahls auf die Vorderseite des Halbleiterwafers vorgesehen wird, wodurch die Temperatur des zu testenden Chips im wesentlichen auf der Temperatur der Auflageseite des Chucks haltbar ist. The underlying a present first invention idea is that a device for directing a focused tempered fluid jet is provided on the front side of the semiconductor wafer, whereby the temperature of the chip to be tested is stable at substantially the temperature of the support side of the chuck.

Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung wird der fokussierte temperierte Fluidstrahl mittels einer Düseneinrichtung auf die Vorderseite des Halbleiterwafers gerichtet, welche an der Sondenkarte angebracht ist. According to a preferred development of the focused tempered fluid jet is directed onto the front of the semiconductor wafer by means of a nozzle device, which is attached to the probe card.

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Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Düseneinrichtung an einer dem Halbleiterwafer abgewandten Seite der Sondenkarte angebracht. According to a further preferred embodiment the nozzle device is attached to a side remote from the semiconductor wafer side of the probe card.

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Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Düseneinrichtung in die Sondenkarte integriert. According to a further preferred embodiment, the nozzle means is integrated in the probe card.

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Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die Sonden der Sondenkarte durch eine vom Fluidstrahl unabhängige Temperierungseinrichtung temperiert, welche an der Sondenkarte angebracht ist. According to a further preferred development of the probes of the probe card are tempered by a tempering independent of the fluid jet which is attached to the probe card.

Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Chuckeinrichtung durch ein weiteres Fluid durchströmt wird, dessen Temperaturdifferent zwischen Ausgangstemperatur und Eingangstemperatur erfasst wird und zur Regelung von mindestens einer der folgenden Grössen verwendet wird: Temperatur der Chuckeinrichtung, Temperatur des Fluidstrahls, Temperatur der Sonden. According to a further preferred embodiment, the chuck means is traversed by another fluid, whose temperature Different is detected between outlet temperature and inlet temperature and is used to control at least one of the following variables: temperature of the chuck device, temperature of the fluid jet, the temperature of the probes.

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Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the drawings and explained in detail in the following description.

Durch diesen Aufbau lässt sich erreichen, dass keine lokale Erwärmung des Chipbereichs selbst bei hohen Leistungen von typischerweise über 100 W auftritt, da durch das Fluid G die Wärme auch von der Vorderseite O des Halbleiterwafers By this structure can be achieved that no local heating of the chip area even at high power levels of typically more than 100 W occurs because by the fluid G heat also from the front O of the semiconductor wafer5 5abgeführt werden kann, und nicht nur von der Rückseite R durch die Chuckeinrichtung can be removed, and not only on the rear side R by the chuck means1 1. ,

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1c 1czeigt eine Modifikation der ersten Ausführungsform hinsichtlich der Sondenkarte. shows a modification of the first embodiment with respect to the probe card.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar. Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, it is not limited thereto but can be modified in many ways.

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Insbesondere ist die Erfindung nicht auf gasförmige getrocknete Luft beschränkt, sondern prinzipiell auf beliebige Fluide anwendbar. In particular, the invention is not limited to gaseous air dried, but in principle in any fluids.

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Obwohl bei den oberen Ausführungsformen die Halteeinrichtung Although in the above embodiments, the holding device15 15für die Düseneinrichtung for the nozzle member150 150auf der dem Halbleiterwafer abgewandten Seite der Sondeneinrichtung vorgesehen war, könnte diese natürlich prinzipiell auch auf der dem Halbleiterwafer zugewandten Seite liegen. was provided on the side remote from the semiconductor wafer side of the probe means, this principle could of course also be located on the side facing the semiconductor wafer side.Auch sind andere Geometrien und Materialien der Düseneinrichtung beziehungsweise der Sonden denkbar. Other geometries and materials of the nozzle device or the probes are conceivable.

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Weiterhin ist es möglich, dass die erfasste Temperatur des Chipbereichs beziehungsweise die Temperaturdifferenz am Auslass und Einlass der Chuckeinrichtung nicht beide zur Regelung verwendet werden sondern nur eine Größe. Furthermore, it is possible that the detected temperature of the chip area or the temperature difference at the outlet and inlet of the chuck device are not both used to control only one size.Auch braucht die Regelung der Kontrollereinrichtung nicht auf die Chuckeinrichtung, die das Fluid der Düseneinrichtung und die unabhängige Temperierungseinrichtung der Sonden gleichzeitig zu wirken, sondern auch eine Regelung einer einzelnen dieser Einrichtung oder einer Unterkombination dieser Einrichtungen wäre vorstellbar. The control of the control device does not need to chuck device to operate the fluid of the nozzle device and the independent temperature-control of the probes at the same time, but also a control of an individual of this device or a sub-combination of these facilities would be conceivable.

Pneumatic workpiece geometry measurement device has a measurement jet and at least one reference jet with temperature sensors provided for temperature compensation of the area around the reference jets

Contact area contacting method for prober, involves observing vertical movement of semiconductor wafer along observation axis which runs in plane that is slight distance away from free wafer surface in its expected end position