또한, 미세한 치수의 패턴을 형성 가능한 패턴 형성 재료 중 하나로서, 막형성능을 갖는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분을 함유하는 화학 증폭형 레지스트가 알려져 있다. Further, as one of the fine size pattern is formed capable of forming a pattern material, a film and a substrate component having an ability to form, an acid generator that generates acid on exposure it is known a chemically amplified resist containing the ingredient.화학 증폭형 레지스트에는, 노광에 의해 알칼리 가용성이 저하되는 네가티브형과, 노광에 의해 알칼리 가용성이 증대되는 포지티브형이 있다. Chemically amplified resist, there is by exposing the positive type is increased alkali solubility under the negative type and the exposure is reduced to be alkali-soluble.

레지스트 등의 패턴 형성 재료의 주된 기재 성분으로서는, 종래, 질량 평균 분자량이 약 5000 이상인 폴리머가 사용되고 있다. As the main component of the base material for forming a resist pattern or the like, conventionally being used are less than about 5000 weight average molecular weight polymer.

그러나, 이러한 패턴 형성 재료를 사용하여 패턴을 형성한 경우, 패턴의 상면이나 측벽의 표면에 거칠음 (러프니스) 이 발생하는 문제가 있다. However, when forming a pattern using such a pattern forming material, there is a problem in that the roughening (roughness) on the surface of the upper surface or side wall of the pattern is generated.

이러한 러프니스는, 종래에는 그다지 문제가 되지 않았다. This roughness is conventionally not have much problem.그러나, 최근, 반도체 소자 등의 급격한 미세화에 따라, 더욱 고해상도, 예를 들어 치수폭 90㎚ 이하의 해상도가 요구되고 있고, 그에 따라, 러프니스가 심각한 문제가 되고 있다. However, in recent years, according to the rapid miniaturization of semiconductor devices, and is further required is a high resolution, for example, the following dimensions Width 90㎚ resolution, there, it is a serious problem that roughness accordingly.예를 들어 라인 패턴을 형성하는 경우, 패턴 측벽 표면의 거칠음, 즉 LER (라인 에지 러프니스) 에 의해, 형성되는 선폭에 편차가 발생하지만, 그 선폭의 편차의 관리폭은, 치수폭의 10％ 정도 이하로 하는 것이 요구되고 있으며, 패턴 치수 가 작을수록 LER 의 영향은 크다. For example, for forming a line pattern, roughness of the pattern sidewall surface, i.e., a deviation occurs in the line width to be formed, by an LER (line edge roughness), but the management range of the deviation of the line width is 10% of the dimensions width and it is desired to be below the level, the smaller the influence of pattern size is larger LER.예를 들어 90㎚ 정도의 치수를 갖는 라인 패턴을 형성하는 경우, 그 선폭의 편차의 관리폭은, 10㎚ 정도 이하로 하는 것이 요구되고 있다. For example, for forming a line pattern having a dimension of about 90㎚, management range of the deviation of the line width, it is required that 10㎚ or less.

그러나, 일반적으로 기재로서 사용되고 있는 폴리머는, 1 분자당 평균 제곱 반경이 수㎚ 전후로 크고, 상기의 관리폭은 폴리머 수개분 정도의 폭일 뿐이다. However, polymers which are generally used as a base material, one large and the mean square radius per molecule can ㎚ forth, administration is only the width of the width of the pieces may extent polymer.그 때문에, 기재 성분으로서 폴리머를 사용하는 한, LER 의 저감은 매우 곤란하다. Accordingly, one, the reduction of LER to use a polymer as the base component is very difficult.

한편, 기재로서, 수산기 등의 알칼리 가용성기를 갖고, 그 일부 또는 전부가 산해리성 용해 억제기로 보호된 저분자 재료를 사용하는 것이 제안되어 있다 (예를 들어 특허 문헌 1, 2 참조). On the other hand, as the base material, having an alkali-soluble group such as a hydroxyl group, and that a part or all been proposed to use a low-molecular material protected with an acid dissociable dissolution inhibiting group (for example, see Patent Documents 1 and 2).이러한 저분자 재료는, 저분자량이기 때문에 평균 제곱 반경이 작고, LER 증대에 대한 기여는 작을 것으로 예상된다. These low-molecular material, the mean square radius is small because it is a low molecular weight, are expected to lower the contribution to the increase in LER.

그러나, 이들 저분자 재료를 사용하더라도, LER 를 충분히 개선하는 것은 곤란하여, LER 의 저감이 더욱 요청되고 있다. However, even use of such a low-molecular material, and it is difficult to sufficiently improve LER, there is a reduction of LER, and more requested.

또, 분산도란 통상, 폴리머 등의 다(多)분산계의 화합물에 사용되는 것이지만, 단(單)분산 화합물이더라도, 제조시에 있어서의 부(副)생성물이나 잔류하는 출발 물질 등의 불순물의 존재에 의해, 겔 투과형 크로마토그래피 (GPC) 등으로 분석하였을 때에, 외관 상, 그 분자량에 분포가 발생하는 경우가 있다. In addition, the presence of impurities such as dispersing Doran normal, and the polymers (多) but used in the dispersion system compound, provided that (單) even dispersion compound of part (副) at the time of manufacturing the product and residual starting materials by time, it was analyzed by gel permeation chromatography (GPC) or the like, there is a Apparently, if a distribution occurs in the molecular weight.요컨대, 단분산 화합물의 경우에 분산도가 1 이라는 것은 순도가 100％ 인 것을 의미하고, 분산도가 클수록 불순물의 양이 많다. In short, the degree of dispersion of the first stage in the case of dispersing a compound and means that the purity is 100%, the larger the degree of dispersion often the amount of impurities.

본 발명의 패턴 형성 재료용 기재 중에 있어서, 상기 다가 페놀 화합물 (x) 에 있어서의 페놀성 수산기가, 산해리성 용해 억제기에 의해 전혀 보호되어 있지 않은 것 (이하, 미보호체 (X2) 라고 한다) 은 가능한 한 적은 쪽이 바람직하다. In the substrate for a pattern-forming material of the present invention (hereinafter referred to as non-protected material (X2)) is the polyol of the phenol compound (x) a phenolic hydroxyl group, an acid dissociable, that is not protected at all by a dissolution inhibiting this is a small as possible is preferable.

본 발명의 패턴 형성 재료용 기재 중, 미보호체 (X2) 의 비율은, 60 질량％ 이하인 것이 바람직하다. Ratio, non-protection body (X2) of the base material for the pattern forming material of the present invention is preferably not more than 60% by mass.미보호체 (X2) 의 비율은 적을수록 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 10 질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 0 질량％ 이다. US is the ratio of the protective body (X2) is less more preferred, and more preferably is not more than 50 mass%, more preferably at most 10 mass%, and most preferably 0% by mass.미보호체 (X2) 가 60 질량％ 이하이면, 패턴을 형성하였을 때, LER 을 더욱 저감시킬 수 있다. If the non-protection package (X2) is less than 60 mass%, when forming a pattern, it can be further reduced LER.또한, 해상성도 우수하다. In addition, the excellent maritime Saints.

고리형 에테르기로서는, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있다. As the cyclic ether group, and the like can be mentioned a tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group.

이들 중에서도, 해리성이 우수하고, 보호체 (Y1) 의 균일성을 높여, LER 을 향상시키는 것이 가능한 점에서, 사슬형 알콕시알킬기가 바람직하고, 1-에톡시에틸기나 에톡시메틸기가 보다 바람직하다. Among these, the dissociable is excellent, increase the uniformity of the protector (Y1), and it is, chain-like alkoxyalkyl groups as possible from the point of improving LER preferred, and more preferably a methyl group ethoxy group or a 1-ethoxyethyl .

본 발명의 패턴 형성 재료용 기재는, 후술하는 포지티브형 레지스트 조성물의 기재로서 바람직하다. The base material for pattern formation material of this invention, it is preferable as the base material of the positive resist composition to be described later.

(B) 성분으로서는, 1 종의 산발생제를 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (B) as components, is also used each independently or in the acid-generating one type of agent may be used in combination of two or more.

(B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 0.5 ∼ 30 질량부, 바람직하게는 1 ∼ 10 질량부이다. (B) the content of component, (A) be based on 100 parts by mass of component, 0.5 to 30 parts by weight, preferably from 1 to 10 parts by mass.상기 범위보다 적으면 패턴 형성이 충분히 행해지지 않을 우려가 있고, 상기 범위를 초과하면 균일한 용액이 얻어지기 어려워 보존 안정성이 저하되는 원인이 될 우려가 있다. Is less than the above range, there is a possibility that the pattern formation not performed sufficiently, there is a fear that cause it exceeds the above range, a uniform solution is difficult to decrease the storage stability be obtained.

〈유기 용제 (C)〉 <Organic Solvent (C)>

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 상기 서술한 (A) 성분, (B) 성분 및 후술하는 임의의 각 성분을, 유기 용제 (C) 에 용해시켜서 제조할 수 있다. The positive resist composition of the present invention, the above-mentioned component (A), (B) component and a random component, each of which will be described later, it can be prepared by dissolving in an organic solvent (C).

유기 용제 (C) 로서는, 사용하는 각 성분을 용해하여, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. The organic solvent (C) as dissolving the components used, and as long as it can be in a homogeneous solution, conventional, chemically amplified appropriately selected more than one or two or that any from among those known as a solvent of the resist and it can be used.

또한, 유기 용제 (C) 로서, 그 밖에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤과의 혼합 용제도 바람직하다. Further, as the organic solvent (C), the outside, it is also preferable and a mixed solvent of a lactone and at least one selected from PGMEA and EL γ- butynyl.이 경우, 혼합 비율로서는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5 로 여겨진다. In this case, as the mixture ratio, the mass ratio of the former and the latter preferably from 70: 30 to 95: believed to 5.

유기 용제 (C) 의 사용량은 특별히 한정하지 않지만, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포막 두께에 따라 적절하게 설정되는 것이지만, 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도 2 ∼ 20 질량％, 바람직하게는 5 ∼ 15 질량％ 의 범위 내로 여겨진다. The amount of the organic solvent (C) is not particularly limited, and a coating concentrations the substrate or the like, but is properly set according to the coating thickness, in general, a solid concentration of 2-20% by weight of the resist composition, preferably from 5 to It considered to be within the range of 15% by mass.

또, 기판과 레지스트 조성물의 도포층 사이에는, 유기계 또는 무기계의 반사 방지막을 형성할 수도 있다. Further, between the substrate and the applied layer of the resist composition, it is also possible to form the anti-reflection film of the organic or inorganic.

이러한 생각에 기초하였을 때, 종래부터 레지스트의 기재 성분으로서 사용되고 있는 폴리머의 경우, 적어도 상기 요인 중의 1. 을 제어하는 것이 곤란하다. When based on this idea, in the case of a polymer conventionally used as a base component of the resist, it is difficult to control the at least 1 of the above factors.즉, 폴리머는, 중합 등의 수법에 의해 얻어지지만, 얻어지는 폴리머의 분자량을 균일하게 하는 것은 매우 곤란하다. In other words, the polymer, is obtained by a method such as polymerization, it is that a uniform molecular weight of the obtained polymer is extremely difficult.예를 들어 비교적 균일한 분자량 분포의 폴리머가 얻어지는 프로세스로서 리빙 중합이 있지만, 리빙 중합을 적용하기 위해서는, 사용할 수 있는 모노머의 골격, 중합 용매 등에 많은 제한이 있고, 실제로는, 균일한 분자량의 폴리머를 얻는 것은 곤란하다. For example, relatively a polymer having a uniform molecular weight distribution is obtained by the process, but the living polymerization, in order to apply living polymerization, there are a number of limitations such as the skeleton of the monomer that can be used, a polymerization solvent, in practice, a polymer having a uniform molecular weight It is difficult to obtain.또한, 통상 패턴 형성 재료에 사용되는 폴리머로서는, 구조나 알칼리 가용성 등의 기능성이 상이한 2 종류 이상의 모노머를 사용한 공중합체가 사용되고 있지만, 상이한 측쇄 구조를 갖는 모노머를 각 공중합체에 균일하게 도입하는 것, 즉 얻어지는 공중합체의 모노머 조성을, 각 공중합체마다 완전하게 일치시키는 것, 및 각 공중합체 내에서의 각 모노머의 분포를 균일하게 하는 것은 매우 곤란하다. To and usually as the polymer used in the pattern formation material, the structure or copolymer functionality, such as an alkali-soluble with the two kinds or more having different monomer used, but, uniformly introducing a monomer having a different branched structure for each copolymer, ie to completely match each monomer composition, the respective copolymers of the resulting copolymer, and it is extremely difficult to even out the distribution of each monomer in each copolymer.

이와 같이, 미시적 시점에서 본 경우에 분자량 분포나 모노머 조성비가 불균일한 폴리머를 패턴 형성 재료의 기재로서 사용하기 위해서, 리소그래피 과정에 있어서 많은 문제가 발생한다고 생각할 수 있다. In this way, it is, I can think of a number of problems in the lithography process, in order to use the polymer by the molecular weight distribution and the monomer composition ratio in the case of this non-uniformity in the microscopic point as a substrate for pattern formation material.예를 들어, 레지스트막을 형성하기 위한 스핀 코팅 과정에 있어서, 친수성이 높은 폴리머끼리, 소수성이 높은 폴리머끼리가 각각 도메인을 형성하고, 그에 따라 산발생제 등의 분포에도 편차가 발생한다. For example, the resist in a spin coating process to form a film, and a variation occurs even distribution, such as a hydrophilic polymer between the first high, the hydrophobic domain to form a respective high-polymer together, the acid generator accordingly.그 결과, 노광부와 미노광부와의 계면에 있어서, 발생한 산에 의한 산해리성 용해 억제기의 해리 (탈보호 반응) 가 진행될 때의 진행도가 균일하지 않고, 탈보호 반응 후의 각 폴리머의 알칼리 용해성에 편차가 발생하고, 레지스트막의 용해 속도에도 편차가 발생한다. As a result, the furnace according to the shielding portion and the interface between the exposed area, the progress of time the dissociation of the acid dissociable, dissolution inhibiting group by the generated acid (deprotection reaction) proceeds without uniform, alkali solubility of each polymer after the deprotection reaction a deviation occurs, and a deviation occurs in the resist film dissolving rate.

그리고, 이러한 레지스트 중의 각 폴리머의 용해성의 약간의 차가 LER 을 증대시켜 버린다. Then, the difference turns to some of the solubility of each polymer in the resist such increase LER.따라서, LER 을 저감시키기 위해서는 각 폴리머의 알칼리 용해 거동을 제어하지 않으면 안되지만, 상기 서술한 바와 같이, 폴리머 자체의 알칼리 용해성을 균일하게 하는 것은 어렵고, LER 의 저감은 곤란하다. Therefore, in order to reduce LER andoejiman do not control the alkali dissolution behavior of each polymer, as described above, it is difficult to equalize the alkali solubility of the polymer itself, the reduction of LER is difficult.

또한, 상기 서술한 특허 문헌 1, 2 등에 있어서 제안되고 있는 저분자 재료의 경우, 폴리머와 비교하여 평균 제곱 반경이 작은 점에서 LER 을 증대시키기 어렵다고 생각되지만, 보호체와 미보호체의 알칼리 용해성의 차에 관해서는 전혀 고려되어 있지 않고, 그 때문에, LER 을 충분히 저감시킬 수 없었던 것이다. In the case of a low-molecular-weight materials that have been proposed in such as the above-described Patent Documents 1 and 2, I compared to the polymer is difficult to increase the LER in that the mean square radius of the small, but the protection body and the difference in the alkali solubility of the non-protection package but it is not considered at all as to, so that it could not be sufficiently reduced LER.

나아가서는, 본 발명의 제 1 양태 (aspect) 에 관하여 말하면, 그 재료 자체가 아모르퍼스한 막을 형성할 수 있는 재료인지의 여부에 관해서도 전혀 고려되어 있지 않고, 이 때문에, LER 을 충분히 저감시킬 수 없었다고 생각된다. And further, that is to say with respect to the first aspect (aspect) of the present invention, the material itself does not consider at all with regard to whether or not the material capable of forming a film by an amorphous, because of this, he could not be sufficiently reduced LER It is considered.즉, LER 의 악화의 원인으로서, 스토리지 중에 레지스트 조성물 중에 경시적으로 이물질이 발생하는 이물질 경시 (storage stability as a resist solution) 의 문제나, 패턴 형성시에 패턴 표면에 보이는 현상 결함 (디펙트) 의 문제를 생각할 수 있지만, 본 발명자들의 검토에 의하면, 확실하지는 않지만, 이들의 문제는, 상기 저분자 화합물이 결정성이 높은 재료이기 때문에, 그 자체가 아모르퍼스한 막을 형성할 수 없는 것이 그 한가지 원인이라고 추측된다. That is, as a cause of the deterioration of LER, foreign matter which foreign matter with time in the resist composition occurs during storage over time of (storage stability as a resist solution) problem or, pattern developing defects (defects) seen in the pattern surface in the formation of Although conceivable problems, according to the studies of the present inventors, not sure, these problems, since the low molecular compound is a highly crystalline material, itself that it is the one cause that can not be formed film having amorphous It is assumed.요컨대, LER 의 저감을 위해서는, 매트릭스 자체가 아모르퍼스하고 안정적인 막을 형성할 수 있는 것이 바람직하다고 생각된다. In short, it is considered that to a reduction of LER, preferable that the matrix itself can form amorphous and stable film.

또, 종래의 레지스트 조성물에 있어서, 매트릭스 자체가 결정성이 높은 재료였다고 해도, 일반적으로, 물질의 결정성은 구조를 달리하는 물질, 이른바 불순물이 혼입함으로써 저하되는 것이 알려져 있고, 그 때문에, 산해리성의 보호기가 부여된 알칼리 가용성의 매트릭스에, 산발생제, 퀀처, 용매 등 복수의 구성물을 첨가한 레지스트 조성물 전체로서는, 아모르퍼스한 막을 제공할 수 있는 재료라고 생각된다. Further, in the conventional resist composition, if the matrix itself was a highly crystalline material, and generally, the determination of substances castle known that deterioration by the substances, so-called impurity different in structure incorporated, so that the acid-cleavable protecting group castle as for the matrix of the given alkali-soluble, the total addition of the plurality of components, such as an acid generator, kwoncheo, solvent resist composition, is considered to be amorphous materials that can provide a film Perth.

또한, 본 발명에 있어서는, 현재의 리소그래피 프로세스에 있어서 문제가 되고 있는 것 중 하나인 디펙트 (현상 결함) 도 개선된다. In the present invention, is improved in the defect (defective development), one of which would be a problem in the current lithography process.즉, 디펙트는, 여러가지 요인에 의해 여러가지 양태로 나타나는 것이지만, 레지스트 조성물 중, 더욱 자세히 말하자면 기재 중의, 극도로 용해 거동이 상이한 폴리머가 주된 원인 중 하나로서 인식되어 있다. That is, the number of defects, but may appear in various embodiments by a number of factors, the words of the resist composition, more detail is, the extreme different dissolution behavior of the polymer to the base material is recognized as one of the main causes.현재 레지스트에 사용되고 있는 폴리머계로 말하자면, 알칼리 용해성을 갖지 않은 비산해리성 용해 억제기를 갖는 모노머가 높은 비율로 도입된 폴리머는, 노광부에서도 산에 의한 극성 변화 정도가 극단적으로 낮고, 현상 잔류물로서 관찰되거나, 또는 주위의 고분자가 용해되기 때문에 현상 프로세스 중에 한번은 용해되더라도 그 후의 순수에 의한 린스 프로세스로의 이행시에 재석출하여 레지스트 박막 표면에 부착하는 것 등이 예상된다. So to speak to step polymer that is currently being used for the resist, the polymer introduced into the monomer having a non-dissociable, dissolution inhibiting group that does not have alkali solubility at a high rate, the furnace is approximately in the polarity change of the acid portion is low to extreme, observed as a development residue or, or, even if once dissolved in the developing process, since the polymer surrounding the dissolved such that the deposition material on yihaengsi of the rinse process by the subsequent pure water adhering to the resist thin film surface is estimated.그러나, 본 발명에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이, 재료 중의 각 분자의 알칼리 용해성이 비교적 균일하기 때문에, 디펙트에 관해서도 개선된다고 생각된다. However, in the present invention, because, to the alkali solubility of each molecule of the material is relatively uniform as described above, it is considered that improvement with regard to defects.

이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, description will be given of an embodiment of the present invention, but the scope of the present invention is not limited to these examples.

상기 스핀 코트 후, 아모르퍼스한 막이 형성되어 있던 웨이퍼에 관하여, 웨이퍼 카세트 케이스 내에서, 실온 환경 하에서 2 주간 방치하였다. After the spin coating, with respect to the wafer that has been amorphous Perth forming a film, in a wafer cassette case, and allowed to stand for 2 weeks under room temperature environment.이 상태에서, 육안으로, 아모르퍼스한 막이 형성되어 있는지의 여부를 확인하였다. In this state, it was confirmed whether or not the naked eye, the amorphous film is formed.

또한, 고속 액체크로마토그래피 (아지렌트사 제조; HP-1100) 에 의해, MBSA-2 중 6 개의 페놀성 수산기가 전혀 보호되어 있지 않은 미보호체, 페놀성 수산기 중 1 개가 보호되어 있는 1 보호체, 2 개가 보호되어 있는 2 보호체, 및 그 밖의 보호체 (3 ∼ 6 보호체) 의 존재비 (질량％) 를 측정하였다. Further, high performance liquid chromatography (azido rental manufactured; HP-1100) US be protected phenolic first protective member that is one is the protection of the hydroxyl group by, that the MBSA-2 6 of the phenolic hydroxyl group of the not at all protected to measure the existing ratio (% by mass) of two of the second protector, and other protector (3-6 to be protected) with protection.

표면 러프니스는, 실시예 1 과 동일하게 하여 구하였다. Surface roughness was determined in the same manner as in Example 1.다만, TMAH 수용액에 의한 현상 시간은 60 초로 하였다. However, the developing time of the TMAH aqueous solution was 60 seconds.

이와 같이, 실시예 3 의 포지티브형 레지스트 조성물은, 미보호체의 존재비가 60 질량％ 을 초과하는 비교예 2 와 비교하여, 해상도가 높고, 표면 러프니스도 작았다. In this way, it carried out in the positive resist composition of Example 3, compared with Comparative Example 2 that the presence of the unprotected material ratio is more than 60% by mass, higher resolution, the rough surface is also small fitness.이것에 비하여, 비교예 2 는, 패턴 형성 재료용 기재 전체에서의 보호율이 실시예 3 과 거의 동등함에도 불구하고, 해상도가 낮고, 표면 러프니스가 컸다. In comparison to this, Comparative Example 2, in spite of the protection rate in the entire base material for the pattern forming material is substantially the same as in Example 3, and a low resolution, the surface roughness was great.

실시예 4 에 있어서는, 미보호체의 존재비가 낮은 패턴 형성 재료용 기재를 사용하고 있기 때문에, 표면 러프니스가 매우 낮은 값으로 되어 있었다. In the embodiment 4, because it uses a non-protection package existence ratio of the base material for forming a lower pattern of the material, there is a surface roughness is to a very low value.

표면 러프니스와 패턴의 LER 사이에 정의 상관이 있는 것은, 야마구치 등의 보고 (T. Yamaguchi et al., J. Photopolymer. Sci. Technol., 10 (1997) 635 등) 에 의해서 지적되어 있고, 상기 결과로부터, 실시예 3, 4 의 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 얻어지는 패턴의 LER 이 양호한 것을 알 수 있다. Having a positive correlation between the surface roughness of the LER and the pattern, such as reported by Yamaguchi been pointed out (T. Yamaguchi et al., J. Photopolymer. Sci. Technol., 10 (1997) 635, etc.), and the from the results of example 3, it can be seen that a good LER of a pattern obtained using the positive resist composition of the fourth.또한, 린스 후의 레지스트막 표면의 조도의 개선에 의해, 디펙트에 관해서도 개선되는 것이 충분히 예측된다. In addition, by the improvement of the illumination of the resist film surface after rinsing, it is sufficiently predictive to be improved with regard to defects.