G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply, e.g. by thermoelectric elements

G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply, e.g. by thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process

H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

H—ELECTRICITY

H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS

H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate

H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier

Ceci exige, comme cela a été mentionné, d'effectuer des mesures à deux températures distinctes. This requires, as mentioned, to make measurements at two separate temperatures.Pour cela, on place la plaquette sur un support chauffant. For this purpose, placing the wafer on a heater.Le support est d'abord maintenu à la température ambiante puis chauffé pour atteindre une température haute, par exemple 100°C. The support is first kept at room temperature and then heated to reach a high temperature, eg 100 ° C.A chacune de ces températures, des tests sous pointes sont effectués et on peut alors mettre en oeuvre le procédé d'ajustement par laser décrit précédemment. At each of these temperatures, probing tests are performed and may then implement the method of adjusting laser described above.

[0006] [0006]

Une difficulté d'un tel procédé est de porter la plaquette à deux températures distinctes. A difficulty of such a method is to bring the wafer at two distinct temperatures.En pratique, le passage au moyen d'un support chauffant d'une première température stable à une seconde température stable prend une durée de plusieurs minutes. In practice, the passage by means of a heater from a first stable temperature medium at a second stable temperature takes a period of several minutes.Cette durée est loin d'être négligeable devant la durée totale de fabrication des puces et a un impact important sur le coût total de fabrication d'une plaquette. This period is far from negligible in the total length of chip manufacturing and has a significant impact on the total cost of manufacturing a wafer.

[0007] [0007]

Il existe donc un besoin de réduction de la durée de test. There is therefore a need to reduce the test time.

Selon un mode de réalisation, la partie critique est entourée d'un double réseau de tranchées, ces tranchées étant formées de façon à définir des bras reliant la partie critique du circuit au reste de la puce. According to one embodiment, the critical part is surrounded by a double network of trenches, the trenches being formed so as to define arms connecting the critical part of the circuit to the rest of the chip.

Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes consistant à assembler la plaquette contenant les puces sur un support par l'intermédiaire d'une couche isolante interrompue aux emplacements de la partie critique de la puce ; According to one embodiment, the method further comprises the steps of assembling the wafer containing the chips on a substrate via an insulating layer interrupted at the locations of the critical part of the chip;et revêtir la puce d'un capot avec interposition d'une couche isolante interrompue au-dessus de la partie critique de la puce. and coating the chip with a cover with the interposition of an insulating layer suspended above the critical part of the chip.

Pour cela, on propose ici une topologie différente des circuits intégrés contenus dans une puce. For this, we propose here a different topology of integrated circuits contained in a chip.Plus particulièrement, on propose d'identifier les éléments critiques d'un circuit intégré qui, par suite de fluctuations technologiques, sont susceptibles de rendre le circuit intégré sensible à des variations de température. Specifically, it is proposed to identify the critical elements of an integrated circuit which, due to technological changes, are likely to make the integrated circuit sensitive to temperature variations.Ces éléments critiques sont regroupés dans une partie de la puce qui est isolée thermiquement du reste de cette puce. These critical elements are grouped in one part of the chip which is thermally isolated from the rest of the chip.On prévoit également d'incorporer dans cette partie isolée de la puce des résistances chauffantes et un détecteur de température. also is expected to incorporate into the isolated portion of the chip of the heating resistors and a temperature sensor.Ainsi, la partie isolée de la puce qui a une faible surface par rapport à la surface totale de la puce peut être chauffée très rapidement et des tests du type de ceux décrits précédemment peuvent être effectués en un temps bref. Thus, the insulated portion of the chip which has a low surface area relative to the total chip area can be heated very quickly and the type previously described tests can be performed in a short time.Comme on le verra ci-après, ce temps bref peut être de 10 à 100 milli-secondes, par exemple 20 ms, au lieu d'une durée de l'ordre de 5 à 15 minutes, par exemple 10 minutes, dans le cas où on utilise une plaquette posée sur un support chauffant. As will be seen hereinafter, this short time may be from 10 to 100 milli-seconds, for example 20 ms, instead of a period of the order of 5 to 15 minutes, e.g. 10 minutes, in the case where a wafer placed on a heater is used.

Ceci montre bien que les dimensions de la partie critique entourée de tranchées du circuit intégré sont très faibles par rapport aux dimensions totales de la puce (surface au moins 10 fois plus petite dans l'exemple ci-dessus). This shows that the critical dimensions of the part surrounded by trenches of the integrated circuit are very low compared to the total dimensions of the chip (surface of at least 10 times smaller in the example above).Il en résulte que le temps de chauffe de cette partie isolée peut être très court par rapport au temps nécessaire pour chauffer une plaquette complète. As a result, the heating time of this isolated part can be very short compared to the time needed to heat a full plate.A titre d'exemple, comme cela a été indiqué précédemment, ce temps de chauffe peut être compris entre 10 et 100 ms, par exemple 20 ms, alors que, on le rappellera, le temps de chauffe d'une plaquette sur un support chauffant pour atteindre une température stable est de l'ordre de la dizaine de minutes. For example, as noted above, this heating time can be between 10 and 100 ms, for example 20ms, whereas it will be recalled, the time of heating a wafer on a heater to reach a stable temperature is of the order of ten minutes.

Physical energy e.g. force, measuring device for e.g. tire, has rigid bar connected to deformable membrane and integrated to support, where electrodes disposed on membrane and support are moved when bar is stressed by force to be measured